Электронная ловушка

Образец из баллона поступает через диафрагму в зону, где от катода (накаленная нить) к электронной ловушке (земля) идет ток электронов. Электроны выбивают из молекул орбитальные электроны и превращают молекулы в ионы. Ионы под действие все усиливающегося электрического поля, приложенного к сеткам ионной пушки , втягиваются в ионную пушку и ускоряются диаметр диафрагм сеток пушки увеличивается по ходу дви-жения ионов, поэтому ионы расходятся и образуется пучок, который попадает в магнитное поле. Нейтральные молекулы выводятся из трубки с помощью вакуумного насоса. Магнитное поле отклоняют ионы от прямолинейного движения, и они начинают дви- [c.35]

Совпадение максимумов свечения на кривой РТЛ с областями кинетических и структурных переходов в полимерах дает основание считать, что акты рекомбинации зарядов осуществляются за счет размораживания теплового движения кинетических единиц, на которых находятся электронные ловушки или центры свечения. При этом время жизни электрона в ловушке определяется временем релаксации той кинетической единицы, на которой находятся связанные электроны. [c.242]

Трубка для введения образца 2 —область ионизации 5 — нить накала —управляющая сетка 5 — фокусирующая сетка 6 — ускоряющая сетка 7 — ионный катод 5 —магнитный электронный умножитель 5 —динодная пластина —анод // — осциллограф 12 — магнитная пластина /5 — мертвая зона / — ионы 15 —к вакуумному насосу 16 — область ускорения 17 — электронная ловушка 18 — экранирующая пластина. [c.230]

В гетерогенном катализе и явлениях люминесценции наличие электронных дефектов и посторонних атомов также играет очень большую роль. В случае катализа отклонения от стехиометрии приводят к появлению акцепторных или донорных уровней, в результате чего электрон легко передвигается к адсорбированным веществам или от них. Эти свойства, как мы уже упоминали, можно изменить введением посторонних ионов. Появление ионных дефектов на поверхности или вблизи нее также имеет некоторое значение в каталитических процессах. Эти и сходные явления рассмотрены в гл. 15. При люминесценции (см. гл. 3) локализованные электронные ловушки, возникающие при замещении атомов основной решетки примесными атомами, оказывают существенное влияние на характеристики свечения фосфоров. [c.78]

И притягивают промежуточные металлические ионы с образованием в этих местах новых зародышей. Так как = то стабильный зародыш образуется при наличии в электронной ловушке двух электронов и одного междуузельного иона. Томас и Томпкинс [13] продолжили изучение фоторазложения азида бария и видоизменили теорию Мотта, предложив следующий механизм образования зародышей образующиеся -центры взаимодействуют с вакансиями и, приобретая при этом подвижность, агрегируются с образованием двойных / -центров или зародышей (см. гл. 3). [c.311]

Окрашивание, которое наблюдается при облучении кристаллов, стекол и других веществ, основано на фиксации электронов в электронных ловушках (так называемые -центры). Такие захваченные электроны могут освободиться при нагревании и снова вернуться в основное состояние с сопутствующей этому процессу эмиссией света (термолюминесценция). Предпринимаются попытки использовать и этот эффект для измерения дозы. Принципиальный недостаток такой системы заключается в том, что измерение дозы можно производить только после облучения. Кроме того, абсолютная величина термолюминесценции невелика (по сравнению с поглощенной энергией) и очень сильно зависит от химических примесей, так что едва ли возможно создание надежного прибора для измерения излучения на основе этого эффекта. [c.165]

Каждое твердое тело, включая хорошо образованный кристалл, содержит в своей структуре определенные нарушения, обусловленные наличием постороннего атома, отсутствием одного из атомов решетки, смещением одного из атомов в межатомные промежутки или наличием других нерегулярностей. Такие нарушения не ограничиваются местами расположения атомов, но обусловливают также деформации, распространяющиеся на другие области. Они могут быть достигнуты искусственно, например путем механического изменения формы тела при повышении температуры нарушения частично устраняются. Электронные уровни в местах нарушений решетки имеют совершенно иное расположение, и полосы проводимости здесь прерываются. Электрон, переведенный при поглощении энергии излучения в зону проводимости, может или снова перейти в основное состояние с испусканием кванта флуоресцентного излучения, или задержаться долгое время на одном из нижележащих свободных возбужденных уровней (в так называемой электронной ловушке). Затем он может при подводе внешней энергии (например, при повышении температуры) снова перейти в зону проводимости и оттуда (с испусканием кванта. — Ред.) в основное состояние (термолюминесценция). Возможно также, что он задержится в ловушке, как /- -центр, неопределенно долгое время (особенно при низких температурах) и будет обусловливать поглощение света. [c.215]

В цеолите СаА после адсорбции окиси азота образуется электронный парамагнитный центр, чего не наблюдается в цеолите NaA и в силикагелях. Отсюда следует, что в СаА электронные ловушки более глубокие, чем в NaA, и расположены примерно на 5 эв ниже дна зоны проводимости. [c.418]

Продолжительное облучение создает в изоляторах новые электронные ловушки, что полезно, поскольку уменьшается индуцируемая проводимость [С99]. При еще более высоких уровнях дозы окислительные эффекты на поверхности создают гидрофильные группы, увеличивающие проводимость вследствие адсорбции влаги [Е7]. Диэлектрический пробой происходит только при очень высоких дозах (табл. 72), за время подачи которых серьезно изменяются физические свойства многих материалов. [c.323]

По-видимому, эти глубокие электронные ловушки, возникающие в процессе радиолиза предельных углеводородов, представляют собой стабилизированные алкильные радикалы. В частности, с высказанным ранее [4] предположением о стабилизации электронов на радикалах хорошо согласуются следующие экспериментальные данные настоящей работы [c.165]

Счетчики Гейгера обычно содержат небольшое количество такого газа, который может действовать в качестве электронной ловушки . Когда положительные ионы в конце концов достигают катода, этот газ препятствует освобождению из катода вторичных электронов или фотонов, которые могли бы возбудить нежелательные импульсы. Добавка таких гасящих газов [c.67]

Кинетическая обработка методом стационарных концентраций для термализованного электрона, участвующего в реакциях (16), (18) и (19), а также в реакции захвата термализованного электрона ловушками матрицы [47, 48], приводит к выражениям вида, например, для кислых растворов перхлората натрия [c.178]

Допустим, что имеется один тип ловушек, обменивающихся электронами только с зоной проводимости. В таком случае концентрация электронов в зоне проводимости при затухании определяется уже не только рекомбинацией, т. е. уравнением (1.11), но и захватом. На основании тех же соображений, какие привели к уравнениям (1.11) и (1.19), можно принять что число актов захвата электрона ловушкой в единицу времени определяется произведением ази Уз—Пз)п, где Оз —эффективное сечение захвата, зависящее от природы центра Vз — общая концентрация ловушек Пэ—концентрация захваченных электронов. С другой стороны число актов освобождения электронов из ловушек, протекающего как мономоле-кулярный процесс, равно шпз. Поэтому можно записать следующее выражение для скорости изменения числа захва- [c.22]

Перенос электронов происходит между центрами, фпкспро-ванными в мембране тилакоида. Эти центры можно рассматривать как достаточно глубокие электронные ловушки. Можно представить центр потенциальной ямой и рассматривать уровни, которые занимает перемещаемый электрон. Решается задача о переносе электрона между двумя соседними компонентами цепи, т. е. между основными уровнями потенциальных ям, ра.зде-ленных барьером ( 13.4). При этом в фотосинтетическоп системе реализуются электронно-конформационные взаимодействия, к рассмотрению которых уместно подойти с помощью модели потенциальной ямы (см. 6.6). После переноса электрона молекула акцептора оказывается в неравновесной конформации, медленно релаксирующей к равновесию. Это создает возможность сбалансированного резонанса и туннельного эффекта. Строгая количественная теория, однако, еще не построена. [c.462]

Большие и важные группы соединений, которые могут существовать только в кристаллическом состоянии, включают комплексные галогениды и оксиды, кислые и основные солн и гидраты. В частности, один из важных результатов изучения кристаллических структур состоит в признании того, что не-стехиометрические соединения не являются редкостью, как это некогда полагали. В самых общих чертах нестехиометрическое соединение можно определить как твердую фазу, которая устойчива в определенной области (по составу). С одной стороны, это определение охватывает все случаи изоморфного замещения и все виды твердых растворов, включая такие, состав которых покрывает всю область от одного чистого компонента до другого. В качестве другого предельного случая можно указать на фосфоры (люминесцентные ZnS или ZnS—Си), которые обязаны своими свойствами неправильному размещению и (или) внедрению примесных атомов, действующих как электронные ловушки , а также окрашенные галогениды (щелочных и щелочноземельных металлов), в которых отдельные положения гало-генндных ионов заняты электронами (F-центры) эти дефекты присутствуют в очень малой концентрации, часто в пределах от 10 до 10 . Для химика-неорганика больший интерес представляет тот факт, что многим простым бинарным соединениям свойственны диапазоны составов, зависящие от температуры и способа приготовления. Нестехиометрия подразумевает структурную неупорядоченность, а часто и присутствие того или иного элемента более чем в одном валентном состоянии она может приводить к возникновению иолупроводимости и каталитической активности. Примеры нестехиометрических бинарных соединений включают много оксидов и сульфидов, часть гидридов и промежуточные твердые растворы внедрения атомов С и N в металлы. Более сложными примерами могут служить различные комплексные оксиды со слоистыми и каркасными структурами, такие, как бронзы (разд. 13.8). Существование зеленого [c.14]

Одной из разновидностей квадрупольного масс-анализатора является ионная ловушка , назьшаемая иногда пространствешаш квадруполем. Особенностью ее является совмещение области ионизации и анализа. После ионизации (электронным ударом) определяемых молекул образующиеся ионы, имеющие значение т/г больше некоторого заданного, удерживаются в электронной ловушке полем квадруполя (рис. 12.4). Это поле формируется за счет приложения радиочасточного напряжения ( и СОЗ а)/) между кольцевым и торцевыми электродами. При увеличении амплитуды радиочастотного поля II щ)опорциовально растет нижняя граница интервала т/г ионов, которые удерживаются в ловушке. Поэтому рост и приводит к тому, что ионы в порядке увеличения их т/г быстро [c.368]

В качестве светосоставов применяют сернистые соединения металлов второй группы (Са, Ва, 8г, 2п, С(1) В абсолютно чистом виде этн вещества свет не излучают Для того чтобы они приобрели способность светиться, к иим добавляют очень малое количество металла-активатора (В1, Си, Мп, Ад) Количество металла-активатора колеблется от 0,05% (для меди) до 0,2% (для марганца) Металл-активатор внедряется при прокаливании в кристаллическую решетку основы и располагается в междуузлиях При облучении такого состава светом атомы металла-активатора ведут себя как электронные ловушки , поглощая световые фотоны и переходя в возбужденное состояние Последующий возврат в основное состояние сопровождается излучением световой энергии Светосоставы описанного типа обладают определенной продолжительностью свечения после прекращения возбуждения Такие светосоставы называются светосоставами временного действия [c.351]

Дефекты по Шоттки и по Френкелю сами по себе не имеют большого значения, но они показывают, какие другие эффекты возможны в кристаллах. Так, например, если нагревать некоторые сульфиды металлов со следами металлов, часть посторонних атомов металла может включаться в решетку сульфида и занимать положения в промежутках. Эти дополнительные атомы, находясь в изолированных положениях, создают электронные ловушки. Когда такой кристалл поглощает свет, электроны переходят на более высокие энергетические уровни в этих атомах и могут затем возвращаться, возможно с заметной задержкой, на первоначальные или другие уровни. В последнем случае реэмиттированный свет будет иметь другую длину волны. В этом и состоят явления флуоресценции пли фосфоресценции. [c.260]

Основная научная область работ — молекулярная биология. Подтвердил гипотезу Ф. X. К,. Крика и Дж. Д. Уотсона о том, что молекулы ДНК представляют собой двойную спираль, Данные были получены нм методом рентгеноструктурного анализа (облучал рентгеновскими лучами волокна из ДНК, сформованные из вязкого раствора этого соединения). Разработал теорию фото- и термолю-минесцеиции (теория электронной ловушки). Занимается также биофизикой нервной системы. [c.501]

Каков бы ни был детальный механизм этого процесса, сущность его, по-видимому, состоит в том, что из определенного количества серебра образуются группы атомов металла большего размера, чем те, которые первоначально присутствовали на поверхности. Одновременно соответствующее количество брома реагирует с эквивалентным количеством одного из химических сенсибилизаторов, образуя с ним устойчивые соединения, которые не действуют на группы атомов серебра. Агрегация происходит в две стадии, причем в первой образуются неустойчивые группы атомов, которые во второй стадии становятся устойчивыми. После определенной экспозиции все количество атомарно- или молекулярнодисперсного сенсибилизатора прореагирует с бромом. При более продолжительной экспозиции выделившийся на поверхности бром, по-видимому разрушает агрегаты серебра, образующие поверхностное скрытое изображение, превращая их в бромид серебра. В то же время по границам субструктуры, в непосредственной близости от поверхности, выделяется эквивалентное количество серебра, которое образует внутреннее скрытое изображение точно так же, как в химически не сенсибилизированных микрокристаллах [24]. Освещение нанесенных на стеклянные пластинки и высушенных фотографических эмульсий, приводящее к образованию проявляемого поверхностного скрытого изображения, сопровождается фототоком [88]. Сенсибилизация эмульсий сернистыми соединениями уменьшает эти токи. Это показывает, что сенсибилизация такого типа может создавать электронные ловушки, как это требуется теорией Герни — Мотта. Однако не известно, переносится ли часть фототока при комнатной температуре положительными дырками. Если бы это подтвердилось, то улавливание положительных дырок продуктами сенсибилизации равным образом уменьшало бы наблюдаемые фототоки. [c.435]

Е — энергия L — центр люминесценции М — метастабильный уровень (электронная ловушка) Л — поглощение — флуоресценция — медленная флуоресценция Р — фосфорес-дёнция —занятая валентная зона 2—запрещенная зона 3 —свободная зона проводимости. [c.98]

Природа люминесценции фотопроводников объясняется при помощи модели электронных энергетических зон (ср. рис. 2.34). Согласно этой модели, электроны делокализованы в. кристаллической решетке. Атомы активаторов и дефекты решетки образуют локализованные энергетические уровни (центры люминесценции L и ловушки электронов М) в запрещенной зоне. Например, в результате поглощения энергии активации электрон переносится из валентной зоны кристалла в зону проводимости затем он может либо испустить квант излучения флуоресценции и. возвратиться в осноБное состояние, либо оказаться захваченным электронной ловушкой М. При поглощении тепловой энергии электрон повтор- [c.98]

Очевидно, что в результате разложения появляются донорные уровни, обусловленные присутствием коллоидных центров. В быстроохлажденных образцах электронные ловушки нарушают равенство между п — числом электронов проводимости ш Ng — числом незаполненных донорных уровней. Таким образом, в хорошо отожженных образцах Ng = п, так что при измерении получают Е/2, между тем как для быстроохлажденных образцов а поэтому измерение дает Е. Ввиду этого было высказано предварительное предположение, что донорные уровни, обусловленные наличием коллоидных центров, в низкотемпературной модификации лежат на 0,78 эв (термическая энергия), а в высокотемпературной модификации — на 0,56 эв ниже зоны проводимости. Первая из этих величин удовлетворительно совпадает с термическим эквивалентом (0,8 эв) оптической энергии фотопроводимости. [c.183]

Как уже кратко упоминалось во введении, измерение дозы всегда основывается на каком-либо воздействии энергии излучения на соответствующую измерительную систему. Поэтому, кроме ионизационных измерений, определения радиационнохимических выходов и измерений выделяемого при поглощении излучения тепла, могут быть использованы для измерений дозы также и другие эффекты, например флуоресценция, или окрашивание твердых веществ (например, стекла или кристаллических тел), или же какое-либо изменение механических свойств. Два последних эффекта могли бы найти применение для измерения очень высоких интенсивностей излучения, но, к сожалению, они очень сильно зависят от целого ряда факторов (например, от примесей) и частично обратимы. Несмотря на трудности, за последнее время в этом направлении были предприняты многочисленные эксперименты. Так, например, на рис. 3. 36 показаны результаты опытов по исследованию зависимости величины оптической плотности потемнения стекла от дозы рентгеновых лучей. Величина оптической плотности потемнения стремится при высоких дозах к предельному значению, которое, очевидно, достигается тогда, когда все электронные ловушки системы заполняются электронами, освобождаемыми при воздействии излучения. Используя линейную часть кривой зависимости плотности потемнения от величины дозы, можно было бы в принципе производить оценку величины доз. [c.163]

Из ряда экспериментов следует, что образование всех кристаллических соединений с электропроводностью, большей чем у маточного графита, сопровождается, как правило, снижением заметного диамагнетизма графита. Соответствующее снижение найдено для соединения графита с калием [629]. В общем это изменение магнитных свойств можно объяснить тем, что электронные акцепторы опустошают верхнюю часть почти заполненной я-зоны, а электронные доноры наполняют самую нижнюю часть почти пустой зоны проводимости. Для количественной интерпретации явления необходимы более точные теории магнетизма маточного графита. Понижение значительного диамагнетизма маточного графита при образовании остаточных соединений наблюдалось во многих случаях [518]. Этот эффект можно объяснить переходом электронов из заполненной зоны графита в электронные ловушкй, которыми являются дефекты. Однако детальное обсуждение механизма изменения магнитной восприимчивости предстаЙ-ляется преждевременным из-за неопределенностей в интерпретации природы связи в остаточных соединениях. [c.181]

Анализ фосфорорганических соединений. Силиконовые масла и высоковакуумные смазки широко применяются в газовой хроматографии в качестве стационарного слоя, а крупнозернистый кизельгур (хромосорб) в качестве носителя. Использование газовой хроматографии для разделения и определения фосфорорганических соединений привело к некоторым интересным достижениям в области детекторов. Из числа обычно применяемых детекторов для регистрации фосфорорганических соединений пригодными оказались детекторы, измеряющие теплопроводность lez-ies ц пламенноионизационные детекторы Особое значение для весьма чувствительного обнаружения соединений, обладающих большим сродством к электронам, к которым относятся также различные токсичные фосфорорганические и хлорсодержащие инсектициды и гербициды, имеет модификация лучевого ионизационного детектора, так называемого электронного накопителя или электронной ловушки (электроннозахватного детектора) [c.213]

В процессах гетерогенного катализа важную роль играют дефекты в структуре твердых катализаторов — нестехиомет-рические атомы вакантных узлов решетки, электронные ловушки и т. п., являющиеся местами активированной адсорбции и центрами сгущения свободной поверхностной энергии. Каталитическая активность твердых тел находится в прямой связи с количеством таких дефектов на их поверхности. [c.143]

Исследование кинетики накопления захваченных электронов при низкотемпературном радиолизе с учетом конкуренции процессов захвата термализованных электронов ловушками (Т) и акцептором (А) приводит к следующему уравнению, связывающему выход G электронов еГахв в присутствии акцептора с его концентрацией [c.64]

При изучении электронного механизма каталитических реакций оказа-Л0С1, плодотворным исследование не только каталитического действия металлов и полупроводников с известным распределением электронных состояний, но и изменения этого распределения под действием света во время катализа. Весьма подходящим для этой цели является биохимический метод Варберга— Баркрофта. Удалось полуколичественно показать, что промотирование электронов усиливает акцепторные реакции, что электронные ловушки препят-ствук1т такому влиянию и что полупроводники п- и р-типа ведут себя противоположным образом, когда они используются в качестве фотокатализаторов. Концепция перехода электронов была подтверждена при изучении акцепторных реакций, катализируемых ферритами. [c.264]

Смотреть страницы где упоминается термин Электронная ловушка: [c.238] [c.127] [c.5] [c.140] [c.226] [c.229] [c.532] [c.475] [c.310] [c.338] [c.414] [c.415] [c.415] [c.432] [c.46] [c.338] [c.117] [c.61] [c.70] [c.125] [c.451]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология