Дефекты, влияние

Скорость диффузии реагентов в защитных пленках зависит от концентрации в них дефектов. Влияние давления окислительного газа на концентрацию дефектов также сказывается на скорости диффузии реагентов. [c.130]

Экспериментально установлено, что обычно равна половине Лв и что о на несколько порядков меньше а . Кроме того, установлено, что низкотемпературная проводимость обусловлена замораживанием дефектов, влиянием границ зерен и присутствием ионов, имеющих валентность, отличную от валентности ионов растворителя. [c.284]

Тип дефекта Влияние на прочность ПКМ [c.757]

Чаще всего при исследовании электронной структуры хемосорбционных комплексов прибегают к кластерным моделям. Их применение позволяет использовать для расчетов весь арсенал средств квантовой химии и решать самые разнообразные по физическому содержанию задачи. Изучались потенциальные поверхности процесса адсорбции, хемосорбция на разных гранях, роль дефектов, влияние степени заполнения и размеров кластера, участие различных АО в образовании связей, корреляции между ИК-спектрами и порядками связей и др. В табл. III.2 приведены типы кластеров и указано, с помощью какого из квантовохимических методов проводились некоторые расчеты. [c.63]

Э. и. Адирович [107] рассмотрел поведение электронов в области дефектов структуры ионного кристалла, представляющих собой вакантные анионные узлы (модель Р-центра). В этой модели дефекта Э. И. Адирович заменяет ближайшие к пустому узлу положительные и отрицательные ионы сферическим электрическим двойным слоем, способным осциллировать вблизи некоторого равновесного радиуса. На основе такой модели были рассмотрены энергетические состояния электрона в области дефекта, влияние движения соседних с дефектом структуры ионов на эти состояния, безызлучательные переходы электрона в области дефекта. Модель позволяет качественно выяснить ряд важных вопросов взаимодействия электрона с решеткой. [c.46]

Как видно из рис. 36, Гц заметно падает с увеличением диаметра дефектов. Нри больших диаметрах дефектов влиянием толщины можно пренебречь, при малых диаметрах — последняя оказывает сильное влияние. [c.103]

Гипотеза об уровнях прочности стекловолокон объясняет и слабое влияние на их прочность химического состава, которое нивелируется более сильной зависимостью прочности от дефектности волокна. У волокон, не имеющих объемных дефектов, влияние химического состава становится весьма ощутимым. [c.20]

Исследуемая система является хорошим объектом для изучения химической связи, роли и природы дефектов, влияния ближнего и дальнего порядков и других характеристик связи атомов в кристалле благодаря наличию мессбауэровских атомов в катионной и анионной подрешетках матрицы и значительной концентрации структурных дефектов. [c.106]

Кристаллизацию из растворов в расплавленной соли или в жидком растворителе (в нормальных или надкритических условиях) используют для веществ с незначительным давлением пара и с высокой точкой плавления. Кроме того, метод кристаллизации из растворов может быть принят и по другим причинам. Например, при выращивании из обычного раствора или из раствора в расплаве температура кристаллизации понижается. В связи с этим в процессе синтеза уменьшаются давление пара и концентрация собственных дефектов. Влияние давления оказывается существенным при кристаллизации веществ, склонных к разложению или испарению, например при синтезе [c.59]

В исследовательском плане разработка висмутсодержащих ВТСП ведется по различным направлениям [3, 11]. Среди них синтез материалов с улучшенными технологическими свойствами при воздействии полей, ионизирующей радиации, повышенного давления кислорода. Кроме того, выяснение роли примесей, особенно с учетом того, что межзеренные эффекты являются определяющими для уровня критических токов, устойчивости к дефадации, распределению двойников. Влияние примесей на сверхпроводимость не вызывает сомнений, потому и необходимо каждый раз выяснять общее содержание примесей, тип активно влияющих на сверхпроводимость и индифферентных примесей, распределение примесей по границам зерен и тип их вхождения в структуру сверхпроводника путем замещения или внедрения, взаимодействие примесей с кислородом и анионными дефектами, влияние примесей на упорядочение или нарушение порядка в расположении дефектов с учетом дырочного характера проводимости, влияние дисперсности частиц на сверхпроводимость. [c.239]

При пластической деформации кристаллов, образованных жесткоцепными макромолекулами, и кристаллов низкомолекулярных соединений изменяются главным образом их форма, площадь и структура их поверхности, а также концентрация дефектов. Влияние изменения их формы и поверхности может быть оценено, если известны площадь поверхности и соответствующие свободные энергии. Как показано в разд. 4.4, образование и перемещение дефектов - это два явления, позволяющие понять механизм деформации. Однако трудно количественно описать свойства деф<зктов в смысле влияния их на устойчивост макроскопического кристалла. Кроме того, в ряде случаев при пластической деформации кристалла возможен переход его в метастабиль-ное состояние, который приводит к большему уменьшению напряжения, чем образование и перемещение дефектов. Это краткое перечисление возможных изменений, происходящих при деформации, уже достаточно ясно показывает, что описание метастабильного деформированного кристалла — сложная задача. При приближении к температуре плавлени многие метастабильные состояния становятся неустойчивыми, что дополнительно затрудняет описание необратимого плавления. [c.266]

Совокупность упрощенных решений обобщенной системы уравнений будет содержать и все решения, найденные в предыдущем разделе для чистого кристалла. Прежде всего, это очевидно для исчезающе малых концентраций примеси. Так, если концентрация примеси мала по сравнению с одной из констант собственного разупорядочения ионных кристаллов Кз, Кр или Кар (обладающих соответственно дефектами Шоттки, Френкеля или антифренкелевскими дефектами), влияние примеси несущественно и концентрации доминирующих дефектов во всем интервале давлений неметалла определяются решениями I—III, полученными в предыдущем разделе. Аналогично, в случае полупроводника реализуются решения I—III, приведенные в разделе 4.4, если концентрация примеси мала по сравнению с константой собственной ионизации К1. [c.160]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология