Параметр кристаллической решетки

Рис. 86. Зависимость параметра кристаллической решетки (с), высоты ОКР ( с), показателя текстуры (л), плотности микротвердости и динамического модуля упругости ( ), измеренного параллельно плоскости осаждения, от температуры обработки осажденного при 2100 °С пирографита

Параметры кристаллической решетки, пм [c.398]

Как упоминалось выше, величина поверхностной энергии на гранях зависит от кристаллической системы и параметров кристаллической решетки. Согласно имеющимся расчетам для кристаллов кубической системы наименьшей [c.94]

Но 1/As — объем, занимаемый одной молекулой растворителя,— можно приравнять величине у лв. где Y фактор, определяемый из параметров кристаллической решетки. Подставляя это выражение в уравнение (XV.2.2), можно получить для частоты соударений частиц АиВ [c.426]

Скорость диффузии различна в упорядоченной и неупорядоченной фазах раствора экспериментальные данные свидетельствуют о заметном росте значений Dim в области высоких концентраций водорода [8]. Ранее отмечалось, что образование упорядоченной фазы раствора внедрения сопровождается сильным деформационным взаимодействием в матрице, приводящим к заметному увеличению параметров кристаллической решетки, что эквивалентно росту доли свободного объема при пластификации аморфной матрицы полимерной мембраны. Эти явления также приводят к увеличению скорости диффузии и растворимости. При температурах, меньших критических, процесс диффузии по существу происходит в гетерофазной системе, состоящей из зон упорядоченной и неупорядоченной фаз с различными диффузионными характеристиками. В этой области эффективный коэффициент диффузии будет зависеть от субструктуры кристаллической матрицы мембраны, по аналогии с гетерофазными полимерными матрицами [см. уравнения (3.44) и (3.45)]. [c.117]

Рентгенографический метод, в частности, микроанализ с помощью электронного зонда пригоден для исследования продуктов, образующих пленку на металлах определения размеров и ориентации кристаллов, а также измерения параметров кристаллической решетки. [c.436]

Можно пользоваться и таким показателем, как теплота сублимации металла (Я ), поскольку, с одной стороны, она связана с такими характеристиками металла, как незаполненность -электронных уровней и параметры кристаллической решетки, а с другой стороны пропорциональна величине д. [c.134]

Как показали исследования при совместном разряде ионов никеля и водорода на катоде образуется твердый раствор водорода в никеле, что сопровождается незначительным увеличением параметров кристаллической решетки металла (гл. I, 4), причем свойства твердого раствора заметно отличаются от свойств чистого никеля, не содержащего водорода или насыщенного им путем электролитического выделения водорода на никелевом катоде. [c.293]

Дж/моль. 2.6. 26,9 с . 3.1. 3.2. Общим кислотным и основным катализом называется катализ, который вызывается не водородными и гидроксильными ионами, а другими веществами — донорами и акцепторами протонов. 3.3. Принцип структурного (геометрического) соответствия предусматривает такое пространственное расположение атомов в реагирующих молекулах и атомов катализатора на его поверхности, которое обеспечивает соразмерное наложение реагирующих атомов молекулы (индексной группы) с сохранением валентных углов на определенную группу атомов катализатора (мультиплет). Этот принцип дает возможность подбора оптимального катализатора, исходя из соответствия геометрических параметров реагирующих молекул параметрам кристаллической решетки катализатора. 3.4. Для осуществления стационарного состояния на границе диффузионного потока необходимо каким-либо способом поддерживать постоянную во времени концентрацию [c.114]

Аустенит представляет собой фазу внедрения атомов углерода между атомами железа в гранецентрированной кубической решетке 7-железа (рис. 32,1). Но в связи с большим значением параметра кристаллической решетки 7-железа, чем у его остальных модификаций, углерода содержится значительно больше (до 2,14% (масс.)). Атомы углерода располагаются в центре куба и посередине ребер элементарной ячейки. [c.618]

Длина волны рентгеновских лучей того же порядка, что и расстояние между атомами и ионами в молекулах или кристаллах 0,1 нм). Поэтому кристалл ведет себя по отношению к рентгеновскому лучу как дифракционная решетка. Рентгеноструктурный метод исследования основан на том, что рентгеновские лучи, проходя через кристалл, отклоняются или отражаются вполне закономерным образом в зависимости от параметров кристаллической решетки. Помещая на их пути фотопленку, получают рентгенограмму кристалла в виде точечных пятен для упорядоченных структур или в виде тонких дуг для волокнистых и порошкообразных структур. [c.395]

Примечание. Параметры кристаллической решетки, плотность, энтальпия, температура плавления даны для стехиометрических или близких к ним составов области гомогенности указаны максимальные, независимо от температуры. [c.233]

Закономерное изменение параметров кристаллической решетки в рядах простых веществ С-РЬ и изоэлектронных им соединений элементов под- [c.390]

Уравнение (IV. ) при известном валентном угле О (0 = 109°) и известных величинах Ь и с позволяет рассчитать оптимальный для адсорбции и активации этилена параметр кристаллической решетки катализатора, который оказался равным 2,74-10 см. [c.78]

В органическом катализе активность катализатора во многих случаях определяется не только свободной энергией, но и структурным соответствием, и вполне возможно, что катализатор с меньшим пересыщением, но с более подходящими параметрами кристаллической решетки окажется более активным. Исходя из принципа энергетического соответствия необходимо ожидать определенного оптимума по пересыщению. Чем выше свободная энергия поверхности, тем прочнее связываются с ней реагирующие вещества, что должно изменить лимитирующую стадию процесса. [c.138]

Существует весьма тесная связь между структурой и внутренними напряжениями в электролитических осадках. Многие электролитические осадки характеризуются наличием значительных внутренних напряжений, которые могут быть вызваны различными причинами искажением параметров кристаллической решетки или изменением расстояний между кристаллами осадка в процессе осаждения, укрупнением кристаллов осадка вследствие слияния мелких кристаллов и другими. Для большинства металлов наблюдаются внутренние напряжения растяжения, а для некоторых — напряжения сжатия. Так, при электроосаждении хрома, никеля, кобальта, железа, палладия и меди возникают преимущественно напряжения растяжения, тогда как при осаждении цинка, кадмия и свинца — внутренние напряжения сжатия. [c.139]

Грубой моделью кристалло-аморфного полимера является суперсетка, узлы которой образованы кристаллитами, играющими роль зажимов , а деформационные свойства обусловлены аморфными сочленяющими участками, состоящими из проходных цепей. Доля этих цепей (в расчете на число цепей в единичном сечении кристаллита) редко превышает 30%, а из этих 30% примерно лишь десятая часть непосредственно реагирует на нагрузку. Именно по этой причине (малая доля держащих нагрузку цепей) реальная прочность кристаллизующихся полимеров обычно составляет несколько процентов от теоретической (которую нетрудно рассчитать, зная параметры кристаллической решетки [16, с. 8 25, гл. I 31, с.451—477]). [c.44]

Анализ строения жидкостей с помощью уравнений (V. 3) и (V. 5) опирается, в сущности, на тот же подход к рещению проблемы, что и рентгенография кристаллов или электронография молекул. Во всех этих методах подбираются такие характеристики структуры (тип и параметры кристаллической решетки, валентные углы и межъядерные расстояния в молекулах, углы, определяющие взаимную ориентацию молекул в ассоциатах и комплексах), которые позволяют наиболее полно и корректно описать результаты систематических экспериментальных исследований. [c.110]

Физические и химические свойства железа. Соединения железа. Температура плавления железа равна 1539 5 °С. Железо образует четыре кристаллические модификации а-, 0-, у- и -железо, а-, 0- и -железо имеют кубическую объемноцентрированную решетку с увеличивающимся расстоянием между ближайшими атомами железа ребра куба — элементарной ячейки от 286 пм через 290 пм до 293 пм, соответственно. Кубическую гранецентриро-ванную решетку имеет 7-железо. Параметр кристаллической решетки 7-железа больше, чем параметры остальных модификаций, — 356 пм. [c.523]

Большое число исследований, посвященных изучению окисных пленок на металлах, было проведено с использованием рентгено- и электронографических методов. В результате не только еще раз было подтверждено существование этих пленок, но и получены данные об их кристаллическом или аморфном строении и даже о параметрах кристаллической решетки окисла. [c.432]

Закономерное изменение параметров кристаллической решетки в рядах простых веществ С — РЬ и изоэлектронных им соединений подгруппы IIIA приводит к справедливому в пределах каждого период. приблилсенному равенству [c.387]

Рентгеновская высокотемпературная установка УРВТ-1300 предназначена для исследования методом Дебая поликристаллических образцов в интервале температур от комнатной до 1300°С в вакууме и до 1100°С в воздухе или атмосфере инертного газа. С помощью установки УРВТ-1300 можно изучать высокотемпературные фазовые переходы, измерять параметры кристаллической решетки и коэффициент термического расширения и др. Нагревание образца в установке осуществляется электрической печью сопротивления. [c.104]

Рентгеновская высокотемпературная приставка УРВТ-1500 используется для исследования фазовых переходов, определения параметров кристаллической решетки, коэффициента термического расширения и т. д. различных материалов на дифрактометрах УРС-50-ИМ и ДРОН-1 при температурах до 1500°С в вакууме и до 1200°С в воздухе или атмосфере инертного газа. Нагрев образца осуществляется электрической печью сопротивления. Приставка снабжена системой автоматического поддерживания температуры и ее измерения (точность поддерживания температуры 3°С, точность измерения 5°С). [c.104]

На рис. 5.10 приведена проекция распределения электронной плотности для кристалла / А5б2. Эти данные получены при рентгеноструктурном анализе молекулярного кристалла указанного соединения. Из рисунка четко видна локализация атомов сурьмы относительно атома родия, что позволяет с большой точностью определить параметры кристаллической решетки этого соединения. с ш [c.121]

Из (VIII.4) видно, что рентгеновский метод позволяет определять КТР кристаллов непосредственно по температурной зависимости дифракционного угла без предварительного вычисления межплоскостных расстояний или параметров кристаллической решетки для каждой из температур Т. [c.154]

Метафосфаты (МеРОз) -НзО — белые волокнистые кристаллические вещества моноклинной сингонии плотность при 20° соответственно 3,30 и 3,78 г/см [59, 60]. Параметры кристаллической решетки [60] соединение рубидия — а = 12,12 б = 4,23 с = 6,48 А Р = 85° соединение цезия — а = 12,71 Ь = 4,32, с == 6,83 А 3 = 83°. При нагревании метафосфаты рубидия и цезия полимеризуются, образуя кольцевые структуры. В отличие от (ЫаРОз),, и (КРОз) метафосфаты рубидия и цезия растворимы в воде [10]. [c.92]

Структура Мп описывается пространственной группой Т%—С/АЗт. При2°С параметр кристаллической решетки равен 8,912 А. В интервале температур от 742 до 1095 °С устойчива р-модификация марганца со сложной кубической структурой, описываемой пространственной группой (9 — Р4дЗ. В элементарной ячейке насчитывается 20 атомов, размещающихся в двух структурно-неэквивалентных положениях. Параметр кристаллической решетки при 20 °С равен 6,3145 А. Выше 1095° и до 1134 °С устойчива у-модификация марганца с ГЦК структурой, а выше 1134° существует б-модификация с ОЦК структурой. Отметим, что с помощью резкой закалки можно зафиксировать только р-модификацию марганца нри комнатной температуре. [c.163]

Так как параметр кристаллической решетки (а) и п./ютиость (р) убывают с уменынением содержания железа в оксиде, то на основе этого можно сделать вывод о преобладающей роли дефектов но железу. [c.97]

В развитии обоих проблем фундаментальное значение приобретает коллоидная химия в тех ее современных формах, которые сложились в значительной степени под влиянием потребностей физико-химической механики и соответствующих областей практики — строительного дела, керамики и металлокерамики, технологии тонкого измельчения, грунто- и почвоведения. Большое значение коллоидной химии (учения о дисперсных системах и поверхностных явлениях) в развитии физико-химической механики связано с двумя обстоятельствами. Прежде всего все реальные твердые тела, включая и отдельные кристаллы, обладают своеобразной коллоидной структурой в виде сетки дефектов — ультрамикротрещин, статистически распределенных на среднем расстоянии (0,01 до 0,1 мк) друг от друга, т. е. на расстоянии сотни атомных размеров (параметров кристаллической решетки). [c.210]

Чтобы оценить предельное напряжение, которое полимер может выдержать, не разрушаясь, рассчитывают теоретическую прочность, Наиболее просто это сделать для кристаллического телг с известными параметрами кристаллической решетки и известной энергией связей в решетке. Например, чтобы определить теоретическую прочность кристалла поваренной соли, умножим энергию ионных связей в кристаллической решетке Ыа+С - па число таких связей в единице поперечного сечения образца, рассчитаем работу разрушения кристалла, а затем и напряжение, необходимое для осуществления этой работы. Для кристалла ЫаС1 получим значение напряжения около 2000 МПа. Для определения реальной прочности следует испытать экспериментально специально приготов- [c.194]

Фториды Мер характеризуются следующими параметрами кристаллической решетки а) при 20° [10, 29] 5,63 A (RbF) и 6,01 A ( sF). Плотность при той же температуре 2,88 и 3,59 г/см [10, 29] соответственно, температура плавления 790 и 694° [90, 91], температура кипения 1408 и 125Г [10, 91], теплота образования ДЯ°298 = —131,3 и —126,9 ккал/моль [56, 92], теплота плавления 6,15 и 5,19 ккал/моль [10, 56]. До 800—900° MeF достаточно устойчивы, выше заметно возгоняются в парообразном состоянии молекулы их частично димеризу-ются. [c.100]

Хлориды Me I имеют следующие параметры кристаллической решетки (а) при 20° [10, 29] [c.101]

Изменение рентгеновских структурных характеристик параметра кристаллической решетки (с) высоты ОКР ( с) показателя текстуры (п) иллюстрирует рис. 86. Видно плавное снижение с температурой обработки параметра с и рост ( с). В то же Время п растет до определенного предела, а при термообработке выше 3100 К он снижается. Можно предположить, что такоё ухудшение текстуры происходит вследствие перегруппировки атомов внутри материала, появления в нем микротрещин, уменьшения его плотности. [c.219]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология