Коэффициент выпрямления

Если знак V отличен от знака ф, т. е. если полупроводник заряжается отрицательно относительно металла, то толщина заряда слоя X уменьшается. Таким образом, сопротивление запорного слоя существенно зависит от направления тока. Коэффициент выпрямления (отношение пропускного тока к запорному) может достичь сотен и даже многих тысяч. [c.521]

Из уравнения (43.4) следует, что при изменении полярности в первый момент будут наблюдаться увеличенные значения токов как прямого, так и обратного направлений. С ростом частоты соотношение средних значений токов прямого и обратного направлений уменьшается, а коэффициент выпрямления падает. Это связано с тем, что в первом полупериоде вблизи поверхности электрода накапливается продукт реакции, а во втором полупериоде он расходуется. При высокой частоте продукт реакции не успевает уходить в раствор, его концентрация у поверхности возрастает, поэтому возрастает и ток обратного [c.218]

Изучавшиеся р—п-переходы были получены путем наращивания на полупроводниковый синтетический алмаз одного типа проводимости алмазного слоя противоположного типа проводимости. Полупроводниковые слои толщиной (0,1—0,2) 10 м обладали сопротивлением 10 —10 Ом-м в случае легирования Аз и 10 — 10 Ом-м при введении в шихту бора. Установлено, что р—п-переходы обладают ярко выраженными выпрямляющими свойствами в диапазоне напряжений от —100 до -ЬЮО В (рис. 169), а коэффициент выпрямления достигает величины 5-10 . [c.459]

Выпрямительные приборы весьма чувствительны. Вольтметры выпускаются с нижними пределами измерения начиная от 0,3 В, а миллиамперметры - от 0,2 мА. Входное сопротивление выпрямительных вольтметров обычно порядка 2 кОм/В. Особенностью выпрямительных вольтметров является уменьшение входного сопротивления при измерении малых напряжений вследствие уменьшения коэффициента выпрямления диодов. Поэтому выпрямительные вольтметры на малые напряжения имеют низкое входное сопротивление, например, в вольтметре с верхним пределом измерения 0,3 В входное сопротивление составляет 300 Ом (прибор потребляет ток 1 мА). Внутреннее сопротивление выпрямительных миллиамперметров относительно велико, например, миллиамперметр с верхним пределом измерения 0,2 мА имеет сопротивление 5000 Ом (на приборе падает напряжение до 1 В). [c.421]

При падении напряжения на диодах их коэффициенты выпрямления уменьшаются, таким образом при малых токах уменьшается коэффициент выпрямления выпрямителя и возникает нелинейность характеристики. Поэтому микроамперметры выпрямительной системы не выпускаются. [c.421]

В приборах электронной системы в качестве выпрямительных элементов часто используют вакуумный диод, т.е. электронную лампу (у полупроводниковых диодов при малых переменных напряжениях мал коэффициент выпрямления). Поэтому рассматриваемые вольтметры часто называют ламповыми. [c.423]

II химическими способами, выдерживают обратные напряжения до 8—9 в и обладают достаточно высоким коэффициентом выпрямления ( 1200). [c.328]

Коэффициенты выпрямления с ростом температуры изменяются незначительно. Прямой ток при постоянном прямом напряжении с ростом температуры увеличивается, обратный ток также увеличивается. [c.332]

Показано, что формовка обратным током приводит к увеличению обратного- напряжения и улучшению коэффициента выпрямления у образцов, а формовка прямым током — в ряде случаев к опрокидыванию ВАХ. Инвертированная ВАХ обладает высоким коэффициентом выпрямления, отно-ситель Ю большими прямыми токами. [c.333]

Показано, что до 270—310° выпрямляющие свойства материала сохраняются, причем коэффициент выпрямления изменяется незначительно- [c.333]

В этой формуле V — амплитуда переменного напряжения, выделяемого на ячейке в результате пропускания переменного тока I, а значения коэффициентов выпрямления и корреляционных коэффициентов определены ниже для каждого из возможных сочетаний стадий (1) — (3). [c.237]

Фарадеевское выпрямление определяется формулой (8) значения коэффициентов выпрямления приведены в табл. 2. Громоздкое выражение для 0 9 в случае изотермы Фрумкина приводится в тексте [c.239]

Автор [30] изучал вольт-амперную характеристику вольфрамового электрода в 0,4 н. растворе Н2504. При анодной поляризации ток весьма мал (запорное направление), при катодной — велик коэффициент выпрямления приблизительно равен 100. В случае переменного тока ультранизкой частоты (0,03 гц) наблюдается выпрямление, которое исчезает при повышении частоты. В концентрированном растворе плавиковой кислоты выпрямление не наблюдается, по-видимому, вследствие растворения окисной пленки. [c.33]

Фарадеевское выпрямление определяется по (8), где коэффициенты выпрямления a k берутся из табл. 2, а корреляционные множители рассчитываются по формулам [c.241]

Подставив формулу (51) в (50), получим для внешней ОС Кос = для внутренней /Сое = К- Из выражений Коа видно, что внешняя ОС дает возможность изменять коэффициент Ков от О до Кос При внутренней ОС коэффициент /Сое определяется значением коэффициента выпрямления kg и, как правило, О < Кос < только секционированием обмоток Шр и встречным включением их секций можно достигнуть Кос > 1- При внешней ОС регулирование коэффициента Кое осуществляется изменением сопротивления резистора / рег, шунтирующего всю или часть обмотки ОС (см. рис. 139, б). Оба способа могут быть использованы при выборе режима типового МУ, имеющего несколько управляющих обмоток. [c.167]

Коэффициент поглощения (максимальный) на монокристал--Лическом образце равен 10 см. При 12,1 мк имеется максимум поглощения. Коэффициент выпрямления (на точечном контакте) имеет порядок 1000 и сохраняет его до 400° С [141]. [c.90]

Эффект увеличивается при захвате носителей, и они начинают образовывать вблизи освещаемого электрода слой пространственного заряда, уменьшая тем самым поле в глубине кристалла. Это становится более заметным, когда освещаемый электрод отрицателен, так как отрицательным носителям требуется больше времени, чтобы добраться до другого электрода, и слой пространственного заряда разрушается меньше, поскольку меньшее число положительных зарядов сможет разряжаться на отрицательном электроде. Если отрицательные носители захватываются больше, чем положительные, эффект возрастает, ибо это равнозначно эффективному увеличению отношения подвижностей Це/Ц ,. Рис. 8, на котором представлена спектральная зависимость объемного тока для различных кристаллов, показывает также влияние дефектов, т. е. захвата носителей, на коэффициент выпрямления. [c.29]

Если Сп > Со, то при наложении на диод переменной разности потенциалов протекает преимущественно ток одного направления, т. е. диод приобретает выпрямляющие свойства. Расчет показывает, что достаточно хорошее выпрямление достигается уже при (ОисЬЮоСо) > > 10. Для увеличения коэффициента выпрямления необходимо это отношение увеличивать. Как следует из уравнения (43.3), при этом происходит некоторое увеличение порогового напряжения, т. е. напряжения, при котором диод начинает работать, хотя пороговое напряжение электрохимического диода во всех случаях остается меньше, Чем пороговое напряжение обычных полупроводниковых диодов. [c.232]

При прямом смещении ток экспоненциально возрастает, а с ростом отрицательного напряжения V ток стремится к , (рис. 188, в). Выпрямляющие свойства, характеризуемые коэффициентом выпрямления ///s (у хороших р—п-переходов он может достигать сотен тысяч), тем лучше, чем меньше ток насыщения [см. выражение (775а) 1. [c.460]

В ряде работ [81—85] исследованы упругие свойства, диэлектрические константы, коэффициент выпрямления и фотопроводимость монокристаллов GaSe, В связи со значительной анизотропией слоистых кристаллов GaSe отмечена сильная зависимость их упругих свойств от кри- [c.61]

На основе n-TlS , легированного германием и оловом, били изготовлены точечные диоды и исследованы их выпрямляющие свойства. Введение легирующих примесей повын1а.ло сопротивление образцов от 1 до 100 ом-см и способствовало получению устойчивых характеристик диодов [321. Коэффициент выпрямления при комнатной температуре и напряжении 5 в составлял 180, [c.160]

Свойства TlSe изучены очень детально. Получены оптические, фотоэлектрические, электрические и другие полупроводниковые характеристики TlSe. Стехиометрический TlSe является дырочным полупроводником с малой подвижностью носителей тока. Избыток компонентов и многократная зонная чистка не меняют типа проводимости. Образцы электронного типа были получены введением элементов IV группы до 0,1 ат. %. Точечные выпрямляющие диоды, изготовленные из таких образцов, показывали коэффициент выпрямления, равный —180. [c.187]

Поликристаллические слитки Си1п5е2 и AglnSe2 /г-тип подвергали резке на алмазном диске с внутренней режущей кромкой. На одну сторону кристаллов размерол 2-2-21 мм напыляли алюминий. При температуре подложки 50° ВАХ таких образцов, как видно из рис. I, 2, не отличались высокими коэффициентами выпрямления (/Свып = 6Д4) и обратными напряжениями ( / 011=10—14 в). Поэтому основное внимание было уделено механической и химической обработке поверхности. [c.329]

Если учесть, что верхний предел температуры германиевых диодов равен 75°, а кремниевых диодов 125—130°, то полученная температурная стабильность коэффициента выпрямления для Си1п5с2, наряду с высоким верхним пределом температуры, представляет определенный интерес. [c.333]

Коэффициенты выпрямления а,-, формулы (8) для различных путей рекакции и изотерм адсорбции иода [c.238]

Напряжение, возникающее на оболочке силового кабеля при замыкании в нем, Уоб равно произведению 2общ на ток замыкания. Это напряжение выпрямляется полупроводниковым выпрямителем по однополупериод-ной схеме, коэффициент выпрямления которой равен 0,45. Поэтому напряжение на защитной установке в точке А может быть вычислено по формуле [c.97]

Поэтому в обратный период напряжения разряд или совсем не возникает, или же сила тока достигает лишь небольшого ЗЕгачс-ния даже в момент прохождения напряжения через максимум. Таким образом, сила тока в одном направлении во много раз больше, чем в другом, и коэффициент выпрямления большой. [c.695]

На рис. 32 приведены вольтамперные характеристики в пропускном и непропускном направлениях выпрямительного элемента и коэффициент выпрямления к (отношение прямого тока к обратному, измеряемое при одном и том же напряжении), [c.48]

НаТрис. 36 показаны статические вольтамперные характеристики селеновых выпрямительных элементов и приведена кривая отношения прямого тока к обратному. При одном и том же напря-жении коэффициент выпрямления селенового элемента очень мал. С увеличением напряжения он повышается сначала очень резко, а затем более полого. [c.50]

В отличие от неорганических полупроводников металлфталоцианины сочетают высокое электрическое сопротивление и относительно безынерционную фотопроводимость с большой кратностью фототока к темповому току. Это позволило использовать слои медьфталоцианина в качестве фоточувствительной мишени для передающей телевизионной трубки. Прессованные таблетки магнийфталоцианина, покрытые тонкой пленкой тетраметил-п-фенилендиамина, используются в качестве фотопреобразователей. Тонкопленочные диоды из медьфталоцианина применяются в электронных цифровых вычислительных машинах. Диоды на основе медьфталоцианина с электродами из меди и из пленки алюминия или серебра работают как выпрямители с коэффициентом выпрямления 10 . [c.539]

Отношение прямого тока к обратному, т. е. коэффициент выпрямления селенового элемента К при малом напряжении, очень мало. С увеличением напряжения коэффициент выпрялшения сначала повышается резко, а затем значительно медленнее. Характеристики прямого и обратного сопротивлений даны для трех элементов различного качества. Прямое сопротивление очень велико при малом напряжении (порог напряжения порядка 0,5 е). [c.69]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология