Слоистый кристалл

Какова структ> ра одного слоя слоистых кристаллов [c.17]

Графит — кристаллическое вещество серого цвета с металлическим блеском. Структура графита показана на рис. 9.2. Ее можно назвать слоистой кристалл состоит из нескольких слоев углеродных макромолекул. В пределах одного слоя каждый атом углерода образует три химические связи с тремя соседними атомами. Четвертый электрон внешнего энергетического уровня каждого атома углерода, не участвующий в образовании химических связей в плоскости, образует связи между [c.168]

Теория Лифшица. Лифшиц [10] обратил внимание на то, что Тарасов не учел некоторые важные обстоятельства, связанные с необычным законом дисперсии упругих волн изгиба в предельном случае невзаимодействующих цепей и слоев. В связи с этим был заново рассмотрен вопрос о законе дисперсии для длинноволновой части спектра колебаний слоистого кристалла как целого в приближении, в котором помимо уравнений теории упругости сильно анизотропного тела учитывается поперечная жесткость атомных слоев или цепей. [c.121]

На принципиально иных идеях построена теория теплоемкости анизотропных структур, предложенная И. М. Лифшицем [9], который исходил из представления об особой роли так называемых волн изгиба в колебательной теплоемкости цепных и слоистых структур. Согласно этой теории, заметный вклад в теплоемкость таких структур при низких температурах вносят лишь колебания с волновым вектором, ориентированным вдоль оси цепи (или лежащим в плоскости слоя). В свою очередь, распространяющиеся вдоль цепи или слоя волны распадаются на три ветви для цепей — это волна сжатия и две волны изгиба, для слоев — волна сжатия, волна сдвига и волна изгиба. Основной вклад в теплоемкость цепных и слоистых кристаллов при низких температурах дают наиболее мягкие волны изгиба с необычным законом дисперсии. Следствием этого являются следующие законы изменения теплоемкости слоистых структур [c.17]

Другой возможный источник ошибок заключается в действии электронного пучка на объект. Изменение структуры пленки после электронной бомбардировки отмечено, например, для хлористого натрия [19]. Пленки германия, напыленные на коллодиевую подложку при комнатной температуре, являются аморфными [20, 21]. При нагревании их электронным пучком до 250—500° образуются кристаллы размером 100—200 A, которые в слоях толщиной 300—400 A и более при резком нагревании вследствие собирательной рекристаллизации превращаются в крупные кристаллы слоистого строения [21 ]. Дифракционные исследования показали, что слоистые кристаллы представляют собой двойниковые образования. [c.214]

Бентоны — продукты обработки бентонитовых глин — обеспечивают (за счет слоистых кристаллов монтмориллонита) полу- [c.299]

Монография посвящена современной физике кристаллической решетки. Дан детальный анализ классической и квантовой динамики идеального кристалла. Наряду с традиционными вопросами (спектр колебаний, представление о газе фононов и др.) изложены проблемы, мало освещенные в монографической литературе (колебания слоистых кристаллов, второй звук в кристаллах, теория квантовых кристаллов). Исследованы многообразные дефекты кристаллической решетки, дана их современная классификация. Описаны динамика и кинетика реального кристалла. Рассмотрена связь кинетики системы точечных дефектов и дислокаций с пластичностью кристаллов. [c.2]

Таким образом, подобная модель слоистого кристалла с взаимодействием только ближайших соседей действительно внутренне противоречива. Для того чтобы описать кристаллическую решетку с характерной слоистой структурой, обладающей волнами изгиба , [c.102]

На необходимость учета колебаний типа волн изгиба в слоистых кристаллах со слабым взаимодействием между слоями впервые обратил внимание И. М. Лифшиц (1952). [c.102]

Рис. 35. Схема законов дисперсии сильно анизотропного слоистого кристалла.

Общее представление о функции распределения частот ветвей колебаний слоистого кристалла можно получить при рассмотрении схематического графика суммарной функции распределения V (со), изображенного на рис. 38. Участок 1 на графике соответствует квадратичной зависимости V (со) от частоты, участок 2 — линейной зависимости на него приходится корневая особенность первой ветви колебаний в точке со = со а участок 3 — почти постоянному значению V (м) при сй соа. На графике выделена особенность функции [c.111]

Но в кристалле существуют еще и фононы другого типа — поперечные. На примере закона дисперсии изгибных колебаний слоистого кристалла ( 4, п. 3) мы видели, что в некоторых направлениях закон дисперсии поперечных колебаний обладает свойством со( (к) > яД График такого закона дисперсии представлен на рис. 41, с, в виде кривой I. Убедимся, что в этом случае возможен процесс I I + 1. [c.140]

Рис. бЗ.Схема слоистого кристалла типа АВ . [c.178]

Таким образом, при X > 1 образуются слоистые кристаллы, содержание микрокомпонента в которых уменьшается в направлении от внутренних слоев к наружным. [c.60]

При трении происходит сдвиг слоев твердой смазки, при этом в силу слабых вандерваальсовых связей между слоями сопротивление сдвигу будет очень малым. Малое сопротивление сдвигу между двумя кристаллографическими плоскостями еще не является достаточным критерием для оценки смазывающей способности твердой смазки. Поверхности скольжения слоистых кристаллов бывают ровными и гладкими или волнистыми и гофрированными. Для графита характерны ровные (гладкие) одноатомные слои, для сульфидов молибдена — ровные трехслойные пакеты, а для антимонита (ЗЬгЗз) — зигзагообразные сдвоенные цепи. Очевидно, что скольжение в кристалле вдоль ровных и гладких поверхностей намного легче, чем вдоль поверхностей неровных и волнистых. [c.204]

Процесс депарафинизации "Дилчил" применяется для депарафинизации дистиллятных и остаточных рафинатов с использованием смеси МЭК с метилизобутилкетоном или толуолом. Процесс отличается от традиционных использованием весьма эффективных кристаллизаторов "Дилчил" оригинальной конструкции. В кристаллизаторах этого процесса используется прямое впрыскивание предварительно охлажденного в аммиачном холодильнике растворителя в поток нагретого в паровом подогревателе депарафинируемого сырья. В результате такой скоростной кристаллизации образуются 1)азрозненные компактные слоистые кристаллы сферической фор — мы. Внутренний слой этих кристаллов состоит из первичных зародышей из высокоплавких парафинов, а внешний слой образован из кристаллов низкоплавких углеводородов.. Суспензия из кристаллизатора "Дилчил" затем направляется после охлаждения до требуемой температуры в скребковых аммиачных кристаллизаторах в вакуумные фильтры. [c.268]

В схеме процесса используется оригинальный метод кристаллизации парафина прямое впрыскивание растворителя II. охлажденного в теплообменнике 1 и аммиачном холодильнике 2. в нагретое в паровом подогревателе 3 сырье I и перемешивание смеси в кристаллизаторе дилчил 4 (рис. 63). При таком методе смешения сырья с растворителем образуются разрозненные компактные кристаллы, являющиеся агломератами смешанных кристаллов твердых углеводородов, разных по структуре и молекулярной массе. Это слоистые кристаллы сферической формы, внутри которых закристаллизованы высокоплавкие углеводороды, а внешний слой образуют кристаллы низкоплавких углеводородов, легко смываемые растворителем. [c.190]

Т125 получается сплавлением таллия с серой в запаянной ампуле в виде мягких голубовато-черных слоистых кристаллов с металлическим блеском, плотность 8,4 г/см . Кристаллизуется в ромбоэдрической слоистой структуре, близкой к структуре Сс112(177). Испаряется без разложения кипит при 1460° С [62]. Теплота его образования 21 ккал/моль. [c.335]

Зависимость свойств веществ от К. с. делает изучение К. с. важным в практич. отношении. Так, слоистые кристаллы графита, галогенидов d, MoSj способны легко раскалываться по плоскостям, к-рые параллельны слоям на этом св-ве основано использование этих в-в в качестве твердых смазок. Небольшое смещение атомов Ва и Ti из центров координац. полиэдров в кристаллах BaTiOj приводит к возникновению у этого в-ва сегнетоэлектрич. св-в. [c.532]

Фазовые переходы М. к.-плавление, возгонка, полиморфные переходы (см. Полиморфизм)-ироясхоаят, как правило, без разрушения отдельных молекул. М. к. являются частным случаем ван-дер-ваальсовых кристаллов, к к-рым относятся также цепочечные и слоистые кристаллы, где посредством ван-дер-ваальсовых сил соединены бесконечные цепи (напр., орг. полимеры) или слои (напр., графит). Структуру М. к., как и др. кристаллич. в-в, устанавливают с помощью рентгеновского структурного анализа, для изучения динамики молекул в М. к. используют колебат. спектроскопию и неупругое рассеяние нейтронов. [c.117]

Кристаллич. тела характеризуются анизотропией П.э. наименьшей П. э. обладают грани с наиб, плотностью частиц у граней с большими кристаллографич. индексами П. э. выше, чем у граней с. малыми. Особенно велики различия в значениях П.э. разл. граней у слоистых кристаллов - графита, слюды. Межзеренная энергия линейно растет с увеличением угла разориентации сросшихся криста.хтов до нек-рого предела, после к-рого она не зависит от угла разориентации. В областях хорошего совпадения узлов кристаллич. решеток контактирующих зерен наблюдается уменьшение межзерен-ной энергии. Для металлов отношение мсжзеренной энер1ин к П.э. достигает 0,3-0,4, для ионных кристаллов-0,5. Разработаны методы теоретич. расчета П.э. кристаллов с разным типом связи. [c.585]

Сульфид TljS осаждается в виде черного осадка пря действии HjS или (NHJ на нейтральные, щелочные или слабокислые р-ры солей Т. плохо раств. в вода (0,02% по массе при 20 С), уксусной и щавелевой к-тах, р-рах щелочей, соды, сульфидов щелочных металлов, минер, к-тами разлагается. Сульфид, полученный сплавлением Т1 и S,-мягкие голубовато-черные слоистые кристаллы тригон. сингонии (о = 1,220 нм, с = 1,817 нм, г = 27, пространств, группа РЗт) т. пл. 449 °С, т. кип. 1177 °С плотн. 8,46 г/см [c.491]

Интересным свойством маннана можно считать образование кристаллитов на поверхности микрофибрилл целлюлозы [12]. При этом образуется так называемая структура шиш-кебаб (см. рис. 3.2), в которой микрофибрилла целлюлоз имеет вид нити, на которую нанизаны перпендикулярно ориентированные слоистые кристаллы маннана размером около 1000 А. Таким образом, ка поверхности микрофибрилл целлюлозы I находятся многочисленные центры кристаллизации, способствующие образованию кристаллов маннана. На этих активных центрах из-за сферических факторов кристаллы расположены параллельно друг к другу. Предполагается, что целлюлоза способна ориентировать маннан во время биосинтеза [13]. Небольшую примесь маннозы в гидролизатах -целлюлозы можно объяснить не включением молекул маннозы в молекулы полиглюкана, а образованием кристаллов маннана на поверхности фибрилл. [c.158]

Преимущественно развитые грани кристаллов могут состоять из атомов одного сорта, например, из атомов углерода в случае базисной грани слоистых кристаллов графита, образующей практически всю реальную поверхность графитированных термических саж [6, 21] и почти всю поверхность листочков расщепленного графита [19]. Частицы графитированной термической сажи представляют собой полиэдры, ограненные базисными гранями, а листочки расщепленного графита — тонкие пластинки с развитыми базисными гранями с кристаллографическим индексом (0001). Эти адсорбенты обладают слоистой структурой. В случае базисной гранд графита повторяющимся участком является шестиугольник, обра- [c.15]

Преимущественно развитые грани кристалла могут состоять и из разных атомов. Например, в случае базисной грани слоистых кристаллов нитрида бора это атомы бора и азота. Периодически повторяющийся участок здесь представляет шестиугольник, образованный ат0М 1МИ В и N (рис. 1,16). Благодаря прочной ковалентной связи В—N в базисной грани этого кристалла и близости размеров и поляризуемости атомов В и N. образующих эту связь, базисную грань нитрида бора можно также приближенно считать математически однородной [56]. [c.16]

Общепринятых воззрений на механизм стереоспецифического действия поверхности на образование регулярных полимеров пока нет. В главе 3, 1 был приведен другой механизм [331], с нашей точки зрения, более вероятный. Согласно этому механизму, полимеризация происходит в анионной вакансии в углах или ребрах слоистого кристалла Ti lg, а стереорегулирующее действие обусловлено асимметрией расположения лигандов вокруг иона Ti + около этой вакансии. [c.193]

В слоистом кристалле хеуландита молекулы кристаллизационной воды расположены между слоями. Дегидратация происходит очень легко и сопровождается сильным сокращением кристаллов в направлении, перпендикулярном к плоскости слоев. Благодаря этому сокращению пространство между слоями оказывается недоступным для адсорбируемых молекул газа. Хеуландит, дегидратированный как полностью, так и частично, адсорбирует ничтожные количества азота и аргона. При дегидратации двух образцов цеолитов волокнистого строения вода удаляется через каналы, недоступные для молекул газов. [c.504]

В работах с углем всегда измеряется общее лине1"1-ное расширение целого куска адсорбента, так что относительно изменений в отдельных капиллярах можно делать лишь косвенные выводы. Однако иногда оказывается возможным определить расширение пор адсорбента под действием адсорбированных паров непосредственно рентгенографически. Некоторые слоистые кристаллы со сложными решетками, например графитовая кислота и монтмориллонит, адсорбируют воду между слоями. В результате расстояние между слоями увеличивается, и это можно измерить рентгенографически. Интерференции, зависящие от расположения атомов углерода и кислорода, образующих слой графитовой кислоты, остаются при адсорбции воды без изменения. Увеличивается только расстояние между слоями. Так, по измерениям Гофмана[ ], в сухой графитовой кислоте (содержащей 9% воды) расстояние между слоями равно 6,1 А, если же адсорбент содержит, 35% воды, то расстояние между слоями равно 10 А. Расширение можно обнаружить при непосредственном наблюдении под микроскопохм отдельных кристаллов графитовой кислоты. Адсорбент раздвигается подобно аккордеону. Набухание полностью обратимо. При высыхании слои сближаются до исходного расстояния. Величина расширения, найденная Гофманом, повидимому, соответствует адсорбции монослоя воды на каждой стороне слоя графитовой кислоты. [c.555]

Рассмотрим кристалл с простой гексагональной решеткой, предполагая взаимодействие атомов в базисной плоскости (хОу) и вдоль оси шестого порядка (Ог) различными. Если считать, что кристалл обладает слоистой структурой, то следует принять, что взаимодействие атомов в плоскости хОу намногЪ больше взаимодействия атомов в соседних базисных плоскостях. При описании колебаний такого слоистого кристалла можно исходить из модели, в которой точно учитывается сильное взаимодействие всех атомов, лежащих в базисной плоскости, а слабое взаимодействие. соседних атомных [c.100]

Удивительным примером химического элемента, обладающего кристаллическими модификациями трех типов (близкой к изотропной, слоистой и цепочечной), является углерод. Он существует в форме алмаза (необычайно твердая кристаллическая модификация со специфической трехмерной решеткой), в форме графита (слоистого кристалла) и в форме карбина (синтетической полимерной цепочечной структуры). [c.101]

Для определенности мы будем говорить о слоистом кристалле, имея в виду сформулированную выше модель. Эта модель позволяет качественно описать акустические колебания в графите — слоистом гексагональном кристаллес очень слабым взаимодействием слоев. Атомные силы взаимодействия соседних слоев графита почти на два порядка меньше величины силы взаимодействия ближайших соседей в плоскости слоя. [c.101]

Рассмотрим два специфических класса твердых тел слоистые кристаллы и цеолиты. Слоистые кристаллы (например, графит) представляют собой напластование слабо связанных между собой атомных плоскостей. При адсорбции из жидкой или газовой фазы, а также в каталитических процессах молекулы субстрата могут диффундировать между слоями так, что каждый из атомов кристалла оказывается доступным для контакта с ними. В этом случае каясдый атом можно считать поверхностным. Той же особенностью обладают и цеолиты, решетки которых образуют каркасы, пронизанные регулярно расположенными каналами и полостями. По ним могут 1юремещатъся не слишком большие молекулы, проникая в глубину каркаса. Подробно структура этого, а также других важных для катализа классов кристаллов обсуждается в [10]. [c.541]

Для фундаментальных исследований адсорбции нужны однородные адсорбенты с одним типом поверхности или пористости. Для подобных адсорбентов с однородной поверхностью энергия адсорбции и изотерма адсорбции — своеобразные физико-химические константы. Из таких адсорбентов можно назвать порошки кристаллов кубической сингонии, слоистые кристаллы (графит, нитрид бора), некоторые аморфные адсорбенты, подвергнутые термической обработке. Исключительно однородными микропористыми адсорбентами являются пористые кристаллы — цеолиты, обладающие регулярной микропористой структурой. Прежде чем приступить к рассмотрению некоторых феноменологических признаков проявления однородности поверхности и пористости, остановимся вкратце на эффективных практических методах получения адсорбентов с однородными поверхностью и мезопористостью. [c.42]

При нагревании исходных смесей до температуры между 450 и 500° С образуется низкотемпературная бесцветная модификация ВРЗд, очень гигроскопичная, разлагающаяся на воздухе с выделением НгЗ. Вторая модификация, в виде коричневых слоистых кристаллов, образуется при температуре между 650 и 700° С. Эта форма ВР34 на воздухе более устойчива, имеет моноклинную ячейку со следующими параметрами а = 10,38А = 6,05А с = 6,69А Р = 75° расстояния 1,89А (В-8) 2,16 А (Р—8) 2,63А (В—Р) [26]. Обе модификации в вакууме при температуре выше 750° С разлагаются. [c.21]

В результате реакции в горячей зоне образовывался сульфид галлия GaS, который после синтеза в этой же трубке был отогнан в виде желтых мо-нокристаллических игл. Последние были использованы для структурных исследований. GaS в виде тонких слоистых кристаллов получен также при медленном охлаждении расплава, содержащего избыток галлия [И]. [c.38]

В ряде работ изучались оптические и фотоэлектрические свойства слоистых кристаллов GaS и его аналогов— GaSe, GaTe и InSe [19—32]. Оптические и фотоэлектрические данные в области длинноволнового края основного поглощения дают возможность судить о характере структуры зон вблизи Eg. Краевое поглощение GaS изучено сравнительно подробно. Энергия активации Eg в области собственной проводимости для GaS составляет 2,3 эв [26], 2,53 эв [27] и 2,9 эб [25]. По расположению спектральных кривых фотоэффекта GaS Eg — 2,4 эв [28]. [c.40]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология