Электроны s р d типа

Германий обладает очень высоким удельным сопротивлением (в противоположность типичным металлам), которое уменьшается с повышением температуры. Электропроводность германия может быть двоякой — электронной ( -тип) и дырочной (р-тип), причем тнп проводимости определяется качеством присутствующих в германии примесей, а величина — их количеством. [c.186]

Для систем защиты локального типа используют логические устройства типа Логика-1 , Логика-2 , Логика-3 , комплексы Спектр-1 и Спектр-2 . В централизованных системах защиты и сигнализации применяют информационные устройства электронного типа приборного исполнения Сигнал-250 , УАС-50 и др. [c.264]

Поглощение энергии в ультрафиолетовой области обусловлено изменениями энергетического состояния внешних электронов. В ор-1 анических соединениях такое поглощение связано с переходом валентных о- и л-электронов со связывающих орбиталей иа соответствующие разрыхляющие, а также с переходами электронов неподеленных пар гетероатомов (п-электронов) типа /г->л и [c.95]

Прибор состоит из следующих составных частей испытательного устройства и отсчетного устройства. Отсчетное устройство часового или электронного типа. Принцип работы прибора заключается во вдавливании индентора со сферической рабочей поверхностью в испытуемый резиновый образец под действием двух последовательно прилагаемых нагрузок (предварительной и общей) и измерении глубины внедрения индентора под действием общей нагрузки по истечении определенного промежутка времени. [c.69]

Энергия ионизации /IV, равная АЕз-ь как мы видим, определяет ширину запрещенной зоны. Дальнейшее повышение частоты и величины поглощаемых квантов сопровождается переходами электронов типа р-уд т валентной зоны в зону проводимости. [c.122]

Применение ударных волн, с помощью которых в изученных оксидах были достигнуты давления от 9 до 30 ГПа, дало значительное повышение каталитической активности на 2...3 порядка. Существенным является то, что такой эффект имел место для оксидов титана и цинка, которые представляют собой полупроводники с электронным типом проводимости. Обработка ударным сжатием монооксида никеля, который является полупроводником с дырочным типом проводимости, показала, что каталитическая активность его осталась неизменной. Возможно, что усиление каталитической активности указанных оксидов объясняется частичным их восста- [c.218]

Классификация комплексов по типу или природе координацион ной связи. Так как данный ион металла может образовывать не сколько различных типов связи, удобно рассматривать их в за висимости от электронной конфигурации различных лигандов Ниже приведены электронные типы монодентатных лигандов [c.241]

Большинство соединений щелочных металлов относится к ионному типу. Однозарядные положительные ионы этих металлов имеют на наружном уровне 8 электронов (тип 8е ), кроме иона лития, у которого лишь два электрона (тип 2е ). Эти ионы имеют сравнительно большие радиусы, увеличивающиеся отлития к францию (см. табл. 2), обладают малым поляризующим действием и незначительной собственной поляризуемостью. Соединения, как правило, бесцветны, термически очень устойчивы и хорошо растворимы в воде у лития в связи с иным типом иона некоторые соединения (гидроксид, фторид, карбонат, фосфат и др.) плохо растворимы в воде. Ионы щелочных металлов практически не обладают окислительными свойствами при химических реакциях их можно восстановить с помощью электрического тока (на катоде). Для ионов типа 8е не характерно образование комплексных соединений (исключение составляет ион лития, имеющий тип 2е , малый радиус, по сравнению с ионами остальных щелочных металлов, но наибольшее поляризующее действие). [c.37]

В атоме лантана нет электронов /-типа, поэтому его нельзя относить к лантаноидам. От атома церия до атома гадолиния в подуровне 4/ имеются только непарные [c.58]

Сплавы титана с металлами. К числу наиболее существенных факторов, определяющих взаимодействие в металлических системах и поддающихся сценке, относятся соотношение размеров атомов, электронное строение и число валентных электронов, тип кристаллической структуры. Сходство ЕО взаимодействии титана, циркония и гафния с другими металлами обусловлено аналогичным строением их атомов, совпадением структур обеих полиморфных модификаций, а небольшое различие — тем, что атом титана имеет несколько мень- [c.237]

Эта таблица содержит восемь групп по вертикальному направлению и семь периодов по горизонтальному направлению. Каждая группа элементов подразделяется на две подгруппы А и В. Элементы характеризуются четырьмя электронными типами подуровней 1) s-элементы (от до s ) 2) р-элементы (р -— р ) 3) d-элементы d — ) 4) /-элементы (f — f ). Для актиноидов возможен еще --подуровень. Элементы с одинаковым числом электронов на разных подуровнях часто оказываются расположенными рядом, например d , р, dS / " и т. д. [c.13]

Номер периода соответствует числу энергетических уровней в атомах элементов данного периода. -Элементы не включены в графу Электронный тип элемента (в виде отдельного столбца), но отмечены в клетках актиноидов, начиная с протоактиния. [c.19]

Принципиальное отличие вискозиметра ВР-3 состоит в использовании силоизмерителя электронного типа. Перемещение горизонтального вала вызывает деформацию чувствительного элемента тензодатчика, которая преобразуется в электрический сигнал и регистрируется потенциометром. Шкала потенциометра проградуирована в единицах вязкости по Муни. В узле измерения эластического восстановления угол поворота ротора с помощью потенциометрического датчика также преобразуется в электрический сигнал, регистрируемый потенциометром. Цикл работы вискозиметра устанавливается по реле времени, которое автоматически включает и выключает электродвигатель и запись диаграммы измеряемых показателей. [c.86]

Рассеяние носителей заряда происходит и на других нарушениях решетки, например на дислокациях. Дислокацию в полупроводнике электронного типа можно уподобить линейному отрицательному заряду в виде бесконечно длинного цилиндра радиуса Я, вокруг которого имеется положительный пространственный заряд. Расчет показывает [Ю], что при рассеянии носителей заряда на дислокациях время релаксации не зависит от температуры кристалла, а определяется плотностью дислокаций Мо и скоростью ь рассеиваемого заряда, согласно выражению [c.251]

Полоса 1—1 по деформационному колебанию при электронном переходе 2 состоит из трех электронно-колебательных подполос — П, 2 и 2 П. Как для N N, так и для ССО было найдено, что эти подполосы находятся на больших расстояниях одна от другой, что говорит о сильном электрон но-колебательном взаимодействии в электронном состоянии П. Структура первой из трех подполос очень похожа на структуру полосы О—О, за исключением того, что все линии в ветвях удвоены из-за /-удвоения в нижнем состоянии. Для N N или ССО было разрешено лишь очень небольшое число из всех 54 ветвей. В двух других подполосах наблюдается триплетное расщепление, которое быстро увеличивается с ростом N. Оно не может быть связано с расщеплением в нижнем электронно-колебательном состоянии так как это состояние относится к электронному типу 2, в котором спиновое расщепление мало скорее это расщепление обусловлено электронно-колебательным взаимодействием в верхнем электронном состоянии П. Как уже говорилось, постоянные спинового расщепления X и в таких электронно -колебательных состояниях 2 весьма велики, и в результате появляется по две подполосы как для перехода 2 П, так и для перехода 2 П. Первые из этих подполос связаны с верхними состояниями 2 ь а вторые — с состояниями 2э- и 2з+ соответственно. [c.112]

Рассмотрим применение правил отбора на примере предиссоциации радикала СНз. На рис. 94 изображена спектрограмма полосы 2160 А верхнее состояние этого перехода относится к типу М/, если принять симметрию /)з . Предиссоциация вызывается состоянием комплекса Н + СНг, который обладает, по-видимому, симметрией В соответствии с ранее приводившимися правилами отбора электронные типы симметрии дискретного и непрерывного состояний должны быть одинаковыми. Поэтому состояние комплекса должно быть типа М1 (что эквивалентно типу М1 при симметрии />3/1), т. е. радикал СНг, образующийся при предиссоциации, должен быть в состоянии которое является нижним для полос СНг в красной области (стр. 175). Состояние М1 также допускается правилами отбора, но у СНг нет низко расположенного состояния такого типа. С другой стороны, основное состояние радикала СНг типа коррелирует с состоянием В1 нелинейной конфигурации, т. е. с состоянием Bi (или Bi) комплекса СНг+ Н. Согласно правилу отбора для электронных переходов, это состояние не может возникнуть при (интенсивной) предиссоциации радикала СНз в состоянии М1. [c.186]

Энергии наиб, типичных Э. близки к энергиям состояний с полным переносом электрона (типа A D ), поэтому энергии их образования из возбужденных молекул А (или D ) м. б. оценены из окислит.-восстановит. потенциалов донора электрона (D /D) и акцептора (А /А ) [c.410]

СЯ для образования ковалентных связей в кристаллической структуре кремния, у фосфора остается еще один электрон. При наложении на кристалл электрического поля этот электрон может смещаться в сторону от атома фосфора поэтому говорят, что фосфор является донором электронов в кристалле кремния. Для высвобождения донируемых электронов требуется лищь 1,05 кДж моль эта энергия превращает кристалл кремния с небольшой примесью фосфора в проводник. При введении в кристалл кремния примеси бора возникает противоположное явление. Атому бора недостает одного электрона для построения необходимого числа ковалентных связей в кристалле кремния. Поэтому на каждый атом бора в кристалле кремния приходится одна вакансия на связывающей орбитали. На эти вакантные орбитали, связанные с атомами бора, могут быть возбуждены валентные электроны кремния, что дает возможность электронам свободно перемещаться по кристаллу. Подобная проводимость осуществляется в результате того, что на вакантную орбиталь атома бора перескакивает электрон соседнего атома кремния. Вновь образовавшаяся вакансия на орбитали атома кремния тут же заполняется электроном со следующего за ним другого атома кремния. Возникает каскадный эффект, при котором электроны перескакивают от одного атома к следующему. Физики предпочитают описывать это явление как движение положительно заряженной дырки в противоположном направлении. Но независимо от того, как описывается это явление, твердо установлено, что для активации проводимости такого вещества, как кремний, требуется меньше энергии, если в кристалле содержится небольшое количество донора электронов типа фосфора либо акцептора электронов типа бора. [c.632]

ФХС углеводородных систем обусловливается также переходом на электронный тип носителей информации, необходимостью создания электронных библиотек, совершенствования автоматизированных систем проектирования технологических процессов разработки и переработки нефти, газоконденсатов и природных газов. [c.3]

Почти все халькогениды представляют собой полупроводниковые соединения с проводимостью электронного типа. Для теллурида цинка характерна проводимость дырочного типа, а для теллурида кадмия — как электронная, так и дырочная. В условиях синтеза люминофоров сульфид и селенид цинка имеют очень высокое удельное электросопротивление (Ю Ом см). Лишь при специальных условиях легирования, обеспечивающих внедрение избыточного цинка, удается получить сульфид и селенид цинка с низким удельным электросопротивлением (10 2—10 Ом см). Концентрация носителей тока при этом зависит как от содержания донорных примесей, так и от давления пара цинка. [c.31]

Напротив, реактивы Гриньяра действуют исключительно на окись углерода в тетракарбониле никеля, и никель выпадает в виде черного осадка. Однако другие реактивы оставляют незатронутой основную структурную схему молекулы карбонила. Например, окись углерода может лишь частично замещаться галогенидами с образованием карбонилгалогенидов. Молекулы-доноры электронов типа аммиака образуют при действии на карбонилы аммиакаты карбонилов типа Ре(СО) з(ЫНз)г. Действие водорода (обычно в сильнощелочных растворах) приводит к образованию карбонилгидридов. Все карбонилы активны по отношению к кислороду воздуха, а некоторые из них склонны к самовоспламенению. Все или почти все карбонилы чрезвычайно ядовиты. [c.224]

Установлена определенная закономерность между специфичностью каталитического действия и типом кристаллической структуры твердых тел. Каталитической активностью ионного и электронного типов обладают твердые тела соответственно с ионной и металлической кристаллической структурой, а также кристаллы промежуточного (ионно-металлического) типа. Молекулярные и ковалентные кристаллы в отношении катализа практически инертны. [c.424]

Методы составлений кинетических уравнений (моделей 1 гетерогенных каталитических реакций. Как правило, многие гетерогенные каталитические реакции (как ионного, так и электронного типов) удовлетворительно описываются кинетическими уравнениями первого порядка (особенно в области малых заполнений поверхности катализатора). Это, по-видимому, обусловливается тем, что лимитирующей суммарный каталитический процесс стадией является хемосорбция на однородной поверхности катализатора, осуществляемая мономолекулярно. При этом первый кинетический порядок имеет место обычно независимо от того, осуществляется ли хемосорбция по одноцентровому или многоцентровому (в виде мультиплетов, ансамблей и др.) механизмам. Установлено, что большее влияние на кинетический порядок каталитических реакций оказывает неоднородность поверхности. В ряде случаев большая адекватность достигается при использовании кинетических уравнений (моделей), выведенных исходя из представлений неоднородности поверхности (С.З.Рогинский, Я.Б.Зельдович, М.И.Темкин и др.). [c.434]

Комплексы иона меди(1) с четырьмя связями обычно построены п виде гетраэдров с участием зр гибридных орбиг (распределение электронов типа А). Однако медно-водородный комплекс(И), имеющий вид Си Х ,И, обладает строением изо-электроиным с комплексами иона меди (И) вида Си Х4, которые обладают координационным числом четыре и, как известно, имеют [c.189]

Проанализируйте следуюш ие молекулярные структуры (установите характер распределения валентных электронов, тип гибридизации центральных атомов, углы связей, полярность, валентность и [c.84]

В присутствии катализаторов электронного типа (гидрирования— дегидрирования) наиболее вероятен радикальный механизм, допускающий первоначальную диссоциацию молекул. Механизм изомеризации на бифункциональном катализаторе можно представить схемой вначале происходит дегидрирование нормального алкана на активном центре металлического катализатора (М), затем на кислотном центре (К) образовавшийся алкен превращается в карбкатион, изомеризуется и после передачи протона катализатору выделяется в виде разветвленного алкена. Последний гидрируется на металле [c.360]

Приведенные результаты свидетельствуют, что решеточные вакансии нельзя рассматривать как точечные дефекты их присутствие вызывает возмущение электронных состояний кристалла, достигающее, по крайней мере, второй координационной сферы вакансии. По своему действию на электронные состояния матрицы катионная вакансия (V ) будет выступать как акцепторная примесь , анионная (V ,) — как донорная примесь , инициируя возникновение проводимости дырочного и электронного типов, соответственно. [c.40]

Атом — Система взаимодействующих элементарных частиц, состоящая из ядра и электронов. Тип атома определяется составом его ядра. Ядро состоит из протонов и нейтронов, вместе называемых нуклонами. Элемент — совокупность атомов с одинаковъш зарядом ядра, т. е. числом протонов. Атомы элемента могут иметь различные числа нейтронов в составе ядра, а следовательно, и массу. Такие атомы, относящиеся к одному элементу, называются изотопами. Каждый известный элемент имеет свое обозначение. Так водород обозначается как Н, углерод — С, кислород — О, кремний — 81, железо — Ре. Атом — наименьшая частица элемента, обладающая его химическими свойствами. [c.18]

Источник электрона Тип Прнл/ер принимающая электроны Пример [c.8]

Элементы подгруппы титана относятся к числу переходных — они содержат недостроенную электронную оболочку п—Электронная подкладка у атомов таких элементов, т. е. оболочка, предшествующая слою валентных электронов, относится к 8-электронному типу (имеет благороднотазовое строение). Как известно, в подгруппах таких элементов, ввиду жесткости (малой деформируемости) 8-злект-ронных оболочек (в отличие от 18-электронных, характерных для ностпереходных элементов), с ростом атомного номера и радиуса ато-ма (иона) наблюдается уменьшение поляризующего действия. Наиболее сильным поляризующим действием (при прочих равных усло виях) обладает титан из-за малого размера атома (иона) в этой подгруппе он сильнее всего удерживает валентные электроны и поэтому относительно легко может быть переведен в состояние с более низкой степенью окисления, чем обычное валентное состояние, характеризуемое степенью окисления +4. [c.105]

Симметрия электронной структуры центрального нона может и не быть сферической — это имеет место, когда электронные оболочки иона не целиком заполнены. Предполагая, что все лиганды одинаковы, мы придем к выводу, что состояние, отвечающее минимуму энергии их взаимодействия, соответствует правильному симметричному их расположению в пространстве. В результате конкуренции этих двух факторов проявляется эффект внутренней асимметрии (эффект Яна — Теллера). Так, 1гапример, у иона меди Сц2+, имеющего девять электронов типа Зс/ в октаэдрическом ноле, уровни расщепляются, как было описано выше, а основное состояние отвечает пятикратному вырои<депию. Расщепление ведет к появлению двукратно и 1 рехкратно вырожденных уровней lU и di. Так как максимальное число электронов на всех d-уровнях равно десяти, то при наличии девяти электронов функции и - 2, имеюшие одинаковую энергию, представляют распределение одной электронной дырки . В том состоянии, в котором дырка оказывается на 0.2 . лиганды, расположенные на оси О2 сильнее притягиваются к центральному нону в состоянии lix ,2 более сильное притяжение испытывают лиганды на осях Ох и Оу. В результате правильный октаэдр уже не соответствует минимуму энергии и равновесная конфигурация представлена искаженным тетрагональным октаэдром. [c.226]

В маркировке полупроводниковых материалов обозначают не только тип легирующей примеси, но и те свойства, которые наиболее важны для практического применения, а иногда и способ получения. Например, марка BKЭФ-10 ,2 характеризует кремний (К), полученный бестигельной зонной плавкой (Б), электронного типа проводимости (Э), легированный фосфором (Ф) с удельным сопротивлением 10 Ом См и временем жизни неосновных носителей 0,2 мкс арсенид галлия АГДЦЗ,5-17 — дырочного типа (Д), легирован цинком (Ц) с концентрацией дырок 3,5-10 . Фосфид галлия, применяемый для фотодиодов, маркируется, например, так ФГЭТК-К/ЗО [Э—электронного типа, ТК — легирован теллуром, кислородом, К — красное свечение р—п-перехода, 30 — яркость свечения, кд/м (нит)1. [c.56]

Нереальность чисто ионной 100%-й связи можно объяснить взаимодействием противоположно заряженных аонов в кристаллической решетке вещества. Это взаимодействие приводит к взаимной поляризации ионов, т. е. к смещению внешних электронов йонов относительно их ядер. Наиболее сильное поляризующее действие оказывают положительные ионы с большим зарядом и малым радиусом. Структура внешнего электронного слоя иона играет тоже немалую роль. Особенно сильно поляризующее действие выражено у катионов Сс12+, Hg , внешние электронные слои которых состоят из 18 электронов (тип 18 е). [c.103]

Легирование. Для получения П. м. электронного типа проводимости (я-типа) с изменяющейся в широких пределах концентрацией носителей заряда (электронов) обычно используют донорные примеси, образующие мелкие энергетич. уровни в запрещенной зоне вблизи дна зоны проводимости (энергия ионизации < 0,05 эВ). Для П. м. дырочного типа проводимости (р-типа) аналогичная задача решается путем введения акцепторных примесей, образующих мелкие энергетич. уровни в запрещенной зоне вблизи потолка валентной зоны. Такие примеси при комнатной т-ре практически полностью ионизованы, так что их концентрация приблизительно равна концентрации носителей заряда, к-рая связана с подвижностями носителей соотношениями а = ец я для П.м. я-типа и а , = еЦрР для П.м. р-типа (а, и ар-проводимость и подвижности электронов и дырок соответственно). Для Ое и 81 осн. донорными легирующими примесями являются элементы V гр. периодич. системы Р, Аз, 8Ь, а акцепторными-элементы III гр. В, А1, Оа. Для соед. типа А В -соотв. примеси элементов VI гр. (8, 8е, Те), а также 8п, и элементов II гр. (Ве, М , 2п, Сс1). Элементы IV гр. (81, Ое) в зависимости от условий получения кристаллов и эпитаксиальных слоев соед. типа А" В могут проявлять как донотные, так и акцепторные св-ва. В соед. типа А"В и А В поведение вводимых примесей сильно осложняется присутствием собств. точечных структурных дефектов. Необходимые тип и величина проводимости в них обычно достигаются прецизионным регулированием отклонения состава от стехиометрического, обеспечивающего заданную концентрацию определенного типа собств. точечных дефектов структуры в кристаллах. [c.61]

Число электронов с данным набором квантовых чисел отмечают верхним индексом после буквы. Таким образом, выражение Is обозначает два электрона тииа Is пять электронов типа 2>р-, bd - — десять электронов Tima 5( (для канедого электрона п=Ъ и 1=2). [c.222]

Таким образом, давая ясную интерпретацию роли в GaN как донорной примеси, инициирующей в нитриде проводимость электронного типа (обзор экспериментальных данных см. в [40]), расчеты [38] предсказьшают, что данный эффект может быть понижен при приложении внешнего давления без изменения стехиометрии образца. [c.41]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология