Подложки температура

Исследована смачиваемость в системах Си — Мо — 5102 (1150° С), Си — Мо — А)2 Оз (1150 С), Си — Мо графит (1150 С), Ай — Мо — А1А (1000 С). 5п — Мо — ЗЮз (900—1150 С), 5п — Мо графит (900 С), Зп — V — 310. (900 С), Зп — V графит (900 С), РЬ — Ре—3102 (700° С), РЬ—Ре графит (700° С). Изучено влияние структуры и физико-химических свойств тонких металлических пленок, нанесенных на неметаллические материалы, на смачиваемость расплавами металлов. Для каждой из изученных систем установлены критические толщины смачивания металлической пленки (наименьшая толщина пленки, при которой наступает смачивание такое же, как и компактного материала пленки). Полученные величины критических толщин смачивания объяснены в зависимости от структуры пленки, ее взаимодействия с подложкой, температуры опыта и ряда др. факторов. Табл. 2, рис. 7, библ. 1. [c.222]

Одним из видов нанесения защитных покрытий на детали из высокотемпературных материалов служит метод окунания в расплав [1]. Такой метод используется для кратковременной защиты покрытий при горячей обработке давлением молибдена и ниобия. Для нанесения качественного покрытия необходимо определение оптимальных температур и состава расплава, при которых происходит удовлетворительное смачивание твердых металлов расплавом. Смачивание твердых молибдена и ниобия расплавами на основе алюминия исследовали на установке, позволяющей раздельный нагрев твердой и жидкой фаз [2]. Опыты проводили в среде гелия, температуру фиксировали платина — платинородиевой термопарой. В качестве объектов исследования использовали молибден и ниобий после электронно-лучевой плавки, алюминий чистоты 99,98% и порошки легирующих компонентов кремния, титана и хрома марки ч. д. а. Для экспериментов готовили навески одинаковой массы 500 мг. При достижении твердой подложкой температуры опыта навеска плавилась и соприкасалась с подложкой, время контакта при заданной температуре составляло 2 мин, по истечении которого каплю фотографировали аппаратом Зенит-С на [c.55]

Однако для обеспечения десорбции атомов газов, молекул воды и других примесных молекул, адсорбированных поверхностью подложки, температура подложки должна быть как можно выше. [c.130]

Рис. 66. Влияние толщины слоя конденсата на поглощательную способность комплекса конденсат—медная подложка. Температура подложки 20 К

Кристаллы получены методом сублимации спека карбида кремния с последующей конденсацией пара на графитовую подложку, температура которой в зоне роста кристаллов была 2600°С [7]. Процесс роста происходил в атмосфере аргона, непрерывно очищавшегося от загрязняющих его в процессе сублимации газообразных примесей многократной циркуляцией в замкнутой системе, включавшей в себя устройства поглощения окиси углерода и азота, который, как известно [1], представляет собой одну из наиболее трудно удаляемых при- [c.247]

Материал пленки и подложки Подвижность атомов напыляемого материала на поверхности подложки (температура подложки, скорость осаждения) [c.11]

Степень химического сродства напыляемого материала к кислороду Состав остаточных газов Поглощение водяных паров подложкой Температура подложки Соотношение между давлением и скоростью напыления [c.11]

Материал пленки и подложки Температура подложки Размер зерен, включения, кристаллографические дефекты в пленке Отжиг [c.11]

Пленки рения, полученные на подложках, температура которых была ниже 100° С, имели весьма нестабильные электрические параметры например, непрерывно возрастало их электрическое сопротивление при хранении на воздухе. [c.439]

Для нагрева толстостенных крупногабаритных колб используют рефлекторы или инфракрасные излучатели. Равномерность сушки достигается вращением колбы вокруг своей оси. Режим сушки (температура нагрева колбы, давление и влажность осушающего воздуха, продолжительность сушки) подбирают в зависимости от размеров и толщины графитового покрытия, толщины стеклянной подложки, температуры в помещении и т. д. [c.317]

Рис. 3.1. Стадии формирования полимерного покрытия в псевдоожиженном слое на нагретой поверхности а — образование монослоя частиц б — оплавление частиц в — наращивание толщины покрытия г — прекращение наращивания толщины 6 слоя — температура подложки — температура плавления полимерного порошка

Толщина плотных осадков рения хорошего качества, которые могут быть получены из известных электролитов, независимо от материала катода, составляет несколько микрометров Дчя получения рениевых по ь рытий значительной толщины рекомендуется многократно наращивать тонкие слои с термообработкой каждого слоя в атмосфере водорода аргона или в вакууме при высоких (700—1100 С в зависимости от ма тернала подложки) температурах [13], [c.149]

Газофазная эпитаксия. Процесс газофазного наращивания вещества основан на реакциях синтеза или перекристаллизации за счет химического переноса, а также на переносе вещества путем испарения и койденсации. Один из способов носит название сэндвич-метода (метод малых промежутков). Он заключается в том, что исходный порошкообразный материал помещают на малом расстоянии (0,1—1,0 мм) от моно-кристаллической подложки, температура которой на 20—40° ниже, чем у исходного вещества. В присутствии аза-носителя (например, водяной пар, галогены) происходит кристаллизация вещества на подложке с очень малыми потерями (коэффициент переноса достигает 90% от массм исходного вещества). [c.148]

В последние годы предпринимаются попытки получать карбонильным методом покрытия — контакты из металлического железа для микроминиатюрных радиосхем, а также тонкие ферромагнитные железо-никелевые пленки для изготовления сопротивлений, конденсаторов и индуктивностей микрорадиоэлектронных схем для элементов памяти счетно-решающих устройств [24, 28]. Такие покрытия и пленки получают следующим образом (рис. 1). Составляют смесь карбонилов железа и никеля, которую направляют в реакционную камеру, где на специальном подогревателе находятся нагретые диэлектрические подложки. Температура подложек должна быть не меньше, чем нижний температурный порог разложения карбонилов, т. е. 70—100 °С. На диэлектрическую подложку помещают матрицу с прорезями заданной формы. Попадая в эти прорези, смесь карбонилов разлагается, образуя ферромагнитную железо-никелевую пленку, плотно сцепленную с подложкой. [c.19]

Материал Подложка Температура максимальной работы выхода электрона в "К Максимальная работа выхода электрона в эв Плотность теркоэмиссионного тока в а/см [c.76]

Нагрев подложки. Большинство подложек нагреваются при осаж-деиии пленки путем установки их на плоскую металлическую пластину нагревателя. Нагрев подложки осуществляется за счет теплообмена, однако в полной мере это не достигается из-за неравномерного распределения температуры. Причина заключается в том, что две поверхности (пластина нагревателя и обратная сторона подложки) касаются друг друга не по всей плоскости, а только в точках. В результате этого поток тепла в подложку уменьшается, а температура подложки становится неравномерной. Более того, контроль нагрева подложки трудно достижим из-за разности температур пластины нагревателя и поверхности подложки, температура которой с трудом поддается прямому измерению. Для материалов с плохой теплопроводностью таких как стекла, на толщине подложки наблюдаются изменения температуры от 50° С до 100° С даже при относительно невысоких, порядка 400° С, температурах осаждения. При 800° С разность температур может доходить до 250° С [43]. [c.516]

Из выражения (7.8) не следует, что наличие или отсутствие эаитаксии связано с такими важными условиями, как тип подложки, температура осаждения, пересыщение и т. п. Так как это противоречит экспериментальным наблюдениям, Близнаков [5, 6], развивая идею Данкова, предложил формулу, которая включает основные факторы, обусловливающие эпитаксию. При выводе выражения (7.8) допускалось, что л инейные размеры (/) квадратного (/i) ориентированного и кубического (k) неориентированного зародышей одинаковы. На самом деле h — = П]й Ф 2 = П2а. Поэтому вместо выражения (7.7) следует [c.253]

Аналогичный принцип совместного введения в режционную камеру нескольких реагентов использован в работе [229] для получения эпитаксиальных монокристаллических пленок гранатов EraFejOn, (Eu, У)з Fe 5 012, (Eu, УЬ)з FesO . В качестве летучих соединений использовали дипивалоилметанаты соответствующих элементов. На рис. 6.7 показано использованное в работе устройство. Пары хелатов из источника по узкой трубке переносились потоком гелия в насадку большего диаметра, где происходило их смешение с кислородом при 473— 573 К (без химического взаимодействия). Насадка имеет узкое выходное сопло, из которого газовая смесь (около 30-50 объемн.% О2) со скоростью 50 см/с подается на нагретую подложку. Температуру подложки 1073-1273 К поддерживали высокочастотным нагревате- [c.187]

Тип ап- Подложка Температура Состав исход- Давление Скорость движения Инерт - Скорость осаждения Кажущаяся энергия активаций, к Д ж/моль График скоростей осаЖ" дешя бора Лите- [c.227]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология