Анализ тонкопленочных структур

Все предложенные до настоящего времени теории зарождения и роста НК и пленок игнорируют реальное состояние поверхности раздела, участие во многих случаях химических реакций в процессе кристаллизации из газовой фазы, следствием которых является наличие слоя хемосорбированных молекул на поверхности раздела. При наличии хемосорбции непосредственный обмен между подложкой и средой практически отсутствует и хемосорбционный слой в известном смысле можно считать промежуточной двумерной фазой . Рост кристалла в этом случае, по-видимому, происходит в результате актов химического распада молекул хемосорбционного слоя, механизм которых совершенно не изучен. Особая трудность возникает при обсуждении возможных механизмов роста эпитаксиальных пленок сложных соединений при жидкофазном осаждении в связи с тем, что молекулярная форма нахождения большинства этих соединений в растворах и расплавах в настоящее время неизвестна. Поэтому единой достаточно удовлетворительной теории зарождения и роста НК и пленок при газофазном осаждении пока не существует. Необходимо дальнейшее накопление надежных экспериментальных данных о реальной структуре (атомной и электронной) поверхностей раздела, о явлении хемосорбции, о так называемой закомплексованности и других определяющих явлениях. Важным также в теории гетерогенного зародышеобразования пленок является установление соотношения между процессами статистического зародышеобразования на чистых подложках и на активных центрах. Имеются сведения (Л. С. Палатник и др. 1972 г.) об образовании и длительном существовании в тонких пленках термодинамически неравновесных фаз. Поэтому пределы применимости к тонкопленочным системам (приборы микроэлектроники, оптические покрытия и др.) диаграмм состояний, разработанных для систем массивных материалов, требуют подробного анализа и обсуждения. [c.485]

Многослойные пленки используются в интегральных схемах и оптических структурах, а также во многих областях физики твердого тела. Естественным приложением Оже-электронной спектроскопии с послойным распылением является анализ таких структур. На рис. 14.99 в качестве примера приведены результаты исследования методом ОЭС тонкопленочной много- [c.53]

Взаимоотношение между жидкостями, движущимися пр волокнистой структуре бумаги или по тонкой пленке порошка, удерживаемой плоской поверхностью стекла, является функцией взаимодействия коэффициентов адсорбции и распределения, вовлеченных в процесс диффузии. В простейшем виде разделение пигментов чернильного пятна, распространяющегося по фильтровальной бумаге, иллюстрирует ту роль, которую играют эти коэффициенты при образовании диффузионного пятна. Образование таких пятен с применением специально подобранной бумаги или тонкопленочных адсорбентов составляет основу хроматографии этого типа. Применение бумажной и тонкослойной хроматографии позволяет работать с веществами, которые нельзя разделить и очистить другими способами. До сих пор не выявлены полностью возможности этого метода для качественного анализа пород и минералов. [c.263]

Рис. 10.2-16. ОЭС Анализ тонкопленочной структуры микроэлектронного устройства методом ОЭС и поперечного среза этой структуры методом ПЭМ. а—ПЭМ-фотография системы слоев до отжига, на которой видна последовательность слоев сверху вниз) приблизительно 20 слоев Та и 20 слоев 81 толщиной 5 нм каждый, полученные распылением, слой поликристаллического кремния 275 нм толщиной, слой 8102 толщиной около 50 нм, кремниевая подложка б — ПЭМ-фотография образца после отжига при 900° С, на которой видны образовавшиеся новые слои (сверху вниз) поликристаллический силицид тантала толщиной около 200 нм, слой поликристаллического кремния толщиной около 250 нм, слой 810г толщиной около 50 нм, кремниевая подложка в — количественное распределение по глубине, полученное методом ЭОС, кислорода, кремния и тантала, свидетельствующее о формировании слоя оксида кремния на поверхности стехиометрического Та812 [10.2-4].

Анализ поверхностей и межфазных границ наиболее важен для задач материаловедения, особенно для разработки и производства катализаторов, полупроводников, устройств микроэлектроники, металлов, керамик, стекол, тонкопленочных структур, полимеров и композиционных материалов. [c.311]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология