Влияние некоторых параметров на интенсивность спектральных линий

Влияние некоторых параметров на интенсивность спектральных линий [c.53]

Молекулярный анализ по спектрам комбинационного рассеяния света во многом аналогичен эмиссионному спектральному анализу, основанному на изучении спектров испускания атомов. В принципе он даже проще, так как сложный вопрос о влиянии условий возбуждения на интенсивности спектральных линий, составляющий одну из главных трудностей при проведении эмиссионного спектрального анализа, здесь не встает, ибо интенсивности линий комбинационного рассеяния определяются в первую очередь структурой рассеивающих молекул. Правда, на интенсивность линий влияют геометрические и светотехнические параметры установки. Однако условия опыта могут быть выбраны и стандартизированы так, чтобы эти влияния были исключены. Точно так же зависимость интенсивности спектральных линий от концентрации в спектрах комбинационного рассеяния, как правило, проще, чем в спектрах испускания при отсутствии значительных межмолекулярных взаимодействий интенсивность линий комбинационного рассеяния каждого компонента смеси I пропорциональна его концентрации С. /=/юоС, где /юо —интенсивность чистого (стопроцентного) вещества. Трудности анализа по спектрам комбинационного рассеяния связаны со слабой интенсивностью линий, которые часто маскируются сплощным фоном. Это значительно снижает точность и чувствительность этого метода анализа по сравнению с эмиссионным анализом. Основная же трудность состоит в огромном многообразии анализируемых соединений. Это многообразие, а также трудность и дороговизна синтеза и очистки больщинства индивидуальных веществ делают совершенно неперспективными методы анализа, в которых в качестве сравнения или для составления калибровочных смесей применяются индивидуальные вещества. Громадное большинство индивидуальных веществ, встречающихся в анализируемых смесях, доступны только весьма ограниченному числу наиболее крупных лабораторий, да и то в очень небольших количествах некоторые же из них вообще уникальны. Поэтому в высшей степени актуальна задача разработки методов анализа, основанных на использовании табличных данных, которые и получаются с помощью этих дорогостоящих и редких индивидуальных веществ. [c.299]

Оценка разрешающей способности. Методы измерения разрешающей способности решеток сводятся к определению разности длин волн двух близко расположенных спектральных линий приблизительно равной интенсивности, находящихся на преде.те разрешения. Чаще всего разрешающую способность оценивают по наблюдениям сверхтонкой структуры спектральных линий кадмия и ртути, некоторых групп линий спектра железа или полос поглощения паров иода, а также по расщеплению спектральных линий в магнитном поле. Однако выбор линий, пригодных для этих целей, очень ограничен, а процедура измерения при высоких разрешениях достаточно сложна. На точность измерений этими методами влияют не только ошибки решетки, но и аберрации оптической системы спектрографа, а также естественная ширина контура линии. Кроме того, с ростом фокусного расстояния спектрографа возрастает влияние колебаний воздуха и отдельных элементов системы, что создает дополните.льные трудности при наблюдениях и снижает их точность. При наиболее благоприятных условиях измерений относительная ошибка определения разрешающей способности составляет 5—10%, что в некоторых случаях недостаточно для характеристики решетки по этому параметру. Поэтому непосредственные наблюдения спектральных лгг-ний дополняются исследованиями формы фронта дифрагированной волны теневым и интерференционным методами, которые взаимно дополняют друг друга. [c.54]

Параллельный сдвиг обусловлен изменением отношения интенсивностей линий, которое происходит в плазме источника света или вследствие некоторых оптических эффектов, например в спектрографе. При предположительно одинаковых условиях возбуждения изменения интенсивности излучения могут быть обусловлены атмосферными эффектами. Например, влажность или другие параметры воздуха могут воздействовать на химические процессы, происходящие на электродах, или непосредственно влиять на излучение плазмы. Изменение отношения интенсивностей вызвано главным образом оптическими и спектральными причинами. Поверхности оптических элементов приобретают электрический заряд вследствие заметной напряженности электрического поля, создаваемой при высоковольтном возбуждении, а также из-за высокочастотной утечки, емкостных и индуктивных токов. Поэтому частицы пыли, взвешенные в воздухе и обладающие относительно большой влажностью, или даже пары воды осаждаются на этих поверхностях в виде моно-молекулярного или очень тонкого слоя. В этом слое, состоящем из очень мелких частиц, происходит интерференция или рассеяние света, влияние которых зависит от длины волны. По этой причине заметно именяется отношение интенсивностей тех линий, для которых разность длин волн велика. [c.81]

Для снижения относительных пределов обнаружения в порощ-кообразных веществах предложен спектральный метод сканируемого электрода, в котором используют дуговой разряд, горящий между горизонтально расположенным движущимся (сканируемым) электродом с пазом, вмещающим до 0,2—0,4 г пробы, и неподвижным верхним противоэлектродом. Исследовано влияние различных параметров (силы тока дуги, геометрии канала, скорости движения электрода и др.) на интенсивность аналитических линий определяемых элементов при анализе веществ самой различной природы. Разработана группа аналитических методик анализа различных веществ (графитовый порошок, некоторые соединения РЬ, А1, Те, Т1, Ва) с относительным пределом обнаружения 10- —10— мас. %, что в 5—10 раз ниже, чем при использовании обычной спектральной методики. Табл. 2, рис. 7, библиогр. 7 назв. [c.233]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология