Заряд диффузной части

По абсолютной величине заряд о на твердой поверхности, согласно теории Штерна, равен сумме заряда ионов, находящихся в адсорбционном слое и заряда диффузной части двойного слоя ь- [c.187]

По теории Гуи, [см. уравнение (VIH,8)], плотность заряда диффузной части двойного слоя определяется соотношением [c.205]

Пример 26. Плотность заряда диффузной части двойного слоя для поверхностно-инактивного электролита (1,1-зарядного) равна [c.253]

Как очевидно, интеграл взятый в пределах от б г до определяет весь полный электрический заряд диффузной части двойного слоя, эквивалентный заряду единицы поверхности электрода (в противном случае был бы нарушен закон электронейтральности). Обозначив этот последний через — так называемую поверхностную плотность электрических зарядов на электроде, находим [c.15]

В рассмотренной выше связи электрокинетического потенциала с другими параметрами ДЭС обычно обращают внимание на то, что с увеличением концентрации индифферентного электролита происходит сжатие двойного слоя. При этом считается, что заряд диффузной части ДЭС уменьшается вследствие перехода части ионов из диффузной в плотную часть двойного слоя. В таком случае электрокинетический потенциал должен монотонно уменьшаться с увеличением концентрации индифферентного электролита. [c.602]

Если расстояние между активными центрами много меньше дебаевского радиуса, заряд можно считать равномерно "размазанным по поверхности. Тогда, приравнивая его заряду диффузной части двойного слоя а ,,, заданному формулой (VII. 18), получим уравнение для определения Фо [c.76]

Приравнивая это выражение заряду диффузной части двойного слоя (Vn.l8), получим уравнение для определения потенциала I o [c.77]

В силу электронейтральности заряд поверхности пластин (на единицу площади) равен по абсолютной величине заряду диффузной части двойного слоя a в области О [c.88]

С учетом выражения (10) для заряда диффузной части двойного слоя при перекрытии имеем [c.24]

Как следует из рис. 8, величина в сильной степени зависит от фо-потенциала (кривые 1, 2). По мере увеличения значений як это влияние становится слабее. Сравнение кривой 3, полученной при условии постоянства заряда диффузной части [c.26]

Заряд диффузной части двойного слоя определяется уравнением [c.56]

Таким образом, поверхностная плотность заряда диффузной части двойного слоя равна + (Т1, и эту величину надо подставить вместо о в уравнения (7)—(10). Хотя при такой замене несколько меняется физический смысл величины а, уравнение (10) можно все же считать применимым, если только растворы, являются достаточно разбавленными. Знак противоположен знаку , так что огд + по абсолютной величине меньше о,, — плотности заряда твердой поверхности. [c.699]

В случае специфической адсорбции ионов на электроде при вычислении о вместо величины следует пользоваться значением = —qs [см. уравнение (2)1. Таким образом, для нахождения величины необходимо знать заряд поверхности электрода (или заряд диффузной части двойного слоя) при данном потенциале. [c.13]

В приведенных выше уравнениях (1.19)-(1.30) считается, что заряд диффузной части двойного слоя равен заряду фиксированных ионов, формирующих плоскость с плотностью заряда а. Возможны, однако, случаи, когда эффективный заряд диффузного слоя будет снижен за счет специфической адсорбции части противоионов. Полагая, что адсорбированный ион находится в ассоциированном состоянии с функциональной группой (состояния 1, 2, 3 на рис. 1.7), количество диссоциированных ионов и эффективную плотность заряда можно оценить с помощью формул (1.9)- [c.31]

Согласно теории двойного слоя, ассоциированные ионы можно рассматривать как формирующие плотную часть двойного слоя. Заряд диффузной части будет равен разности зарядов фиксированных ионов и ассоциированных с ними противоионов. [c.31]

Штерн пошел но другому пути, объединив представления Гельмгольца и Гуи — Чапмена. Тот факт, что заряды диффузной части двойного слоя (индекс д) по Гуи — Чапмену могут приближаться к противоионам в другой (твердой) фазе только до некоторого минимального расстояния бр, означает образование гельм-гольцевского плотного двойного слоя (индекс Г) этой толщины. Величина бр должна была бы быть приблизительно равной радиусу гидратированного иона (несколько А). Емкость Ср этого гелъмголъцевского плотного двойного слоя и емкость Сд диффузной части двойного слоя связаны, по Грэму , с Сдв — емкостью всего штерповского двойного слоя — соотношением [c.100]

Как и в теории Гельмгольца, центры ионов не могут располагаться у поверхности электрода на расстоянии, меньше чем радиус гидратированного иона. Плотность заряда диффузной части двойного слоя может быть получена из теории Гуи — Чапмена [c.234]

Уравнение (1) выведено для стационарного состояния, характеризуемого равенством конвективного потока зарядов диффузной части двойного эле1стрического слоя (ДЭС) и противоположно направленного миграционного потока, обусловленного электропроводностью жидкости. Однако используемый для вывода этого уравнения механизм переноса зарядов является сильно упрощенным. Так, Бикерманом [1] было указано на необходимость учета поверхностной проводимости Хм обусловленной ионами ДЭС, что особенно существенно в случае электрохимически активных капиллярных систем, т. е. таких систем, где толщина ДЭС соизмерима со средним радиусом капилляров при значительном заряде поверхности. Наряду с этим существенное значение имеет и так называемый фильтрационный эффект , заключающийся в изменении концентрации раствора электролита при фильтрации его через капиллярную систему (диафрагму) [2—6]. Этот эффект обусловлен тем, что потоки противоионов и коионов, равные по величине (условие электронейтральности), задерживаются зарядом ДЭС и возникающим электрическим полем, что приводит к повышению концентрации электролита в области входа В настоящее время фильтрационный эффект находит широкое практическое применение для обессоливания воды [7]. [c.90]

F — число Фарадея (96 500 кг/л/г-экв), Л — универсальная газовая постоянная, Т — абсолютная температура. Из уравнения (1) следует, что если знак заряда рассматриваемых ионов z и знак скачка потенциала в диффузной части двойного слоя совпадают, то концентрация ионов с, у плоскости Гельмгольца будет намного меньше, чем в объеме раствора Со (электростатическо-отталкивание). Если же знаки у z и а 5х противоположны, то концентрация g таких ионов у поверхности электрода вследствие электростатического притяжения будет гораздо выше, чем в глубине раствора. Следовательно, в пределах диффузного слоя количество ионов, имеющих тот Hie знак, что и знак -потенциала, намного меньше количества ионов противоположного знака, так что в целом диффузный слой приобретает определенный заряд, величина которого при отсутствии специфической а рбции равна, но противоположна но знаку, величине заряда i ктрода q,n (электронейтральность спстемы электрод [ раствор При специфической адсорбции ионов, заряд которых gj ло i. изован на внутренней плоскости Гельмгольца, заряд диффузной части двойного слоя равен по величине, но противоположен по знаку алгебраической сумме зарядов электрода и специфически адсорбированных ионов [c.9]

Потенциал и заряд диффузной части двойного электрическо го слоя является важной характеристикой пенообразователей. Хотя эти параметры прямо не связаны с устойчивостью пен, но они определяют тип пенных пленок, которые играют существенную роль в устойчивости пен. Непосредственно с потенциалом ф связана и другая характеристика — критическая концентрация электролита, при которой происходит переход от обычных черных пленок к ньютоновским черным пленкам при данной температуре. Эта характеристика позволяет разграничить два равновесных состояния черных пенных пленок. Выяснение роли потенциала фо при переходе от обычной черной к ньютоновской чернои пленке дало возможность определить критическое зна ение потенциала фо, кр для этого перехода. Поэтому ветнчи-иа фо к также может быть использована как характеристика ПАВ [271] [c.287]

При ф = ф =КТ12Р ф = 1/4 и Х=Х -2. Таким образом, при высоком заряде диффузной части двойного слоя (а) ее толщина, определенная по границе с электронейтральным раствором, равна [c.31]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология