Область стеклообразования

В системах мышьяк—сера— иод и мышьяк—селен—иод также преобладают направленные ковалентные связи. Области стеклообразования в системах мышьяк—сера (теллур)—иод представлены на рис. 7 [15] в системе мышьяк—селен—иод—на рис. 8 [c.11]

Горюнова, Коломиец и Шило [4404] определили области стеклообразования в сплавах халькогенидов Р (фосфора) и других элементов при различных скоростях охлаждения из жидкого состояния. [c.473]

Введение окиси лития даже в небольших количествах снижает вязкость, расширяет область стеклообразования, повышает поверхностное натяжение и улучшает смачивающую способность силикатных расплавов. Благоприятное действие она оказывает и на свойства силикатных материалов уменьшает коэффициент термического расширения, повышает химическую и термическую устойчивость, способствует повышению твердости. [c.3]

Рис. 26.3. Области стеклообразования в системах Ое—Р—5, Ое—Р—5е и Ое—Р—Те [33, 34].

Рис. 26.4. Области стеклообразования в системах 31—Аз—Те, Ое — Аз — Те, Ое — Р —Те и 51—Р-Те [32, 33],

Стекла не имеют единой структуры. Каждый стеклообразный материал содержит множество различных структурных элементов какие из них преобладают, зависит от многих факторов, главным образом, от состава и от скорости охлаждения из расплава в области стеклообразования. При этом важнейшей особенностью стекол, как и всех аморфных твердых тел, является отсутствие дальнего порядка в расположении атомов. [c.54]

Области стеклообразования в двойных боратных системах [6, 7] [c.44]

Области стеклообразования в двойных фосфатных системах показаны в табл. 5. [c.47]

Монография посвящена новому классу полупроводниковых материалов — стеклообразным сплавам халькогенов (се- ры, селена, теллура) с мышьяком, германием и другими элементами. В ней изложены результаты изучения закономерностей стеклообразования в халькогенидных системах, описаны области стеклообразования, представлены физико-хими-ческие характеристики стеклообразных сплавов. Кроме того, приведены результаты исследования влияния различных элементов периодической системы на электрические и другие фи-зико-химические свойства стеклообразных полупроводников. [c.2]

V группах одного и того же периода или в соседних периодах. При их взаимодействии составляющая ионной связи, затрудняющая стеклообразование, будет минимальной. Действительно, большие области стеклообразования получены при сочетании фосфора с селеном [5, 6], мышьяка с селеном (от 100 ат. селена до 56 ат. % мышьяка) [10], мышьяка с серой (от 5 до 44 ат % мышьяка) [10], германия с селеном (от 100 ат. % селена до 40 ат. % германия) [11]. [c.8]

В трехкомпонентных халькогенидных системах большие области стеклообразования получены при сочетании германия, фосфора и серы германия—фосфора, селена германия—мышьяка—серы германия—мышьяка—селена мышьяка—серы—се- [c.8]

Области стеклообразования в системах германий—фосфор—сера, германий—фосфор—селен и германий—фосфор— теллур по данным работы [6] представлены на рис. 2. [c.9]

Положение германия, мышьяка и селена в периодической системе элементов обусловливает практически гомеополярный характер взаимодействия между их атомами. При их взаимодействии получена большая область стеклообразования, представленная на рис. 3 [11—13]. В состав стеклообразных сплавов системы мышьяк—германий—селен может быть введено до [c.9]

Рис. 2. Области стеклообразования в системах Р—Ое—5 (/), Р—Ое—5е (2) и Р—Ое—Те (5) по данным [6].

Рис. 4. Область стеклообразования в системе Ав—Ое—3.

Рис. 5. Область стеклообразования в системе Аз—5—Зе по данным [10].

Рис. 6. Область стеклообразования в системе Р—Аз—Зе по данным [5].

Области стеклообразования в системах мышьяк—сера—селен [10] и фосфор—мышьяк—селен [5] представлены на рис. 5 и 6. [c.11]

Рис. 7. Области стеклообразования в системах Аз—5—Л (/).

Рис. 8. Область стеклообразования в системе Аз— 5е—Л.

Рис. 9. Область стеклообразования в системе Ав— 5е—В.

Рис. 10. Область стеклообразования в системе Аз—5е—Оа.

От 40 до 80% (мол.) В1С1з — область стеклоОбразования. Авторы шред-полагают возможность существования еще одного соединения KBi U. Тепловые эффекты при 135 и 1б8°С могут указывать на эвтектоидные лрезращения в твердом состоянии. [c.129]

В оксидных стеклах экспериментально обнаружено поведение осцилляций при релаксации структуры [439]. Предложена кинетическая модель процесса релаксации как многостадийного процесса кластерообразования. Релаксация структуры наблюдается в оксидных системах Mg0-Al203-Si02 и Bii зРЬо гЗггСаСигО в ходе термической обработки в области стеклообразования и после обработки импульсным магнитным полем. [c.310]

Скорость охлаждения как фактор, определяющий стеклообразо-вание. Как было показано, стеклование является релаксационным процессом, вследствие чего реализация процесса стеклования во многом зависит от скорости охлаждения. Многочисленные экспериментальные данные подтверждают это положение. Так, например, некоторыми исследователями показана возможность существенного расширения областей стеклообразования в пределах одной конкретной системы по мере увеличения скоростей охлаждения. [c.129]

ВаО—О—35 СаО—0 7,5 15 ZnO—0 7,5 15 Учитывая литературные данные, предполагали, что стекла и покрытия на их основе, содержащие указанные окислы, могут быть устойчивы, кроме вышеприведенных факторов, и к воздействию у — излучения. В данной системе определены область стеклообразования, кристаллизационная способность в интервале 750—1100°С, химическая стойкость стекол, температура размягчения и коэффициент теплового расширения стекол до и после кристаллизации, их микроструктура и фазовый состав. Для определения областей стеклообразования сплавлено 6 серий стекол при температуре 1400°С. В основу положена трехкомпонентная система Li 0— —ВаО—Si02, четвертым компонентом являются окислы СаО, ZnO или СаО -f- ZnO в количестве 7,5 и 15 мол. %, вводимые вместо LiaO для повышения жаростойкости стекол и покрытий на их основе изучаемой системы. Двуокись церия вводили в состав в количестве 0,50 мол. %. При этом наблюдали сужение области стеклообразования по сравнению с исходным сечением, как при введении СаО или ZnO, так и при суммарном их содержании. Причем чем больше их содержание, тем меньше область стеклообразования, поскольку происходит эквимолекулярная замена ими окиси лития. [c.91]

Поверхность ликвидуса состоит из полей С<1(К0з)2, d(N0g)a-2KN03 и поля твердых растворов KNO3—NaNOg, распадающихся ниже 190 °С. Пунктиром обозначена область стеклообразования. [c.109]

Поверхность ликвидуса состоит на нолей СН,СООК, КШЗ, НС 2КСК8 СН3СООК. На стыке полей имеется область стеклообразования. [c.290]

Температура плавления толуола —95° очень низка по сравнению с температурой плавления бензола-]-6°, что связано с очевидной трудностью образования регулярной структуры из плоских бензольных колец с присоединенными к ним алифатическими группами. Толуол же при закалке жидким воздухом затвердевает в виде стекла. Таким же образом возникают стекла при быстром охлаждении разветвленных углеводородов или при охлаждении смесей расплавленных нитратов, карбонатов или сульфатов [9]. При этом, например, в системе ККОз—Са(Ы0д)2 область стеклообразования лежит при 53—70 мол. % KNOз [10]. [c.275]

Область стеклообразования в системе Аз—5—Вг приведена на рис. 26.2 [28], где точка 3 имеет примерный состав Аз151 8ВГз д. Это стекло имеет температуру размягчения —60° и при комнатной температуре обнаруживает текучесть воды. При уменьшении содержания галогена температура раз.мягчения стекла повышается, так что для состава Аз З дВгц д (вблизи точки 2) она равна 90°, а для Аз З а (точка 1) 200°. [c.279]

Рис. 26.3 дает возможность сравнить области стеклообразования в системах Ое—Р—5, Се—Р—Зе и Се—Р—Те, а рис. 26.4 в системах 81—Аз—Те, Се—Аз—Те, 31—Р—Те и Се—Р—Те. Как видно из этих рисунков, для образования халькогенидного стекла необходимо достаточно большое количество двухвалентного элемента — халькогеиа. При этом, как и в случае бинарных систем, с увеличением атомного веса в рядах 31, Се, Зп и 3, Зе, Те область стеклообразования уменьшается так, что системы с Зп и В1 имеют лишь небольшую область стеклообразования [31], хотя область стеклообразования в системах с фосфором меньше, чем в системах с мышьяком. [c.279]

Поэтому области стеклообразования в галлосиликатных системах, как в щелочных, так и в бесщелочных, шире. [c.189]

Как показано в работе [140], из бесщелочных алюмосиликатных систем МеО—АЬОз—Si02, где МеО=МпО, FeO, СоО, NiO, наибольшую область стеклообразования имеет система МпО— АЬОз—ЗЮг. В этой системе в условиях обычной варки (1450° С) получены практически однородные стекла, обладающие хорошими выработочными свойствами содержание МпО должно быть в пределах от 35 до 55 мол. %, АЬОз — от 5 до 20 %. [c.216]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология