Закономерности стеклообразования

Монография посвящена новому классу полупроводниковых материалов — стеклообразным сплавам халькогенов (се- ры, селена, теллура) с мышьяком, германием и другими элементами. В ней изложены результаты изучения закономерностей стеклообразования в халькогенидных системах, описаны области стеклообразования, представлены физико-хими-ческие характеристики стеклообразных сплавов. Кроме того, приведены результаты исследования влияния различных элементов периодической системы на электрические и другие фи-зико-химические свойства стеклообразных полупроводников. [c.2]

Следует отметить, что закономерности стеклообразования в халькогенидных системах с щелочными металлами, характер проводимости в этих стеклах, а также структурно-химический состав полученных стеклообразных сплавов представляют несомненный интерес и требуют специального исследования после того, как будет разработана более совершенная методика получения халькогенидных стекол, содержащих щелочные металлы. [c.164]

Принципиальным в работе Н. Винтер-Кляйн является то, что понятие стеклообразующий элемент или оксид заменяется понятием стеклообразующей связи, осуществляемой р-электронами. Закономерности, определяющие образование химических связей, таким образом выдвигаются на передний план в проблеме стеклообразования. [c.129]

Эти закономерности справедливы в двух крайних случаях. Если в полимере имеются отдельные особенно прочные межмолекулярные связи, разрушаемые пластификатором, то действует правило молярных долей Журкова. Когда таких связей нет, или все они уже разрушены, действуют факторы, определяемые правилом объемных долей Каргина — Малинского. Во многих промежуточных случаях, и тогда, когда в стеклообразовании участвуют различные надмолекулярные структуры, интерпретация процесса на основании обоих правил, естественно, оказывается недостаточной. [c.195]

Для уточнения условий стеклообразования рассмотрим и вертикальный ряд О — 5 — Зе — Те. Здесь прослеживаются подобные же закономерности. Кислород неизвестен в стеклообразном состоянии вследствие значительной прочности молекул О2, которые при затвердевании и образуют молекулярную решетку. Теллур не образует стабильных стекол в виду малой его склонности к образованию ас- [c.261]

Отмеченные закономерности в основном характерны и для оценки склонности к стеклообразованию химических соединений и твердых растворов. На рис. 128 представлена область стеклообразования [c.262]

В ультра- и метафосфатной областях систем Са0- 205-8102 и СаО-РзОз-АЬОз (5-20 мол.% или АЬОз) были определены концентрационные пределы стеклообразования и кристаллизации. Установлены особенности процесса кристатлизации кальцийфосфатных стекол в зависимости от химического состава стекла, вида каталитической добавки, валентного состояния ионов катализаторов кристаллизации. Предложен механизм кристаллизации кальцийфосфатных стекол в присутствии комплексной каталитической добавки (Т102 + 2г02). Выявлены закономерности изменения свойств стекол и стеклокристаллических материалов (химическая стойкость, поведение в искусственных физиологических средах) в зависимости от химического и фазового состава и степени кристалличности материала. [c.24]

Определение области стеклообразования в сплавах халько-генидов фосфора, мышьяка, сурьмы, висмута и таллия при медленном и быстром охлаждении из жидкого состояния, а также в сложных халькогенидах на основе сульфида и селенида мышьяка проведено в работах [12, 26, 27]. В работе [26] было впервые указано на закономерное изменение способности к стеклообразованию в халькогенидных системах в, связи с изменением химической природы атомов. [c.17]

Такое закономерное изменение электропроводности, энергии активации проводимости и микротвердости при замене компонентов в стекле аналогами, нижестоящими в периодической системе элементов, по-видимому, обусловлено в основном нарастанием металлизации химических связей, увеличением делокали- зации электронов в парноэлектронных ковалентных связях по рядам Р->-А5->5Ь-)-В1 и 8- 5е->Те. По данным измерения электропроводности, наиболее резкое изменение характера химических связей происходит в V группе при переходе от фосфора к мышьяку, в VI группе — при переходе от селена к теллуру. В соответствии с изменением характера химической связи в стеклообразных полупроводниках происходит закономерное изменение и других физико-химических свойств (способности к стеклообразованию, химической стойкости и др.) [120]. Ниже [c.71]

Известно, что изменение структуры ближнего порядка должно сопровождаться резким изменением плотности. Как видно из таблицы, плотность кристаллического и стеклообразного СсЮеРг отличается незначительно. Сравнительно небольшое изменение плотности при стеклообразовании соединения СсЮеРг говорит о том, что стеклование этого соединения не сопровождается существенным изменением структуры ближнего порядка. Установлено, что температурная зависимость электропроводности стеклообразного Сс10еР2 в области температур 300—800 °К подчиняется известному для полупроводников экспоненциальному закону. На рис. 2 приведена зависимость электропроводности стеклообразного СсЮеРг от обратной температуры. Величина наклона прямой не изменяется при повышении температуры на 150° выше температуры начала размягчения. Отсутствие изменений в закономерности lgo = f(l/7 ) при температуре выше температуры начала размягчения дает основание предполагать, что в процессе кристаллизации существенных изменений в ближнем порядке не происходит. [c.336]

Исследование стеклообразования в системах Р2О5 — УгОд — МеО показывает, что максимальные области стеклообразования получаются, когда в качестве модификаторов участвуют окислы металлов I, П и V групп Периодической системы. При этом металлы главных подгрупп I и П групп расширяют область стеклообразования с увеличением порядкового номера металла. Для металлов побочных подгрупп наблюдается обратная закономерность области стеклообразования уменьшаются с увеличением порядкового номера металла. [c.265]