Отклонения от стехиометрии и легирование

Как и в случае соединений А В , при изменении среднего атомного веса соединения наблюдаются закономерные изменения запрещенной зоны, температуры плавления и ряда других параметров (табл. 10.9). Увеличение ионной составляющей связи (по сравнению с соединениями А В ) проявляется в более низких значениях подвижностей. Из-за более низкого уровня технологии изготовления соединения пока еще нет данных, которые позволили бы охарактеризовать их структурно-чувствительные свойства. Структурно-чувствительные свойства чистых и легированных соединений А В в значительной мере определяются природой и концентрацией точечных дефектов, обусловливающих отклонение от стехиометрии. [c.479]

Влияние многократной ионизации на условия внутреннего равновесия, очевидно, должно сказаться и на возможности легирования монокристаллов соединений с отклонениями от стехиометрии. [c.483]

Для получения легированных кристаллов к исходной смеси компонентов добавляются навески легирующих примесей 1п, Оа, Р, Аз. Однако, как отмечалось в гл. IV, введение примеси сопровождается возникновением противоположного заряженного дефекта, и концентрация носителей должна зависеть от отклонений от стехиометрии. [c.500]

Для выращивания легированных кристаллов или кристаллов с заданным отклонением от стехиометрии используют два метода. [c.30]

ХХ.3.4. Отклонения от стехиометрии и легирование [c.584]

В ряде работ, посвященных изучению анодного поведения ни-селя 169—75], отмечается, что на поверхности анода образуются жисные слои с полупроводниковыми свойствами и при увеличении анодного потенциала постепенно возрастает степень окисленности 1икеля. Изучалось влияние состава окисной пленки на величину кислородного перенапряжения, скорость диффузии протона и другие электрохимические показатели никелевого анода [76]. Электрохимическое поведение иикеля, покрытого окисной пленкой, должно определяться типом проводимости, отклонениями от стехиометрии, распределением этих отклонений в толще окисной пленки. Наличие окисной пленки изменяет адсорбционные свойства поверхности. Строение двойного электрического слоя и распределение скачка потенциала на границе поверхность анода — электролит и определяет механизм и кинетику анодного процесса. Легирование окисной никелевой пленки литием [77] существенно влияет на электрохимические характеристики анода [78]. [c.25]

В качестве примера внутреннего равновесия чистых и легированных соединений были рассмотрены свойства PbS. Причем в соответствии с его довольно компактной структурой (типа Na l), следовало ожидать, что преобладающим видом дефектов, обусловливающих отклонения от стехиометрии, являются дефекты Шоттки (Vpb и Vs). Следовательно, избыток свинца должен сопровождаться повышением концентрации вакансий серы и понижением концентрации вакансий свинца ([Vp liVgl onst). При избытке серы должно быть обратное соотношение концентраций вакансий. Поэтому скорость диффузии атомов свинца в кристаллах с избытком серы должна была бы быть высокой и малой в кристаллах с избытком свинца. [c.374]

Исследование физических свойств чистых и легированных кристаллов dTe, выращенных и обработанных под различными давлениями паров кадмия, позволило установить, что возможность управления типом и величиной проводимости за счет отклонений от стехиометрии обусловлена возникновением дефектов Френкеля на подрешетке кадмия. Возникновение ионизированных дефектов Френкеля описывается уравнением [c.493]

Нельзя обойти молчанием представления о природе нестехиометрии, развиваемые в последнее время Хайдом, Багшоу, Андерсоном и О Кифом [33]. По их мнению, изменение состава кристалла за счет его нестехиометрии или введения примесей связано не с накоплением точечных дефектов, а с непрерывной перегруппировкой координационных полиэдров. Эта перегруппировка имеет место в идеальной структуре чистого стехиометрического кристалла и приводит к образованию новой структурной организации на основе исходной фазы. Примером такой организации является рассмотренная выше структура сдвига, образуемая из октаэдров МОб структуры оксида ШОз- Однако структурный сдвиг — не единственная возможность сохранить однофазность материала при отклонении от стехиометрии или при легировании. Перегруппировка координационных полиэдров может происходить также путем вращения, скольжения или отражения. На рис. 2.14 показано образование изолированного дефекта вращения в структуре КеОд. В результате вращения части структуры (очерчено кругом) на 45° в направлении, перпендикулярном плоскости рисунка, восемь квадратных туннелей превращаются в три тригональных и пять пентагональных туннелей (рис. 2.146). Такая ситуация реализуется, в частности, при легировании ШОз оксидами щелочных металлов с образованием тетрагональных вольфрамовых бронз. [c.108]

Р и с. XIII.13. Различные случаи температурной зависимости концентраций дефектов в кристаллах, приготовленных при различных парциальных давлениях компонентов (схема), а — Полное равновесие в чистом кристалле Гд ф Г, Сд =5 Сд-, б — отклонение от стехиометрии, замороженное ниже температуры = Г, Сд ф с в — преобладающие дефекты в загрязненном (или легированном) кристалле ф Тз, Сд = сз г — неосновные дефекты в загрязненных кристаллах Тц ф Т , s ф Са. [c.348]