Величина и тип проводимости соединений АВ

Металлические вещества, нестехиометрические соединения. Переходные металлы склонны к образованию соединений включения, в которых атомы X занимают пустоты в плотнейшей упаковке металла. Часто эти соединения имеют нестехиометри-ческий состав. Их отличительные свойства — металлический блеск, высокая твердость и хорошая электропроводность, что связано с сохранением зонной структуры металла. У некоторых нитридов обнаружена даже сверхпроводимость. Сами металлы и их соединения включения (а также карбиды и бориды) по величине проводимости можно расположить в следующий ряд металл > карбиды > фосфиды > нитриды > бориды. [c.533]

Определение эквивалентной электрической проводимости слабого электролита при бесконечном разведении. Расчет константы диссоциации по методу Фуосса и Брэя. Для многих слабых электролитов, в том числе лекарственных соединений, не имеется справочных таблиц предельных подвижностей ионов и предельной электрической проводимости электролита в целом, а без них невозможен расчет констант и степени диссоциации. Поэтому величины X" определяют экспериментально разными методами. Наиболее простым из них является метод Фуосса и Брэя. Согласно этому методу, уравнение (10.31) приводят к виду [c.153]

Из формулы видно, что с ростом величины капли скорость ее выпадения возрастает пропорционально квадрату линейных размеров капли. Однако основную роль в разрушении эмульсии играет не скорость выпадающих капель диспергированной фазы, а разрушение защитных пленок глобул и соединение их в крупные капли, которые выпадают с линейной скоростью, определяемой законом Стокса. На этом основан электрический метод — разрушение эмульсии в электрическом силовом поле между электродами. Гидрофобные эмульсии, состоящие из глобул воды в нефтяной среде, разлагаются электрическим током достаточно эффективно. Это обусловлено значительно более высокой электрической проводимостью воды (да еще содержащей соли) по сравнению с проводимостью нефти (проводимость чистой воды 4-10 , проводимость нефти 3- 10 з). [c.13]

Величина и тип проводимости соединений Величина и тип прово- [c.151]

Электрическая проводимость неорганических соединений изменяется в широком диапазоне от 10 до 10 0лг г , главным образом вследствие различной степени участия электронов в процессе переноса электричества. Однако знание абсолютной величины проводимости вещества само по себе еще далеко недостаточно нужно знать еще, как изменяется проводимость при изменении температуры и состава кроме того, требуются знания и о числах переноса ионов. [c.38]

II. Величина и тип проводимости соединений [c.36]

Поскольку в стехиометрических кристаллах могут существовать только парные дефекты, однократно или двукратно ионизированные, электрофизические свойства, в частности тип и величина проводимости чистых кристаллов полупроводниковых соединений, определяются действием всей совокупности ионизированных дефектов. Если в данном случае преобладает дефект Шоттки, то, поскольку вакансии М(УД ) являются акцепторами а вакансии Х(У ) —донорами, должна проявляться компенсация зарядов. Эта компенсация будет полной только в том случае, если уровень Ферми равноудален от уровней, созданных дефектами. Те же рассуждения применимы и к дефектам Френкеля межузельные атомы электроположительного элемента М являются донорами, а соответствующие вакансии — акцепторами на подрешетке электроотрицательного элемента X межузельные атомы являются акцепторами, а вакансии — донорами. Обычна расположение уровней по отношению к уровню Ферми несимметрично, поэтому материал приобретает тот или иной тип электропроводности. Когда В чистых кристаллах существуют дефекты разных типов, для выявления их суммарного донорного или акцепторного характера требуется специальное изучение. Было, например, установлено, что в соединении РЬТе могут существовать комбинации самых различных видов дефектов, с учетом которых можно составить табл. 4.1 суммарного донорного или акцепторного характера дефектов в РЬТе. [c.200]

Ввиду того что точечные дефекты в кристаллах могут играть роль доноров или акцепторов, а отклонения от стехиометрии соответствуют повышению концентрации донорного или акцепторного дефекта, вопрос управления типом и величиной проводимости чистых полупроводниковых соединений может быть сведен к построению графика зависимости концентрации свободных носителей от условий, при которых обрабатывается или изготовляется кристалл. Отклонение от стехиометрии вызывает появление в каждом данном материале дефектов определенного типа, характеризуемых соответствующими энергиями ионизации. Концентрация же нейтральных дефектов, определяющих отклонение от стехиометрии, задается парциальными давлениями компонентов в паровой фазе, с которой взаимодействует кристалл, и температурой обработки. Следовательно, в качестве независимых переменных можно принять парциальное давление паров наиболее летучего компонента и температуру обработки кристалла. В качестве исследуемой величины возьмем концентрацию носителей, определяемую по измерениям эффекта Холла. Эксперименталь- [c.206]

При п=2, а также при п=3, когда поверхность, соответствующая узлу ( = 3, является адиабатной, цепь легко сводится к одному эквивалентному сопротивлению между потенциалами и fij- Это эквивалентное сопротивление равно l/A,-Jfi 2- В этом контексте становится довольно прозрачным физический смысл коэффициента переноса излучения. При редуцировании простой последовательно-параллельной цепи следует руководствоваться двумя правилами при последовательном соединении складываются сопротивления при параллельном соединении складываются проводимости (величины, обратные сопротивлениям). [c.472]

Величина А как признак, определяющий характер проводимости соединений переходных металлов, подтверждается на примерах многочисленных окислов, халькогенидов, силицидов, антимонидов и других веществ. В табл. 16 приведено изменение величины А для соедине- [c.222]

Скорость образования ионных соединений в отличие от полупроводников (скорость образования которых определяется перемещением ионов) определяется величиной электронной проводимости, которая зависит от концентрации электронных дефектов. [c.87]

Принцип метода модуляционной спектроскопии отражения основан на том, что отражение света от поверхности металла связано с состоянием его поверхностной электронной плазмы. Последнее в свою очередь зависит от плотности заряда электрода q и от донорно-акцепторного взаимодействия частиц адсорбата с металлом. Таким образом, величина ARIR позволяет характеризовать как наличие на поверхности электрода молекул органического вещества, адсорбция которых изменяет q, так и наличие или отсутствие специфического, донорно-акцепторного взаимодействия адсорбированных молекул с поверхностью металла. Так, например, методом модуляционной спектроскопии отражения можно зафиксировать характерное для адсорбции ароматических и гетероциклических соединений я-электронное взаимодействие их с положительно заряженной поверхностью электрода (частичный переход л-электронов органической молекулы на уровни зоны проводимости металла). [c.34]

С увеличением проводимости нефти (или обводненности эмульсии) возрастает и мощность, требуемая на поддержание заданного режима электрообработки. Для количественной оценки связи между напряженностью поля, проводимостью эмульсии и мощностью трансформаторов рассмотрим схему подключения напряжения к электродам, изображенную на рис. 2.19. Сопротивление нагрузки трансформатора представим в виде параллельно соединенной емкости С, образуемой электродами, и сопротивления R, определяемого проводимостью эмульсии в межэлектродном пространстве. Если площадь электродов 5, расстояние между ними /, диэлектрическая проницаемость эмульсии е, а ее проводимость и, то величины С я R можно определить по формулам [c.41]

В отличие от обычных органических соединений не исключено, что механизм электропроводности в АСВ и олигомерах на их основе, сводится к сочетанию собственной и примесной проводимости. Поэтому, величины ДЕ и ДР, также как и ПИ с СЭ, представляют собой усредненные характеристики. [c.32]

Расхождение расчетных и опытных данных на 16% исследователь объясняет тем, что навязанное структурой 2п8 расположение атомов кислорода приводит к растяжению их связи с атомами цинка, к увеличению их длины по сравнению с длиной этих связей в кристалле 2пО и, следовательно, к их ослаблению. Отсюда— сужение энергетической щели между соответствующими уровнями в энергетическом спектре цинк-сульфидного фосфора, обусловленное понижением энергии электронов связи 2п — О в структуре сложного сульфидного соединения цинка. Подобное явление наблюдается и в случае цинк-сульфидных фосфоров, активированных гомологами кислорода — селеном и теллуром. Последние, так же как кислород, образуют химические связи с цинком, которым отвечают определенные локализованные уровни в энергетическом спектре фосфора. Ширина запрещенной зоны в энергетических спектрах кристаллов селенида и теллурида цинка составляет 2,60 и 2,27 эВ соответственно. Отложив эти величины по вертикальной оси от дна зоны проводимости сульфида цинка, исследователь определил, что этим уровням отвечает излучение с длиной волны 480 нм для селена и 548 нм для теллура. Но это на 40 им [c.125]

ПОЛУПРОВОДНИКИ — вещества с электронной проводимостью, величина электропроводности которых лежит между электропроводностью металлов и изоляторов. Характерной особенностью П. является положительный температурный коэффициент электропроводности (в отличие от металлов). Электропроводность П. зависит от температуры, количества и природы примесей, влияния электрического поля, света и других внешних факторов. К П. относятся простые вещества — бор, углерод (алмаз), кремний, германий, олово (серое), селен, теллур, а также соединения — карбид кремния, соединения типа filmen (инднй — сурьма, индий — мышьяк, галлий — сурьма, алюминий — сурьма), соединения двух или трех элементов, в состав которых входит хотя бы один элемент IV—VII групп периодической системы элементов Д. И. Менделеева, некоторые органические вещества — полицены, азоаромати-ческие соединения, фталоцианин, некоторые свободные радикалы и др. К чистоте полупроводниковых материалов предъявляют повышенные требования, например, в германии контролируют примеси 40 элементов, в кремнии — 27 элементов и т. д. Тем не менее некоторые примеси придают П. определенные свойства и тип проводимости, а потому и являются необходимыми. Содержание примесей не должно превышать 10 —Ш %. П. применяются в приборах в виде монокристаллов с точно определенным содержанием примесей. Применение П. в различных отраслях техники, в радиотехнике, автоматике необычайно возросло в связи с большими преимуществами полупроводниковых приборов — они экономичны, надежны, имеют высокий КПД, малые размеры и др. [c.200]

Величина 1/2, обратная импедансу, называется комплексной проводимостью или адмиттансом. Эквивалентная схема, отвечающая уравнению (59.11), состоит из параллельного соединения емкости С и сопротивления R [c.304]

Величина изомерного сдвига в сплавах, особенно в твердых растворах на основе чистых металлов, в отличие от химических и интерметаллических соединений, в основном связана с изменением плотности электронов проводимости, причем б для данной фазы незначительно меняется с изменением концентрации с растворенного компонента. На рис. XI.2 представлена зависимость изомерного сдвига от концентрации олова для системы 1п—8п, где [c.201]

Под действием электрического поля в техническом диэлектрике протекают слабые по величине токи сквозной проводимости, или токи утечки. Носителями зарядов сквозной проводимости являются часто ионы, редко — электроны. Ионы возникают при распаде молекул самого диэлектрика под действием электрического поля, вследствие старения диэлектрика и других причин. Но наиболее часто ионы образуются при распаде молекул полярных примесей, которые всегда имеются как в природных, так и в синтетических полимерах. Поэтому полимеры, предназначенные для использования в качестве диэлектриков, подвергаются тщательной очистке от следов катализаторов, эмульгаторов, растворителей и т. п. Особенно сильно ухудшают диэлектрические свойства полярные соединения с малым размером молекул (вода, спирты, сложные эфиры, ацетон, низкомолекулярные конденсационные полимеры — димеры, тримеры и т. д.). К существенным недостаткам органических диэлектриков относится их относительно низкая теплостойкость. [c.340]

Легирующие добавки. Донорные и акцепторные примеси, необходимые для создания р—га-перехода, определяют не только величину и тип проводимости, но и участвуют также в самом процессе излучательной рекомбинации. В качестве доноров для соединений А В используют элементы VI группы — Те, 8 и Зе, а в качестве акцепторов — элементы II группы — гп, Сс1, М . В качестве доноров и акцепторов (в зависимости от подрешетки замещаемого узла) иногда используют элементы IV группы — Зп, 31 и Се. [c.145]

Как можно видеть из приложения 13, моносульфиды обладают наивысшей термической устойчивостью по сравнению с остальными сульфидами (инертная атмосфера или вакуум). Плавление при температурах выше 2000° С обычно сопровождается разложением на Ьп и ЬПз54 [929]. Измерение магнитной восприимчивости некоторых моносульфидов показывает, что в этих соединениях рзэ остаются трехвалентными, следовательно, третий электрон каждого атома металла не участвует в образовании химической связи. Совокупность этих электронов и характеризует, по-видимому, металлическую составляющую решетки моносульфидов. Низкая микротвердость Ьа5 и высокие величины проводимости низших сульфидов подтверждают их полуметаллический характер. [c.36]

В качестве присадок, повышаюпщх проводимость топлив ( антистатические присадки), исследованы некоторые соли (кальциевые, хромовые) органических кислот, олеаты и другие соединения. В табл. 83 показаны концентрации некоторых присадок, необходимые для обесиечения безопасной величины проводимости топлив. [c.327]

Разумеется, что исследование связи величин проводимости и каталитической активности молекул, оторванное от рассмотрения общего характера действия растворителя на скорость органической реакции, не могло дать правильного объяснения действия нейтральных солей. Лишь изучение раствора как соединения между растворителем и растворенными веществами может облегчить химикам установление механизмов жидкофазных реакций — такой абсолютно справедливый общий вывод сделал Сэммис в 1906 г. на основании анализа большого числа экспериментальных данных о влиянии нейтральных солей на скорости органических реакций [195]. [c.50]

Невозможность изменения типа проводимости соединений А в с широкой запрещенной зоной путем легирования соответствующими примесями объясняется явлением электрической самокомпенсацип, то есть захватом носителей внедренной примеси противоположнозаряженным решеточным дефектом (например, вакансией). Если энергия, выигрываемая при захвате носителей, больше энергии образования вакансии, то процесс внедрения примеси будет сопровождаться образованием вакансии. Энергия образования последних оказывается тем больше, чем выше энергия атомизации кристалла, величина которой в свою очередь уменьшается с ростом ионности связи и размера атома. С другой стороны, энергия, выигрываемая при компенсации, тем больше, чем шире расстояние между уровнями донора и акцептора (то есть чем больше ширина запрещенной зоны и чем меньше глубина уровня компенсирующего дефекта). Отсюда ясно, что самокомпенсация более вероятна в соединениях с широкой запрещенной зоной и с ионной связью и менее вероятна в ковалентных соединениях с узкой запрещенной зоной. Для арсенида галлия ( д = 1,42 эв, связь — ковалентная) явление самокомпенсацип практически отсутствует для сульфида цинка ( д = 3,7 эв и преимущественная доля ионной связи) самокомпенсация очень сильно выражена. [c.38]

Все катодолюминесцирующие соединения принадлежат к числу диэлектриков или полупроводников с высоким удельным сопротивлением. В табл. 2 приведено удельное сопротивление ряда химических соединений, служащих основой для типичных промышленных катодолюминофоров. Цифры первой графы относятся к чистым препаратам. Внесение в них в качестве активатора того или другого металла, как и всякое загрязнение вообще, повышает величину проводимости. Изменение последней, однако, невелико и существенно не меняет динамики зарядов на экране при возбуждении электронным лучом. В графе второй приведены сопротивления соответствующих активированных катодолюминофоров по данным Ноттингама [207]. [c.56]

Отсутствие влияния типа и величины проводимости GaAs на скорость растворения позволяет принять, что в процессе растворения восстановление ионов трехвалентного железа происходит в основном за счет валентных электронов арсенида галлия. При увеличении порядкового номера элемен-тов — компонентов соединений уменьшаются значения электронной плотности в электронных мостиках между ближай- [c.215]

В серии исследуемых формилпроизводных I,5-дифенип-З-арил-2-пиразолинов 11-У11, несмотря на большую удаленность заместителя X от реакционного центра, влияние его на протоноакцепторную способность альдегидной группы проявляется довольно отчетливо. При этом величины этих соединений, как и серии бензальдегидов /16/, хорошо коррелируют с б -константами заместителей X (коэффициент корреляции г = 0,976, дисперсия 2,5) . Рассчитанная величина реакционной константы (П -21,9, естественно, существенно ниже, чем для соответствующей серии бензальдегидов ( тд = -50,5 /16/) коэффициент проводимости электронных [c.470]

Оксо-синтез—реакция между олефинами, водородом и окисью углерода, проводимая с целью получения окисленных соединений, главным образом альдегидов, которые впоследствии можно гидрировать в спирты. При этом применяются температура 150—205 °С и давление 150—300 ат катализатором служит кобальт (в первоначальном процессе использовали твердый катализатор Фишера— Тропша). Активным агентом является дикобальтоктакарбонил [Со(С04) з. в установке с неподвижным слоем твердого катализатора сырьем может Служить жидкий гептен, который подается с объемной скоростью 0,4 ч . В случае применения пасты ее прокачивают через реактор с объемной скоростью 1,3—3 тогда как объемная скорость газа составляет 250 Катализатором является 2,5%-ный нафтенат кобальта на носителе. Порядок величины константы скорости реакции в жидкой фазе к= =0,02—0,07 мин при температуре 110 °С и давлении около 200 ат. В настоящее время опубликованы обзоры по оксо-синте- [c.330]

Легирующий элемент для металлов, образующих ионные соединения (напрнмер, AgBr), скорость возникновения которых определяется величиной электронной проводимости, зависящей от концентрации электронных дефектов (дырок), должен удовлетворять неравенству (232). [c.112]

Растворы электролитов в неводных растворителях с относительно высоким значением е не обнаруживают отклонений в зависимости эквивалентной электрической проводимости от концентрации. Однако для растворов электролитов в растворителях с низкой диэлектрической проницаемостью эта зависимость не соблюдается. Например, для растворов AgNOз в пиридине (8=12,3) кривая зависимости эквивалентной электрической проводимости (А.) от концентрации имеет максимум (рис. 10.4). Это объясняется тем, что при определенных концентрациях вследствие малой величины диэлектрической проницаемости растворителя образуются комплексные соединения, диссоциация которых протекает по сложному механизму. [c.149]

Часто катализаторы являются полупроводниками. Между каталитической активностью и проводимостью катализатора обычно имеется связь. Чаще всего с ростом одной из этих величин растет и другая. Во многих случаях промоторы увеличивают проводимость. Установление нестехиометрического состава в твердых соединениях приводит к полупроводниковой проводимости и часто увеличивает каталитическую активность. Электроны проводимости и дырки (см. гл. XXII) на поверхности твердого тела могут в известном смысле рассматриваться как особые, обладающие химической активностью центры, способные образовать связь с адсорбированным атомом. [c.412]

Оптическая (зеркальная) изомерия. Оптическими изомерами являются комплексные соединения, способные существовать в виде двух изомеров, один из которых по своей конфигурации является зеркальным повторением другого. Оптические изомеры обладают одинаковой по величине, но противоположной по знаку вращательной способностью плоскости поляризации светового луча, различными скоростями взаимодействия с молекулами оптически активного заместителя. Такие свойства, как молекулярная проводимость, магнитные и кислотно-основные, не зависят от конфигурации оптического изомера. Оптическая изомерия наблюдается у комплексных соединений М[Ни (С204)2РуЫ01, Кз[НЬ ( 204)20121, Кз[1г(0204)2012], [СоЕп2СШ02]Х и др. [c.240]

Из формулы (16.13 ) видно большое влияние длины тягового участка /, поскольку он входит в выражение в третьей степени. При выборе расстояний между тяговыми подстанциями нужно также учитывать, что допускаемые по нормали VDE0115 предельные значения напряжений на рельсах наземных железнодорожных путей распространяются на всю железнодорожную сеть, поскольку пути в туннеле и наземные пути образуют общую рельсовую сеть со сквозным электрическим соединением. При определенном профиле рельсов с известной величиной их сопротивления на единицу длины на величину падения напряжения в туннеле может повлиять также качество изоляции рельсов и сквозного соединения всех секций туннеля (значения и должны быть низкими). Согласно измерениям в новых и хорошо дренируемых туннельных сооружениях (со стоком воды), при укладке ходовых рельсов на обычном щебеночном основании может быть достигнута проводимость (утечка с ходовых рельсов на несущую конструкцию туннеля) в расчете на единицу длины G5j.<0,l См-км-. Хотя этот показатель с течением времени увеличивается, однако лишь при самых неблагоприятных обстоятельствах он может превысить [c.327]

ДИЭЛЬКОМЕТРИЯ (диэлектрометрия), совокупность методов количеств, определения в-в и исследования их мол. структуры, основанных на измерении диэлектрич. проницаемости и тангенса угла дголектрич. потерь tg5. Диэлектрич. св-ва изучают в постоянном в переменном (с частотой до 10 Гц) электрич. полях. Как правило, определяют относит, величины е, = С/Сд, где С и Со-емкости одного и того же конденсатора соотв. с исследуемым в-вом и с воздухом. Абс. величина = , о, где (,-диэлектрич. проницаемость вакуума. В переменном электрич. поле наблюдается сдвш- фазы ф между наложенным напряжением с частотой м и током, протекающим через конденсатор с в-вом. При этом потери электрич. энергии количественно характеризуют величиной tga, где а = 90 — ф. Ячейку с диэлектриком принято изображать электрич. эквивалентной схемой, состоящей из идеального (т. е. не имеющего потерь энергии) конденсатора емкости С, соединенного, как правило, параллельно с идеальным сопротивлением Я, не имеющим реактивной проводимости. В этом случае tga = 1/иСЛ и его определение сводится к измерению С и Л. [c.109]