Магнетосопротивление

Рис. 26.34. Поперечное и продольное магнетосопротивление никеля при температуре 20° С [181].

Измерения эффекта Холла и магнетосопротивления этих МСС показало, что для первой и второй ступеней характерно одновременное с гществование р и п носителей тока. [c.274]

Для металлов в приближении одной сферической зоны в пределе крайнего вырождения В" = О и, следовательно, магнетосопротивление равно нулю. [c.331]

Существование конечного продольного магнетосопротивления очень убедительно указывает на необходимость более тщательного изучения процессов переноса с учетом несферичности поверхностей Ферми. Формулы для продольного эффекта оказываются намного сложнее, чем (601) [12]. [c.332]

Осцилляции. Эффект Шубникова—де Гааза. В квантующем магнитном поле изменяется не только поведение плотности состояний, но и характер взаимодействия носителей заряда с кристаллической решеткой. Это приводит к качественно новым кинетическим свойствам проводящих кристаллов. Влияние квантования движения электронов проводимости в магнитном поле на гальваномагнитные эффекты впервые заметили Шубников и де Гааз (1930 г). Они наблюдали осцилляционную зависи- мость поперечного магнетосопротивления висмута от Я, причем осцилляции были периодическими по величине 1/Я. Позднее осцилляции магнетосопротивления подробно изучали не только в висмуте, но и в ряде других металлов. Было показано, что их природа хорошо согласуется со значениями, получаемыми из эффекта де Гааза—"ван Альфена. [c.342]

В сильных полях, кроме осцилля-циониых эффектов, можно наблюдать ориентационные. Так, меняя ориентацию кристалла и измеряя различные компоненты тензора сопротивления, можно обнаружить открытые траектории движения электронов (см. рис. 141) по сильному увеличению поперечного магнетосопротивления при некоторых определенных ориентациях поля. [c.342]

Действительно, если траектория закрыта, то, согласно выражению (602), поперечное магнетосопротивление стремится к постоянной величине (насыщается) при неограниченном увеличении магнитного поля. В направлении открытых траекторий поперечное 342 [c.342]

Итак, исследуя магнетосопротивление очень чистых монокристаллов при низких температурах в зависимости от ориентации относительно магнитного и электрического полей, можно получить сведения о топологии поверхностей Ферми. [c.343]

Замечательно, что различные методы изучения поверхностей Ферми металлов не только великолепно дополняют друг друга (рис. 148), но и дают достаточно избыточной информации для перекрестной проверки, В каждом методе измеряют прежде всего какую-нибудь одну существенную характеристику поверхности Ферми экстремальные сечения (эффект де Гааза—ван Альфена,. Шубникова — де Гааза), эффективные массы (циклотронный резонанс— см. гл. VHI) экстремальные диаметры (магнетоакустический резонанс — см. гл. VH), фермиевские скорости (угловая зависимость поглощения ультразвука) и общие топологические свойства — существование и ориентацию открытых траекторий (ориентацйонная зависимость магнетосопротивления). [c.343]

Поскольку кристаллиты графита обладают значительной электрической анизотропией и носители зарядов движутся в основном в плоскости слоев, на величину магнетосопротивления влияет как совершенство кристаллитов, так и их предпочтительная ориентация. Последнее опреде- [c.95]

При измерении образцов полуфабриката ГМЗ, обработанного в интервале температур 1500-3000 °С [56], в соответствии с увеличением размеров кристаллитов и с изменением зонной структуры, степень графитации изменялась от О до 0,54. Совершенствование структуры сопровождалось ростом подвижности, уменьшением концентрации носителей заряда и увеличением электронной составляющей в процессе переноса заряда. При этом росло магнетосопротивление, знак коэффициента 96 [c.96]

Магнетосопротивление, %. . О Коэффициент Холла, см /Кл О [c.97]

Электронные свойства стеклоуглерода были подробно изучены в работе Ямагучи Т. на образцах двух типов первый — непроницаемый стеклообразный второй — пористый. Измеряли постоянную Холла (/ х) магнетосопротивление (Др/р) и удельное электросопротивление (р) в зависимости от температуры обработки при разных температурах испытания. Полученные результаты показали, что образцы первого типа плохо графитируются, причем, это объясняется особенностями структуры. Образцы второго типа при высоких температурах обработки частично графитируются, однако температура, при которой происходит графитация, сдвинута в область более высоких температур, чем у легко графитируемых углеродных материалов. На рис. 80 приведены изменения и Др/р от температуры обработки. Как видно, для графитирующегося материала постоянная Холла имеет максимум в области 2000 °С, а магнетосопротивление начинает резко возрастать с этой же температуры. Для образца первого типа постоянная Холла Непрерывно растет с температурой обработки вплоть до 3200 °С, а магнетосопротивление почти не изменяется (при отрицательных температурах испытания наблюдается большое уменьшение в области высоких температур обработки). Так, возрастает с температурой и достигает максимума около 2800 °С, Др/р также возрастает, начиная с 2600 °С. Некоторая способность образцов второго типа к графитации объясняется неоднородностью материала, при которой графитируются отдельные небольшие области. [c.201]

Изменение сопротивления в магнитном поле (магнетосопротивление) [c.469]

При обычно используемых напряженностях поля Н < 10 э и комнатной температуре магнетосопротивление Др/р о (Ар — изменение сопротивления в магнитном поле, р о — сопротивление при Я = 0) для большинства металлов весьма мало. Например, для меди Др/р о 10 при Н = 2-10 а. Исключением является висмут, у которого Др/р о 2 при Н = 3-10 5. В полупроводниках этот эффект значительно больше, чем в металлах (например, в германии при Т яа 100 К и [c.469]

Шестнадцатая глава посвяшена магнитным свойствам наноструктур. Наноразмерные магниты позволяют создавать исключительную плотность магнитной записи с участием магнитных носителей. В настоящее время кроме размерного эффекта суперпарамагнетизма, большой интерес вызывают эффекты гигантского магнетосопротивления для построения наноматериалов с регулируемыми электромагнитными свойствами, а также эффекты квантового магнитного туннелирования. В результате регулируемого наноструктурирования магнитных сплавов возникают новые возможности создания магнитомягких или магнитожестких материалов с улучшенными механическими свойствами. [c.14]

Рис. 26.35. Магнетосопротивление никеля при различных температурах [177].

Рис.. 26.36. Магнетосопротивление сплава Ag — Мп в поперечном (сплошная кривая) и продольном (пунктир) магнитных полях при 20 (а) и 4,09° К (б) [173] (указано атомное содержание компонента).

Рис. 26.37. Продольное магнетосопротивление АЯ /монокристалла сурьмы при различных температурах (главная ось перпендикулярна к иаправлеиию тока) [178]

Рис. 26.38. Зависимость магнетосопротивления в области точки Кюри при различных полях для сплава 36% N1, 64% Ре от температуры [181].

Иногда используется термин магнетосопротивление , который нельзя признать удачным.— Прим. ред. [c.176]

Магнитные свойства наноструктур облацают большим разнообразием и значительно отличаются от массивного материала. Основной вклад здесь вносят размерные эффекты, влияние поверхности, образующих наноструктуру кластеров, межкластерные взаимодействия или взаимодействия кластера с матрицей и межкластерная организация. Особенности формирования наноструктур и их свойства позволяют синтезировать новые магнитные наноматериалы и магнитные наноустройства на их основе. К числу наиболее характерных и впечатляющих свойств нанокластеров и наноструктур следует отнести прежде всего суперпарамагнетизм, который проявляется при размерах магнитных кластеров 1-10 нм, магнитную однодомен ность нанокластеров и наноструктур вплоть до 20 нм, процессы намагничивания, которые чувствительны не только к характеру магнитного упорядочения кластера, но и к его размеру, форме, магнитной анизотропии, эффекты магнитного квантового туннелирования, при которых намагниченность меняется скачками, подобно эффектам одноэлектронной проводимости, и эффекты гигантского магнетосопротивления. Представляют большой интерес магнитные фазовые переходы первого рода в нанокластерах и наноструктурах, когда магнитное упорядочение в наносистеме исчезает скачком и наносистема переходит в парамагнитное состояние, минуя суперпарамагнитное состояние, для которого характерно сохранение магнитного упорядочения ниже точки Кюри. [c.522]

В последнее десятилетие в связи с открытием в купратах высокотемпературной сверхпроводимости существенно возрос интерес к свойствам не только медных оксидов с металлической проводимостью, но и к неметаллическим купратам, а также к оксидам других металлов, например, никеля и манганца. Оксиды демонстрируют разнообразные и сложные фазовые диаграммы многие переходят в магнитоупорядоченное состояние при понижении температуры, в состояние с зарядовым упорядочением, имеются переходы металл-диэлектрик, а некоторые манганиты показывают чрезвычайно высокую чувствительность электрического сопротивления к внешнему магнитному полю — гигантское магнетосопротивление — изменение сопротивления на несколько порядков величины в магнитном поле порядка нескольких тесла. Природа этих явлений составляет одну из актуальных проблем современной физики твёрдого тела. В этой связи изучение изотопических эффектов в оксидах представляет большой интерес. Оказалось, что фазовая диаграмма оксидов довольно сильно изменяется при изотопическом замещении кислорода. [c.94]

Малинский Б. И., Немченко В. Ф., Львов С. М., Изв, ВУЗов, Физика, № 6, 125 (1970). Магнетосопротивление и эффект Холла в карбидах металлов IVa подгруппы, [c.259]

Малинский Б. М., Немченко В. Ф., Львов С. П., Изв. ВУЗов, Физика, № 3, 134 (1971). Эффект Холла и магнетосопротивление нитридов титана и циркония. [c.259]

Эффект гигантского магнетосопротивления (ГМС) состоит в значительном уменьшении сопротивления наноматериала при действии магнитного поля (до 1000%), в то время как магнетосопротивление массивных образцов изменяется незначительно (например, сопротивление пермаллоя 80 % N —20 % Ре возрастает в магнитном поле на 3 %). Эффекты ГМС наблюдались при изучении магнитных свойств различных металлических и оксидных наносистем, причем механизмы возникновения ГМС у нанокристаллических металлов и оксидов металлов различны. [c.545]

Рис. 16.16. Магнетосопротивление, (в) и петля гистерезиса наносистемы Со(бСи84 при Т = 5 К (5) [17]. Крестиками отмечены первоначальные кривые

Справочник химика 21

Химия и химическая технология