Электронная увеличение

Для того чтобы обеспечить большую сохранность препарата в условиях вакуума и воздействия электронов, целесообразно добиваться в электронном микроскопе в 3—4 раза меньшего увеличения, чем требуется, а затем увеличивать изображение обычным оптическим путем (при фотопечати). Применение небольшого электронного увеличения позволяет, кроме того, расширить поле зрения, т. е. включить в изображение большее число деталей картины. А методом оптического фотоувеличения достигается затем необходимая разрешаюш,ая способность. [c.147]

Таким образом, переход от металлов к неметаллам в периодах является следствием возрастания прочности удержания атомами своих внешних электронов. Увеличение металлических свойств в группе сверху вниз обусловлено уменьшением прочности связи внешних электронов. [c.63]

Следовательно, при наличии заместителя первого рода, подающего электроны, увеличение электронной плотности происходит [c.265]

Окисление Потеря электронов Увеличение [c.280]

Окисленное соединение Теряет электроны Увеличение [c.280]

С1 +, Аг +. Таким образом ясно, что при постоянстве числа электронов увеличение ядерного заряда сжимает электронную оболочку и увеличивает [c.68]

Окисление — отдача электронов — увеличение степени окисления [c.126]

Рассмотрим изменение потенциальной энергии системы на примере сближения двух атомов водорода. Когда атомы находятся на очень большом расстоянии друг от друга, они не взаимодействуют и энергия такой системы близка к нулю. По мере их сближения возникают силы притяжения между электроном одного атома и ядром другого и наоборот. Эти силы увеличиваются обратно пропорционально квадрату расстояния между атомами. Энергия системы понижается. По мере сближения атомов начинают играть роль силы отталкивания между их ядрами и электронами. Увеличение сил отталкивания обратно пропорционально уже шестой степени расстояния. Кривая потенциальной энергии проходит через минимум, а затем резко уходит вверх (рис. 10). [c.43]

В 1927 г. Гейзенберг указал на невозможность точного одновременного определения положения и момента (энергии) электрона. Согласно принципу неопределенности Гейзенберга (который важен только для малых частиц, таких, как электрон), увеличение точности определения положения частицы вызывает увеличение ошибки определения момента частицы, если эти определения проводятся одновременно. [c.16]

Разрешающая способность 5 нм Электронное увеличение (ступенями) 2500 5500 7000 [c.319]

Адсорбция этих соединений изменяет энергетическое состояние атомов металла на поверхности, о чем свидетельствует уменьшение работы выхода электрона. Увеличение контактной разности потенциалов более чем на 0,3 В указывает на возникновение прочной связи, в которой ингибитор является донором, а металл — акцептором (подробно см. ниже). [c.52]

Оба метода приводили к одинаковым результатам. Тени показывали, что в обоих случаях отдельные мицеллы представляют собой шаровые сегменты или цилиндры. Первая форма является наиболее вероятной. Визуальное изучение и съемку препаратов проводили на электронном микроскопе ЭИ-5 при прямых электронных увеличениях до 80 ООО и ускоряющих напряжениях 50 и 60 кв. [c.215]

Реакции, при которых возникают соединения аммония, иодония и сульфония, принадлежат к первой группе, ко второй относятся реакции окисления и восстановления. Окисление атома впечет за собой потерю электронов (увеличение положительного заряда), восстановление сопровождается увеличением числа электронов (потерей положительного заряда). [c.323]

Одна из возможных причин изменения распределения неспаренного электрона на радикальном фрагменте состоит в искажении его геометрии. Если все связи атома азота со своим ближайшим окружением лежат в одной плоскости, то, как уже отмечалось выше, изотропная константа СТВ на атоме азота обусловлена поляризацией спинов у s-электронов. Увеличение угла между направ- [c.20]

На рис. 7-7 представлен разрез колонны электронного микроскопа третьей группы ЭМ-9, разработанного ГОИ. Оптика микроскопа состоит из длиннофокусной электронной пушки и двух электромагнитных линз. Микроскоп позволяет проводить визуальное наблюдение объекта в проходящих лучах, а также фотографировать изображение. Для получения качественных микрофотографий прибор снабжен трехкратной лупой и световым микроскопом (20><). Смена объектов производится с помощью вакуумного шлюза без нарушения вакуума в колонне микроскопа. Гарантированное разрешение прибора составляет 35 А, электронное увеличение изменяется в диапазоне 2500—7000><. Электронные микроскопы ЭМ-9 изготавливаются Красногорским механическим заводом. [c.224]

Потеря электронов—увеличение алгебраической величины валентности [c.130]

Прочность связи в структурах металлов зависит от числа валентных электронов, которые может отдавать каждый атом. Так, если рассматривать элементы вдоль первого длинного периода Периодической системы элементов, то атомы К, Са, 5с, Т1, V и Сг будут отдавать соответственно 1, 2, 3, 4, 5 и 6 электронов. Увеличение прочности связи при переходе от К к Сг очевидно, так как при этом повышаются точки плавления и твердость и уменьшаются межатомные расстояния. Эти физические свойства остаются примерно постоянными от Мп до N1, на основании чего Полинг приписал этим элементам металлическую валентность 6. Приведенные им значения металлической валентности меди и цинка (5,5 и 4,5 соответственно) вычислены на основании магнитных свойств этих элементов. Дробные значения соответствуют ситуации, при которой в данный момент некоторые атомы находятся в одном валентном состоянии (например, 6), а некоторые в другом (например, 3 или 4). Однако эти значения подвергались критике. [c.137]

Значение Ои при таких дозах незначительно возрастает как при у-облучении, так и при облучении потоком электронов. Увеличение показателя наблюдается также при испытаниях стеклотекстолита на сопротивление ударным нагрузкам. При дозе излучения более 0,01 МДж/кг ударная вязкость материала увеличивается на 5—6% и достигнутое значение мало изменяется при возрастании дозы до 1 МДж/кг. [c.85]

При больших значениях А четвертому электрону выгоднее спариться с одним из электронов низкоэнергетической трехкратно вырожденной орбитали tig, чем преодолевать действие сильного поля лигандов. Образующийся комплекс будет низкоспиновым и менее парамагнитным (два неспаренных электрона). Увеличение числа -электронов до шести в сильном поле лигандов приводит к диамагнитным комплексам, примером чему служит соединение [Со(КНз)в1 +. [c.116]

В результате координации олефина с металлом переходной валентности происходит разрыхление двойной связи, поляризация я-электронов, увеличение ее реакционной способности. [c.21]

Соответственно этому увеличение эффективного заряда ядра при переходе от N в ЫКз (в котором экранирующими являются пять внешних электронов азота общая пара эквивалентна одному неподеленному электрону) к О в ОНа составляет 0,6 (увеличение истинного заряда ядра на 1 за вычетом постоянной экранирования добавочного электрона). Увеличение эффективного заряда ядра при переходе от МКэ и [ЫК4] , в котором азот имеет формальный заряд Ч- I, равно 0,4 (истинный заряд ядра не изменился, но экранирование уменьшилось на один электрон). Отсюда следует, что единичный формальный положительный заряд увеличивает значение х для атома на две трети от разницы между данным атомом и стоящим рядом с ним справа в периодической системе. Формальный отрицательный заряд подобным же образом уменьшает значение х. [c.73]

Но, как указывал В. К. Семенченко [5], при предположении, что заполнение электронной оболочки соответствует возрастанию главного квантового числа п, для которого существует 22(2/- -1) =2п электронов, увеличение числа электронов должно происходить в такой последовательности [c.9]

Сильное рассеяние электронов, наблюдаемое при их прохождении через вещество, вызывает появление рефлексов в 10 —10 раз большей интенсивности, чем при рассеянии рентгеновских лучей при одинаковых условиях. Интенсивность рефлексов настолько велика даже для очень тонких слоев, что можно наблюдать дифракционную картину рассеяния непосредственно на флуоресцирующем экране. Поэтому для получения фотографического изображения дифракционной картины время экспозиции составляет всего несколько секунд, в то время как для получения рентгенограммы необходима экспозиция в несколько часов. Еще одним преимуществом высокой рассеивающей способности в случае электронного пучка является возможность использования малых количеств вещества для получения электронограмм. Так, при благоприятных условиях съемки требуется всего около 10 г вещества. Однако, с другой стороны, именно это свойство ограничивает область использования методов, основанных на дифракции электронов. Увеличение толщины образца вызывает настолько сильное поглощение электронов, что в этом случае уже не удается наблюдать дифракционной картины рассеивания. В результате этого использование методов, основанных на дифракции электронов, требует специальных методов препарирования, которые для полимеров будут рассмотрены в разделе Б-2. [c.231]

Первая стадия представляет собой полное расщепление кристалла на газообразные ионы, сопровождающееся увеличением теплосодержания, равным энергии решетки. Второй стадией является нейтрализация металлического иона присоединениелг к нему электрона, третьей — нейтрализация иона галогена путем отрыва электрона. Увеличение энергнп в процессе нейтрализации иона металла равно — V e, где — первый понизацпонный потенциал (гл. П1 и V). [c.495]

Дефектоскопия телевизионными методами в настоящее время осуществляется путем оперативного анализа изображения на зкране видеоконтрольного устройства. Телевизионные методы в этом случае по сравнению с визуально-оптическим методом обеспечивают повышенную достоверность и разрешающую способность за счет дополнительного электронного увеличения мелких деталей изображения, улучшения условий работы оператора и вторичной обработки изображения устранения помех и увеличения контрастности, построения линий равной яркости, введения цветового контрастирования и др. Автоматизированная дефектоскопическая аппаратура не получила пока распространения в связи с отсутствием в настоящее время достаточно четкого и широкого описания дефектов. Вместе с тем при необходимости высокоскоростной оптической дефектоскопии можно использовать принципы построения и аппаратуры и устройства для распознавания образов, аналогичные приборам и установкам, предназначенным для анализа по размерам, яркости или цвету макрочастиц. [c.262]

В результате центрифугирования присадок ВНИИ НП-370 и ПМС Я в растворе алкилата на лабора,торной стаканчиковой центрифуге получены образцы, изображенные на рис. 4 и 5. Микроскопия подобных образцов при прямых электронных увеличениях до 50 ООО раз позволяет обнаружить частицы неорганической дисперсной фазы главным образом коллоидных размеров. Поле зрения занимают мицеллы вещества присадки и их ассоциации. Аналогична электронмикроскопическая картина таких импортных при- [c.164]

На основании данных колебательных спектров установлено, что порядок связи 5—N в простых метилированных моно- и ди-сульфенамидах значительно больше единицы. На увеличенный порядок связи указывает также температурная зависимость спектров ЯМР, поскольку она обусловлена затрудненностью вращения вокруг связи 5—N и(или) затрудненностью инверсии у атома азота. На основанпи изучения температурной зависимости спектров ЯМР ряда циклических и ациклических сульфенамидов предполагают, что инверсия у атома азота является стадией, определяющей скорость реакции только у производных азпридина. Барьеры вращения вокруг связей 5—N в соединениях типа (38) равны 55—85 кДж/моль и определяются совокупностью взаимодействий между свободными парами электронов, увеличенным порядком связи 5—N и пространственными влияниями. В этой системе вклад кратного характера связи 8—N становится значительным только для соединений, у которых заместитель X представляет собой электроноакцепторную группу. На основании рентгеноструктурного анализа сульфенамида (39) установлено, что связи у атома азота лежат почти в одной плоскости, что обусловлено Ря— л-взаимодействиями между 5р2-гибридизованным атомом азота и электронодефицитным атомом серы. [c.439]

Следовательно, при наличии заместителя первого рода, подающего электроны, увеличение электронной плотности происходит в основном в орто- и пара-положениях туда и направляется электрофильный заместитель. Если же в ядре стоит заместитель второго рода, то он уменьшает электронную плотность в орто- и пара-положениях. Эти положения делаются невьп-одными для вступления электрофильного заместителя, и он направляется в мета-положение, не затронутое неблагоприятньпк влиянием заместителя второго рода [c.323]

Вероятно, при вступлении во внутреннюю сферу сильно трансвлияющего лиганда, такого, как тиомочевина, в отличие от молекул этилендиамина, анилина, аммиака, происходит довольно сильное возмущение электронной системы комплекса с перераспределением электронов. Увеличение электронной плотности по связи РЬ—Р, приводящее к ослаблению Р—0 (РЬ—Р—0С Н2п-ь 1), способствует гидролизу триэтилфосфита, диметилфосфористой кислоты и триизопропилфосфита. [c.15]

Микроскопические и электронно-микроскопические фотографии полированной поверхности показаны на рис. 1. 16, г. Электронное увеличение во всех случаях составляло X 11 500. Как видно из снимков, электрополированная поверхность в достаточной степени сглажена на других участках, отвечающих межкристаллит-ной прослойке и местам выделения отдельных фаз, видны канавки и промоины, образовавшиеся при электрополировке в результате большой разности химических потенщ1алов на этих участках по сравнению с основной массой прилегающего к ним сплава. [c.33]

Точечная прямая на фиг. 32 показывает, что при добавлении электрона (увеличении концентрации кобальта) в подполосу со спином вверх (по спонтанной намагниченности) происходит возрастание магнитного момента. После заполнения этой подполосы и с началом заполнения подполосы со спином вниз (против спонтанной намагниченности) момент должен уменьшаться. Пунктирная линия на фиг. 32 представляет собой линейную зависимость потолка полосы от состава сплавов, богатых кобальтом видно, что момент падает до значений более низких, чем в случае точечной линии. Это связано с уменьшением обменной энергии, что подтверждается соответствующим падеиием точе1Г Кюри в этой области составов (см. работу [341]).— Прим. ред. [c.80]

Во второй группе соединений (группа II в табл. 64), состоящей из ОРРз, ОР(ОСгН5)з и ОР[М(С2Н5)2]з, величина /)(Р = 0) растет от 130 примерно до 150 и наконец до 160 ккал/моль, несмотря на уменьшение электроотрицательности от 3,9 (Р) и 3,5 (О) до 3,0 (Н) [264]. Здесь преобладающим фактором является, по-видимому, относительная способность атомов фтора, кислорода и азота к отдаче электронов. Увеличение значений 0(Р = 0), вероятно, отражает большую прочность связей Р—X в пятивалентных соединениях по сравнению с трехвалентными, поскольку в пятивалентных соединениях образованию --д-связи благоприятствует поло- [c.240]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология