Донорный уровень

Поведение электронов в почти заполненной валентной зоне и в почти пустой зоне проводимости различно. Если один донорный уровень создает один носитель тока, то один акцепторный уровень как бы приводит в движение всю систему электронов валентной зоны. Однако описания этой сложной картины можно избежать. Представим целиком заполненную валентную зону электрически нейтральным сплошным фоном. Тогда отсутствие электрона на одном из уровней будет своего рода дыркой в сплошном фоне, по- [c.172]

Вероятность того, что донорный уровень Оу свободен (имеется дырка), есть [c.198]

Рис. 73. Модель образования электронной примесной проводимости в кремнии и германии а — в плоском изображении б — в зонной энергетической диаграмме д — донорный уровень — энергия активации донора 1+ — за-

I — валентная зона основного вещества 2 — зона проводимости основного вещества 3 — донорный уровень п-примеси илн акцепторный уровень р-примеси [c.149]

На рис. 7, а. на котором изображена энергетическая зонная схема для поверхности кристалла и на котором локальный уровень (акцепторный уровень А или донорный уровень В) представляет собой хемосорбированную частицу, такие переходы от одного типа связи к другому описываются как [c.69]

В качестве одной из альтернатив традиционному подходу в [58] предлагалось использовать тот факт, что фотовольтаический преобразователь работает при повышенных температурах, и то, что атомарный азот создаёт в алмазе глубокий донорный уровень (энергия активации 1,3 эВ). При температурах порядка 100-200 °С, в зависимости от степени легирования, этот уровень может ионизоваться и создать проводимость п-типа. С учётом последних достижений по сильному (до 10 см ) легированию алмаза азотом такой подход может оказаться весьма перспективным. [c.283]

Р и с. 31. Энергетические уровни "в УгОд. Донорный уровень представляет собой О в (см. также разд. 5.2.4). [c.133]

В — донорный уровень восстановителя. I — до освещения, П —после поглощения кванта света пигментом, [c.156]

Рис. 102, Схема электронных уровней полупроводника (а) (I — валентная зона, И — зона проводимости — уровень Ферми СС — середина запретной зоны А — акцепторный уровень О — донорный уровень и — ширина запретной зоны е, ш, Ди, и + — энергетические расстояния между зонами и уровнями) и доля различных форм хемосорбции молекул г о. Т1 , как функция параметра 8 (б).

РР — уровень Ферми СС —середина запретной зоны Л — акцепторный уровень Л —донорный уровень и — ширина запретной зоны е, (о, Д , — энергетические расстояния между зонами и уровнями [c.498]

Донорный уровень Запрещенная зона [c.21]

В последнюю требует, как мы видим, ничтожной энергии. Тепловой при 300° К более чем достаточно (—0,08 эв). Подобные уровни называются донорными они отдают электроны в зону проводимости (соответствующая энергия активации Ео поэтому и обозначается индексом О). Если донорный уровень лежит высоко в запрещенной зоне, его называют мелким, если низко — глубоким. На рис. 1У.16 отсчет Ео энергии идет в этом случае сверху вниз. [c.332]

Выше мы объясняли, почему образуется, например, сульфид свинца п- или р-типа тем, что если испаряются, допустим, атомы серы, заряд остается на вакансии и размазывается в решетке. Электроны, будучи гораздо слабее связаны с валентной зоной, чем электроны обычного иона серы, образуют донорный уровень. Если же испаряются атомы свинца, то в подрешетке свинца возникают +заряды, связанные с вакансиями, и образуют акцепторный уровень. Это дало повод многим авторам (см., например, [7], стр. 221) для объяснения знака носителей сопоставлять кривые зависимости логарифмов давления пара компонентов (простых веществ) А и В (как функций обратной температуры). При этом предполагалось, что если неметалл (В) испаряется легче металла (А), то полупроводник будет электронного типа, в противном случае — дырочного типа. [c.580]

На основании изложенного можно предполагать, во создает глубокий донорный уровень в сплаве 51-выяснения данного вопроса измерена сплаве 51—Ое, легированном оловом, в ШИрО-ком температурном интер вале, вплоть до 1000 °К. [c.185]

При низких температурах, т. е. после охлаждения, дело обстоит иначе. Распределение Ферми при низких температурах сужается электроны стремятся занять наиболее низкие, а дырки наиболее высокие свободные уровни. Грубо говоря, при низких температурах все уровни, располагающиеся выше уровня Ферми, будут свободными, а все уровни ниже — занятыми. В результате, как правило, примесные ионы оказываются только в одном валентном состоянии, самое большее — в двух, причем появление двух валентных состояний вместе возможно только тогда, когда положение уровня Ферми приблизительно совпадает с центром запрещенной зоны. В кристаллах без примесей положение уровня Ферми определяется собственными дефектами. Оно может изменяться в пределах, зависящих от положения уровней собственных доноров и акцепторов. При наличии примесных атомов эти пределы могут расширяться, причем примесные доноры, уровни которых располагаются выше уровней собственных доноров, повышают верхнюю границу до положения уровня примесного донора, а примесные акцепторы, уровни которых находятся ниже уровней собственных акцепторов, снижают нижнюю границу до положения уровня примесного акцептора. Отсюда вытекают интересные последствия, касающиеся возможных валентных состояний примесного атома в охлажденном кристалле. Если примесные атомы являются донорами, то их валентность может изменяться только тогда, когда их донорные уровни лежат выше самых низких собственных акцепторных уровней. Это означает, что примесь в таком случае может находиться в виде центров или F (или в виде F", если рассматривается двойной донорный уровень). Когда уровень примесного донора расположен ниже самого низкого уровня собственного акцептора, он всегда занят, т. е. атом примеси оказывается восстановленным. [c.510]

Обычно берегся Р = Mg /Л . Таким образом, донорный уровень находится ниже зоны проводимости (акцепторный — выше валентной зоны). [c.127]

Роль ионизационного механизма в разрушении полимеров нельзя считать однозначно и надежно установленной. При оценке вклада ионных процессов необходимо иметь в виду два важных обстоятельства. Во-первых, ионизация наступает лишь при больших (вблизи двукратных) деформаций химических связей, когда донорный уровень поднимается над валентной зоной на 4—5 эВ. Но разрыв макромолекулы на радикалы происходит, как правило, при меньших деформациях. Поэтому совсем необязательно, чтобы деформация сопровождалась ионизацией. Во-вторых, даже если ионизация происходит, ее результатом является образование ион-радикала, т. е. в конечном итоге главная роль в разрушении полимеров опять принадлежит радикалам. [c.304]

На основании изложенного можно считать, что адсорбция водорода на таком полупроводниковом окисле /ьтипа. как окис1> 1щнка. происходит с прямым или не прямым переносом электрона на свободный донорный уровень с образованием относительно слабой, но химически активной связи, типа водородной. Возросшая заселенность донорных уровней компенсируется последующей ионизацией посредством термического переброса электронов в зону проводимости. Квазиуровень Ферми донорных состояни смещается по нан])авлению к зоне проводимости, что выражается в уменьшении температурного коэффициента процесса проводимости. По существу эта концепция весьма сходна с постулатом об образовании ионов карбония нри адсорбции углеводородов, но ее преимущество заключается в том, что она облегчает более подробное рассмотрение основных аспектов явлений. [c.289]

В литературе имеется несколько сообщений, посвященных влектрическим свойствам УгОб [2, 3], которая, как было найдено, является полупроводником -типа. На основе опубликованных данных Морин построил диаграмму энергетических уровней [4], представленную на рис. 1. Ширина запрещенной зоны между валентной зоной и зоной проводимости была установлена в предположении, что граница оптической прозрачности, которую Борос наблюдал при 2,5 эв, обусловлена возбуждением электронов до перехода из валентной зоны в зону проводимости. Электроны, локализованные в незанятых кислородных узлах решетки образуют донорный уровень с энергией 0,42 эв. [c.238]

Таким образом, можно считать, что в растворе имеется определенная концентрация свободных электронов, т. е. электронов, совершающих перескоки от Ре " к Ре " и обратно. Конечно, свободные электроны в известном смысле умозрительное представление, так же как протоны в воде. Мгновенная концентрация электронов в растворе определяется высшим энергетическим уровнем электрона в ионеРе (так называемый высший донорный уровень или терм), низшим незанятым уровнем энергии электрона в ионе Ре и числом этих уровней в единице объема раствора, т. е. концентрацией (или, точнее, активностью) ионов Ре и Ре . Следовательно, в окислительно-восстановительной системе уровень Ферми находится между высшим занятым энергетическим уровнем электрона в восстановителе Ре и низшим свободным энергетическим уровнем в окислителе Ре " (рис. 36). Количественно "это можно описать, составив уравнение энергетического баланса электрохимических потенциалов реагирующих частиц в растворе. [c.97]

В соединении типа АВ (или МХ) с разупорядочением по Шоттки атомные дефекты имеют симметричные свойства одни образуют однозарядный донор-ный уровень, другие — однозарядный акцепторный уровень, причем донорный уровень расположен вблизи дна зоны проводимости, а акцепторный — недале-,ко от потолка валентной зоны. [c.349]

Теоретическим основанием ионизационного механизма является расчет электронного спектра макромолекулы, в которой одна из химических связей растянута [121]. Расчет предсказывает, что при удалении химической связи в спектре электронных уровней валентной зоны возникает локальный заполненный донорный уровень, который отщепляется от валентной зоны и движется вверх по мере удлинения связи. Энергия этого уровня достигает 4—5 эВ вблизи двукратного удлинения связи. Энергия разделения зарядов в полимере (электрон с макромолекулы нереносится на электронный уровень акцептора или ловушки с образованием ионной нары), по оценкам работы [120], составляет 4—5 эВ (с учетом потенциалов ионизации, сродства к электрону и глубины ловушек, кулоновского взаимодействия и энергии поляризации среды). [c.303]

При достаточно низких температурах донорный уровень практически не ионизирован. Это обстоятельство можно определить с помошью неравенства [c.258]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология