Локальные уровни

Если в кристалле имеются донорные или акцепторные примеси (иапример, изоморфно замещающие ионы в узлах кристаллической решетки), то в объеме и на поверхности полупроводника появляются избыточные электроны в зоне проводимости или избыточные дырки в валентной зоне и соответствующие локальные уровни энергии внутри запрещенной зоны. В зонной теории относительное количество электронов и дырок в полупроводнике характеризуется так называемым уровнем энергии Ферми (или просто уровнем Ферми), который имеет смысл химического потенциала электрона в полупроводнике. [c.454]

Структура информационных взаимосвязей между центральным и локальным уровнями рассматриваемого двухуровневого метода решения прямой комплексной задачи (при ограничениях на величину вероятности безотказной работы ХТС) представлена на рис. 8.6. На уровне А после изучения процесса функционирования ХТС и расчета показателей надежности назначается некоторая желаемая величина вероятности безотказной работы ХТС в заданном интервале времени — Р 1). [c.224]

Е. Некоторые замечания относительно решения уравнений. Нелинейность уравнений уже упоминалась в связи с зависимостью/ (йщ,). Могут появиться и другие нелинейности, даже в том случае, если теплообмен рассматривается отдельно от массообмена. Например, коэффициент теплопередачи и в уравнении (9) может зависеть от локального уровня температур. Это происходит, например, в случае, когда вязкость жидкости снижается с ростом температуры. Кроме того, с изменением температуры могут сильно меняться удельные теплоемкости, особенно когда один из теплоносителей находится вблизи термодинамической критической точки. [c.28]

В примесных полупроводниках (и диэлектриках), как мы видели (см. рис. 101), в запрещенной зоне возникают локальные энергетические уровни (донорные, акцепторные и уровни прилипания , обусловленные дефектами структуры), в связи с чем вероятность рекомбинации (через локальные уровни) возрастает. Рекомбинацию через локальные уровни (центры рекомбинации) можно определить как переходы зона — локальный уровень — зона (рис. 180, г). [c.433]

Длинные цепные молекулы, содержащие большое число ковалентных связей, оказываются способными принимать различные конформации . Конформациями принято называть различные пространственные формы полимерной цепи, реализуемые поворотом одной части молекулы относительно другой вокруг направления соединяющей их химической связи. Их можно рассматривать на локальном уровне — ближний конформационный порядок (статистическая, зигзаг или спиральная) или как характеристику, описывающую форму всей цепи — макромолекулярная конформация (складчатая, статистический клубок, выпрямленная конформация). Конформации, характеризующие дальний конформационный порядок (такие, как выпрямленные цепи или длиннопериодная складчатость), могут быть получены в результате воздействия на расплав деформаций сдвига или растяжения или при помощи отжига. Следовательно, переработка полимеров, которая включает как деформирование, [c.38]

Атомы примеси вносят в Энергетический спектр кристалла все свои энергетические уровни, как занятые электронами, так и свободные. Если концентрация примеси мала, расстояния между ее атомами велики, и переходы электронов между примесными атомами, таким образом, исключаются, то в энергетическом спектре появляются обособленные, локальные уровни. Если же концентрация примеси достаточно высока, т. е. атомы примеси сближены и взаимодействуют друг с другом, то примесные уровни сливаются в зоны, которые размещаются в запрещенной зоне или накладываются на ближайшие незанятые уровни в разрешенных зонах. Таким образом добавляются новые уровни и зоны. Мало того, под влиянием примеси исходные энергетические зоны кристалла изменяются, уровень Ферми смещается. Словом, образуется новый, более -сложный энергетический спектр, отвечающий новой конфигурации электронов, которая возникает в результате изменения состава вещества. Это значит, что исходное — чистое вещество и вещество, полученное добавлением к нему примесей — разные твердые химические соединения, разные твердые вещества, относящиеся друг к другу как исходное соединение и продукт его химического превращения. [c.115]

Совершенно по другому проявляется контакт твердых тел, когда между ними возникают химические связи. Это относится как к мельчайшим кристаллам примеси, включенным в матрицу, так и к крупным кристаллам, находящимся в достаточно плотном контакте, исключающем какие-либо разделяющие прослойки. Благодаря химическим связям между контактирующими телами происходит перераспределение электронов, их частные энергетические зоны и локальные уровни преобразуются в общие зоны и уровни, устанавливается единый общий уровень Ферми. В частности, валентная зона и зона проводимости приобретают новый вид и занимают новое положение по отношению к уровню Ферми. [c.116]

Все электронные переходы, в том числе и переходы на локальные уровни типа 5 и 3—4 сопровождаются электронно-фонон-ным взаимодействием, в результате которого часть электронной энергии превращается в вибрационную энергию, т. е. в теплоту, нагревающую твердое тело выше первоначальной температуры, а часть излучается в виде квантов сниженной частоты, по сравнению с частотой поглощаемого излучения Поэтому, когда ширина запрещенной зоны не слишком сильно превосходит 3,1 эВ, т. е. энергию фотонов самого коротковолнового видимого света, полоса электромагнитного излучения данного вещества может находиться в области спектра видимого излучения. При более значительной ширине запрещенной зоны может иметь место испускание только ультрафиолетового излучения. [c.122]

Малые примеси к активной фазе катализатора (металла, полупроводника), как это объясняется электронной теорией катализа, могут резко повышать ее каталитическую активность и влиять на селективность каталитического процесса. Вокруг чужеродного атома, внедрившегося в поверхность катализатора, образуется зона напряжений, спадающих от центра к периферии, обладающих различной избыточной энергией, широким набором дополнительных локальных уровней энергий адсорбции. Тем самым повышается вероятность возникновения участков, оптимально соответствующих условиям данной реакции. Это обычный механизм промотирования катализаторов. Эффективность промотирующего действия добавок (активаторов, промоторов) растет с интенсивностью вызываемых ими нарушений решетки. Поэтому особенно эффективным нередко оказывается промотирование весьма малыми количествами таких веществ, которые при более высоких их содержаниях отравляют катализатор. Промотор может содействовать течению гетерогенно-каталитической реакции, способствуя адсорбции реагирующих веществ или десорбции продуктов с поверхности катализатора. Так, добавка оксида калия к железному катализатору синтеза аммиака способствует десорбции образующегося аммиака с поверхности. [c.306]

В зависимости от положения локального уровня в запрещенной зоне он может быть донорным или акцепторным (рис. 25). Чаще в кристаллах имеются уровни какого-либо [c.172]

Поглощение света или других видов энергии кристаллом приводит к преодолению запрещенной зоны основного вещества и к переходу электрона из валентной зоны в зону проводймости С (переход 1) или с уровней активатора в зону проводимости (переход 2). При поглощении света активатором возникают ионизованные центры свечения, т. е. вакантные уровни Ц, а при поглощении света основным веществом возникают дырки в валентной зоне. Дырки заполняют электронами с уровней активатора (переход 3), и также образуются вакантные уровни Ц. Часть электронов, попавших в зону проводимости С, могут рекомбинировать с ионизованными центрами свечения, т. е. переходить на вакантные уровни активатора (переход 4). Этим обусловлено кратковременное свечение, происходящее в начальный период после облучения люминофора ( мгновенное свечение ). Остальные электроны, попавшие в зону С, застревают на уровнях ловушек Л в местах нарушений кристаллической решетки (переход 5). При этом возможность прямой рекомбинации с ионизованными центрами свечения Ц полностью исключена, так как локальные уровни Л к Ц пространственно отделены друг от друга. Для такой рекомбинации требуется предварительное высвобождение электрона из ловушек Л с переходом его обратно в зону проводимости С (переход 6). Только-тогда по пути 4 может произойти акт высвечивания. Энергия, необходимая для переходов 6, может быть получена от тепловой энергии самой решетки. Для таких переходов требуется время, которое существенно зависит от температуры и разности уровней дна зоны проводимости С и ловушек Л. Излучение, сопровождающее рекомбинацию этих временно застревающих электронов на уровнях прилипания Л, представляет собой послесвечение кристаллов. [c.366]

Образование двухэлектронной связи и появление электрона на локальном уровне в запрещенной зоне может осуществляться двумя путями. Локализация электрона сопровождается выпадением его из зоны проводимости. Однако не исключена возможность появления электрона на локальном уровне за счет перехода его на этот уровень из валентной зоны, чему должно соответствовать возникновение свободной дырки в валентной зоне. [c.163]

При образовании одноэлектронной связи валентный электрон атома хотя и затянут в решетку катализатора, но остается локализованным у атома. Аналогичным образом возникновение двухэлектронной связи локализует электрон проводимости у хемосорбированной частицы, но в то же время он остается в решетке на определенном локальном уровне. Поскольку хемосорбированная частица и решетка катализатора представляют единую квантовомеханическую систему, рассматриваемую как единое целое, нельзя ставить вопрос о переходе электрона, если он остается внутри системы, кроме образования ионной связи. [c.165]

При освещении атом активатора, поглощая квант, возбуждается, а при его дезактивации происходит люминесценция. Время существования центра свечения в возбужденном состоянии индивидуально для каждого центра. Затухание люминесценции обычно подчиняется экспоненциальному закону в течение первого периода, длящегося 10 10 1 сек, после чего наблюдается весьма длительное слабое послесвечение, называемое рекомбинационным. В это время электроны, оторванные от центра свечения, некоторое время остаются свободными, а большую часть времени проводят на локальных уровнях, созданных в кристалле различными дефектами. [c.365]

Локальные уровни в запрещенной зоне полупроводника могут появиться не только из-за примесей, но и в ре- [c.300]

В — валентная зона основно-ГО пещества С — зона проводимости Ц — вакантные (локальные) уровни активатора Л — локальные уровни ловушек [c.457]

При делокализации дырки из КЛС возникает горячая зонная дырка с энергией -3,5 эВ, значительно превышающей термическую ширину запрещенной зоны. Размен этой энергии идет по двум каналам ударная ионизация, приводящая к размножению зонных дырок и электронов, и эмиссия фононов, приводящая к нагреву образца. После делокализации дырки из КЛС образуется кластер (V,N6,Ag) , что приводит к исчезновению пика плотности состояний в валентной зоне и отщеплению локального уровня от потолка валентной зоны, близкого по своему положению к уровню изолированной катионной вакансии. Появление этого уровня создает условия для повторения рассмотренной выше цепочки процессов, т.е. для продолжения цепной реакции. [c.87]

К физическому С.п. относятся процессы переноса в-ва через полимерный материал и перестройка его структуры (в частности, кристаллизация), вызываемая релаксац. процессами и изменением состава на локальном уровне. Перенос в-ва в полимерном материале сопровождается сорбцией диффундирующих в-в в разл. структурах материала, десорбцией из материала практически важных примесей (красителей, стабилизаторов, пластификаторов), что приводит к изменению его мех. св-в, плотности, объема, возникновению мех. напряжений. [c.415]

Механизм процессов, протекающих при С.п., Определяет изменение во времени / показателя У макроскопич. св-ва материала в зависимости от условия X Y=f(X,t), где f(X,t) наз. ф-цией старения. Причем Ва локальном уровне показатели X условий С. п. могут существенно отличаться от показателей условий внеш. среды. Напр., т-ра пов-сти материала, нагреваемого солнцем, значительно выше т-ры окружающего боздуха. [c.415]

Последствия загрязнения воздуха газовыми выбросами автомобилей проявляются в первую очередь на местном локальном уровне. Это связано с тем, что автотранспорт является специфическим источником загрязнения, который характеризуется следующими особенностями [c.342]

Создаваемые модели разрушения обычно концентрируют свое внимание на локальном уровне происходяш его явления, в то время, как явление разрушения представляет собой иерархический процесс, каждый уровень которого имеет свою геометрическую и масштабную структуру. Принадлежность модели разрушения тому или иному уровню происходящего явления позволяет оценить фаницы применения соответствующего критерия, совместно с сопоставлением результатов расчета по данному критерию с другими. Сопоставление результатов расчета с экспериментом требует тщательного анализа во избежание некорректных выводов. [c.157]

Все эти подходы взаимно дополняют друг друга. Что касается пространственных масштабов, то для гидрологических моделей предпочтительны крупные масштабы, а для физических моделей чаще применяются малые масштабы. Таким образом, на локальном уровне хорошо описываются процессы переноса и связанные с ними. Изучая их чувствительность, можно определить разницу в описании явлений в разных пространственно-временных масштабах, и на основании этого провести структуризацию проблемы. Моделирование помогает лучше понять специфику водного объекта и источников загрязнения, обосновать программы мониторинга и сравнить разные альтернативы контроля загрязнений на водосборе и в водном объекте. [c.268]

Отсюда следует, что каталитическая активность поверхности по отношению к данной реакции определяется, с одной стороны, положением в энергетическом спектре локальных уровней всех участвующих в реакции частиц, или, иначе говоря, энергети- [c.67]

Уровень Ферми остается хозяином в катализе лишь до тех пор, пока локальные уровни хемосорбированных частиц, участвующих в реакции, сохраняются зафиксированными. [c.67]

Заметим, одпако, что положение этих уровней зависит также от природы центров адсорбции, которые для одних и тех же молекул на одной и той же новерхности (на поверхности одной и той же химической природы) могут быть различных сортов (так называемая неоднородная поверхность). Такими центрами могут быть как регулярные атомы (ионы) кристаллической решетки, так и структурные микродефекты поверхности, имеющие биографическое или тепловое происхождение. Таким образом, молекулы одного и того же сорта, хемосорбированные на неоднородной поверхности, вносят в энергетический спектр локальные уровни не одного какого-либо вида, а, вообще говоря, целую систему уровней различных видов. [c.74]

Что касается энергетических спектров поверхности, то здесь мы не располагаем почти никакими данными (кое-что известно лишь о поверхностных уровнях на германии). Метод, который может быть здесь использован — это все тот же метод эффекта поля. В принципе этот метод может быть применен (хотя это и не сделано до сих пор) для нужд катализа для определения положения в энергетическом спектре локальных уровней молекул, хемосорбированных иа новерхности полупроводника, работающего в качестве катализатора. [c.75]

Прочность связи во всех случаях зависит от глубины локального уровня (глубины затягивания электрона в решетку). Образование одно- или двуэлектронных связей между атомом А и центрами адсорбции М+ или Я- является химической адсорбцией или образованием поверхностного химического соединения, т. е. является настояш,ей химической реакцией. [c.162]

Если вводить в кристаллическую решетку германия (кремния) атом галлия или другого элемента 11IA подгруппы, то у атома замещающей примеси не хватит одного электрона для осуществления четырех нормальных связей с соседними атомами германия. Одна из связей будет незаполненной (одноэлектронной), но атом галлия и смежный с ним атом германия будут электронейтральными. Однако при небольшом возбуждении электрон из какой-либо нормальной соседней связи между атомами германия может перейти в место незаполненной связи. Тогда у атома галлия появится отрицательный заряд, а где-то вблизи возникнет дырка (рис. 74). Таким легированием германия (кремния) элементами IIIA подгруппы можно повышать концентрацию дырок, которые станут основными носителями подвижных зарядов, а электроны — неосновными. Так как энергия возникновения дырки вблизи акцепторной примеси Д а тоже порядка сотых долей электрон-вольта, то появление галлия в решетке германия как примеси замещения, по-видимому, приводит к появлению локального уровня Ец вблизи верхнего края валентной зоны (рис. 74,6). Уже при невысокой температуре электроны из валентной зоны переходят на этот акцепторный уровень оставляя дырку в валентной зоне. Полупроводники с избытком дырок (с акцепторными примесями) называются дырочными или р-типа полупроводниками (от лат. positive — положительный). [c.240]

Зонная теория дает следующее схематичное объяснение механизма люминесценции кристалло сфоров. Впервые эти идеи были высказаны в 1934 г. Д. И. Блохинцевым. На рис. 92 изображена энергетическая зонная схема кристаллофосфора типа ZnS. Валентная зона основного вещества обозначена буквой В, зона проводимости — С, локальные уровни активатора — Ц, локальные уровни ловушек — Л. [c.366]

При внутреннем фотоэффекте первичным процессом является поглощение фотона с энергией, достаточной для возбуждения электрона в зону проводимости или на локальнью уровни, расположенные в запрещенной зоне полупроводника (см. гл. V). Если оптическое возбуждение электронов происходит из валентной зоны в зону проводимости, то наблюдается собст-венная фотопроводимость, которую 11111 [c.425]

Большинство неметаллических катализаторов обладает полупроводниковыми свойствами, поэтому заманчиво использовать это их свойство в качестве ключа к раскрытию природы активности. Такая возможность связана со способностью полупроводника обмениваться зарядом с адсорбированной частицей, принимая или отдавая электрон. Согласно существующей теории, центром хемосорбции (активным центром) является свободный электрон (или дырка ) полупроводника. Адсорбированные атомы или молекулы рассматриваются как примеси, нарушающие строго периодическую структуру решетки. В энергетическом спектре кристалла они могут быть изображены локальными уровнями, расположенными в запрещенной зоне полупроводника (см. гл. V). Разные частицы занимают различные уровни в запрещенной зоне. Если реагирующая частица занимает уровень, расположенный ближе к зоне проводимости, т. е. уровень адсорбированной частицы находится выше уровня Ферми на поверхности, то все хемосорбционные частицы являются донорами электронов. Если же уровень адсорбированной частицы ниже уровня Ферми, она является акцептором электронов. Таким образом, адсорбционная способность и каталитическая активность поверхности полупроводника определяются взаимным расположением локального уровня адсорбированрой частицы и по,ложением уровня Ферми на поверхности. Реакция называется акцепторной, если скорость 472 [c.472]

Примеси замещения, по-видимому, приводит к появлению локального уровня вблизи верхнего края валентной зоны (рис. 74, б). Уже при невысокой температуре электроны из валентной зоны переходят на этот акцепторный уровень Еа, оставляя дырку в валентной зоне. Полупроводники с избытком дырок (с акцепторными примесями) называются дырочными или р-типа полупроводниками (от лат. positive — положительный). [c.299]

Н. Д. Зелинским) о совместном воздействии физ. и хим. св-в пов-стн катализатора иа Превращаемые молекулы. Еще в сер. 19 в. А. И. Ходневым было выдвинуто представление об образовании промежут. поверхностных соед., роль к-рых наиб, последовательно рассмотрена в кон. 19-иач. 20 вв. П. Сабатье. Важную роль в развития теоретич. представлений сыграло Выйвинутое Г. Тейлорйм в 1925-26 предположение, связывающее каталитич. активность твердых тел с расположением атомов ha их пов-сти и наличием активных центров. Мультиплетная теория Г.к. (A.A. Баландин, первые публикации 1929) придает решающее значение соответствию расстояний между атомами молекул реагентов и параметров кристаллич. структуры катализатора (металла). В дальнейшем теория дополнена представлением о необходимости определенного соответствия энергий связей, разрывающихся и образующихся в результате р-ции, н энергий связи реагентов с катализатором при промежут. взаимодействии. Каталитич. действие полупроводников объясняли на основе электронной теории, согласно к-рой взаимод. реагентов с катализатором осуществляется при участии электронов проводимости и потому завнсит от расположения энергетич. зон и локальных уровней, концентрации носителей тока, работы выхода электрона и т.п. Широкое распространение получило предположейие, согласно к-рому особыми активными местами иа пов-сти твердых катализаторов являются кристаллографич. ребра и углы, а также выходы иа пов-сть дислокаций, т.е. нарушения кристаллич. Структуры. Для нанесенных катализато ров были развиты представления об особых св-вах отдельно расположенных, локализованных на пов-сти атомов или совокупностей атомов - ансамблей (теория активных ансамблей Н.И. Кобозева, 1939). [c.542]

Тепловое движение переносит часть электронов в зону проводимости в валентной зоне при этом появляются дырки-квантовые состояния, не занятые электронами. Обычно электроны занимают уровни, расположенные вблизи дна Е зоны проводимости, а дьфки - уровни, расположенные вблизи потолка Еу валентной зоны. Расстояния от этих уровней соотв. до Е и Еу порядка энергии теплового движения кТ, т. е. гораздо меньше ширины разрешенных зон ( -постояш1ая Больцмана). Локальные нарушения идеальности кристалла (примесные атомы, вакансия и др. дефекты) могут вызвать образование разрешенных локальных уровней энергии внутри запрещенной зоны. [c.56]

Резко отличаются электронные состояния примеси (81), помещаемой в узлы анионной или катионной подрешетки к-ВЫ, рис. 2.6. Если при замещении 81 -> В примесные состояния существенно делокализованы и примешиваются в основном к дну ЗП кристалла, инициируя электронную проводимость в допированной системе, то при замещении по типу 81 —> В примесные состояния образуют узкие локальные уровни в области запрещенной щели матрицы. Эти состояния частично заняты и расположены на -1,0 эВ ниже дна ЗП. Электроны, заселяющие примесные уровни, [c.44]

Поглощение возбуждающего света происходит в основном веществе (рис. 14.4.83,.а, б). В результате возбуждеЕшя электрон ё из заполненной валентной зоны переходит в зону проводимости (рис. 14.4.83, а, б I), а на его месте в валентной зоне образуется дырка, обладающая свойствами положительного заряда е" и способная передвигаться по валентной зоне. Передвижение дырки осуществляется в результате быстрого последовательного обмена электронами между соседними ионами валентной зоны. Если уровень активатора располагается вблизи от валентной зоны, то электрон с активатора рекомбинирует с дьфкой. Она всплывает и локализуется на его уровне (рис. 14.4.83, а, б П). В результате рекомбинации электрона е, попавшего в зону проводимости, с дыркой активатора е (рис. 14.4.83, а, б 111) возникает кратковременное свечение. Однако электрон, оказавшийся на нижнем уровне зоны проводимости, может перейти на локальный уровень (безызлучательный переход рис. 14.4.83, б, IV). Переход с локального уровня непосредственно на невозбужденный уровень активатора невозможен. Чтобы попасть на уровень активатора, электрон сначала должен вернуться назад в зону проводимости, для чего ему необходимо сообщить дополнительно небольшую порцию энергии. Запасенная электронами на ловушках энергия (так называемая запасенная светосумма) может быть освобождена при нагревании кристаллофосфора или облучении его ИК-светом. При помощи энергии, сообщенной извне (тепловой или лучистой), захваченный ловушкой электрон возвращается в зону проводимости (рис. 14.4.83, б, V), а затем рекомбинирует с положительно заряженным ионом активатора (дыркой), вызывая его люминесценцию. Люминесценция, отве- [c.509]

Контактную электризацию необходимо учитывать из-за нежелательной зарядки полпмерных пленок прн их контакте с металлами и диэлектриками. Изучение контактной электризации полимеров в чистых условиях опыта (в вакууме при тш,атель-ной очистке контактирующих поверхностей) позволило установить вполне однозначную зависимость эффективной плотности поверхностного заряда о от контактной разности потенциалов АФ, а анализ зависимости а = /(АФ) позволяет судить об энергетических уровнях захвата в полимере. Изучение контактной электризации является одним из методов изучения ловушек — электронных и дырочных локальных уровней захвата в полимере [3, с. 35]. [c.191]

Для германия радиус взаимодействия г д /екТ — 50 — 100 А. Так как поле соседнего иона уменьшает вероятность захвата носителей тока из зоны, наблюдается симметричное подтягивание уровней к краям Eg. В отсутствие вырождения и в том случае, если можно пренебречь вкладом возбужденных состояний, положение локального уровня в запрещенной зоне определяет электронную часть ССЭ адсорбированной частицы. Чем ближе может подойти к А , тем сильней энергия адсорбции. Этот вклад в энергию адсорбции должен учитываться независимо от ее изменения, наблюдаемого при сближении уровня Ферми с фиксированным дискретным уровнем. Приближенная оценка показывает, что кулоповская энергия взаимодействия разноименных ионов, расположенных на соседних центрах, при обычных температурах много больше кТ ( 0,5 эв и выше). [c.113]

Метод магнитного разбавления широко и давно применяется при иоследоваиин магнитных свойств, когда хотят изучить магнитные свойства изолированных ионов в невозмущенном состоянии. С этой целью используют, немагнитный разбавитель магнитного компонента обычно требуется, чтобы немагнитный разбавитель обладал изоморфной структурой. Очевидно, что невозмущенное состояние может быть достигнуто при некотором эффективном разведении, причем только в том случае, если изоморфная среда не взаимодействует с разбавленным магнетиком. Однако трудно себе представить, чтобы внедренный в какую-то среду чужеродный атом не являлся сам по себе источником дополнительных локальных уровней в матрице. Поскольку адсорбент, используемый для приготовления катализаторов, вообще говоря, является диэлектриком, то введение в него какого-то количества нримесей меняет его диэлектрические свойства, и это, естественно, оказывает обратное действие на магнитные свойства. [c.217]

В энергетическом спектре кристалла хемосорбированным атомам О и радикалам ОН соответствуют акцепторные локальные уровни, изображенные в левой части рис. 10. В правой части этого рисунка изображена скорость реакции т как функция положения уровня Ферми е. По. мере снижения уровня Ферми реакция уско1ряется, достигает при некотором достаточно низком его положении своего максимума и при дальнейшем его снижении начинает затормаживаться. В области, обозначенной на рис. 10 цифрой /, все факторы, сдвигающие уровень Ферми вниз (например, акцепторная примесь, вводимая внутрь кристалла), промотируют реакцию. Факторы же, сдвигающие уровень Ферми вверх (например, донорная примесь), наоборот, отравляют реакцию. В области, обозначенной цифрой II, эти факторы меняются ролями. [c.71]

Точный расчет энергетического спектра поверхности (реальная поверхность с хемосорбированными на ней частицами) в настоящее время практически невозможен. Вряд ли было бы реальным ждать этого от теории. Единственное, чем мы здесь располагаем,— это качественные и очень прибл1хзительные соображения об относительном расположении локальных уровней некоторых хемосорбированных молекул, основанные на знании их ионизационных потенциалов и энергий электронного сродства. При этом нельзя забывать, как это делают некоторые авторы, что для хемосорбированных молекул эти величины имеют иные значения, чем для тех же молекул в свободном состоянии. [c.74]

В этом отношении мы встречаемся на поверхности с то11 же картиной, которая наблюдается в объеме полупроводника. Положения объемных локальных уровней, обусловленных примесями или структурными дефектами той ипой или заданной природы, как правило, не рассчитываются [c.74]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология