Дефект абсорбционный

Большое число нарушений в системах переноса было отмечено не только у бактерий. У человека описан целый ряд заболеваний, связанных с дефектами мембранного транспорта [48]. При некоторых таких заболеваниях нарушаются реабсорбция веществ в почечных канальцах и процесс всасывания в тонком кишечнике. Например, при цистинурии наблюдается образование камней из цистина в почках и мочевом пузыре. Такие больные выделяют за сутки до 1 г цистина при норме приблизительно 0,05 г. Известны также случа.и выделения больших количеств лизина, аргинина и орнитина. Существование подобных наследственных заболеваний свидетельствует о том, что и у человека клетки, подобно бактериальным, обладают способностью концентрировать различные аминокислоты (см. также гл. 14, разд. Б.З) и другие вещества. В клетках почечных канальцев вещества поглощаются на одной стороне клетки (на рис. 1-3 это нижняя часть клетки) и выделяются в кровоток с другой ее стороны. Еще одно хорошо изученное, но очень редко встречающееся нарушение абсорбционных процессов у человека приводит к развитию почечной гликозурии. В этот процесс также вовлечены проксимальные почечные канальцы. Такая аутосомная доминантная мутация может быть неправильно диагностирована как сахарный диабет. В действительности же люди с подобным дефектом чувствуют себя, как правило, хорошо, и это состояние не считают болезнью. [c.360]

Рассмотрим некоторые моменты, касающиеся отдельных вторичных абсорбционных дефектов. [c.127]

Анализ показал следующее наибольший уровень дефектности у колонн (масляно-абсорбционная установка), а у 12 диагностированных фильтров не обнаружено ни одного недопустимого дефекта. [c.275]

Типичным дефектом являются водородные пузырьки, образующиеся в первую очередь на зернограничных выделениях фаз р, т) и б (в соответствии с порядком систем легирования, представленных в начале предыдущего абзаца). Визуализация пузырьков на электронномикроскопических изображениях осуществляется благодаря контрасту различного происхождения деформационному в матрице, окружающей зернограничные выделения, и, главным образом, абсорбционному на собственно порах. Ряд конкретных изображений, обусловленных деформационным контрастом, представлен на рис. 6.031-—6.035. Интенсивность и местоположение этого контраста помимо природы дефектов опре- [c.243]

Положение осложняется еще и тем, что преждевременное разрушение натурных изделий. может произойти также за счет концентраторов напряжений металлургического или технологического происхождения, коррозионного характера, абсорбционных явлений в дефектах, микротрещинах и т. д. [c.104]

В зависимости от способа обработки кристаллов щелочных галогенидов могут образоваться центры окраски различной структуры. Простейшим центром окраски является 7 -центр (рис. 10.1). Ион галогена за счет диффузионных процессов вытесняется из решетки и для компенсации недостающих отрицательных зарядов заменяется электроном, f-центры образуются при быстром охлаждении с высоких температур кристаллов, окрашенных по аддитивной схеме так, что при этом другие дефекты практически не возникают. Из-за присутствия / -центров изменяются характерные абсорбционные свойства. Ниже приведены длины воли для F-центров в различных щелочных галогенидах. [c.210]

При исследовании процессов в облученных щелочно-галоидных кристаллах широко используется абсорбционная спектроскопия в видимой и ультрафиолетовой областях спектра. Облученные кристаллы этого типа окрашены, причем окраска зависит от природы кристалла. Например, хлорид лития приобретает желтый цвет, хлориды цезия и калия — голубой. Дефекты, определяющие цвет кристаллов в видимой области, называются / -центрами. Существует 354 [c.354]

Ростовые дефекты (табл. 3-2) классифицируются нами по их происхождению диффузионные дефекты связаны с особенностями диффузии вещества к кристаллу, адсорбционные — с адсорбцией примеси на поверхности кристалла, абсорбционные — с вхождением примеси в кристалл. Поскольку при получении и использовании кристаллов обычно нежелательны их резкая анизометричность (резко различное в разных направлениях развитие кристалла, т. е. игольчатый, пластинчатый рост) и кривогранность (антискелетный рост), мы условно относим эти внешние особенности кристаллов также к числу дефектов. [c.121]

Напряжения в кристалле в большинстве связаны с первичными абсорбционными дефектами. Напряжения создаются, в первую очередь, благодаря гетерометрии ( 1.8), вызванной неравномерным вхождением примеси. Поэтому общий способ борьбы со всеми вторичными абсорбционными дефектами, связанными с примесью,— устранение ее неоднородного распределения в кристалле, о чем говорилось выше. Существенным источником напряжений, причиной которых также является гетерометрия, является использование затравки, выращенной в условиях, резко отличных по химизму, пересыщению и т. д., от условий нарастания материала на затравке. В качестве очевидного основного способа борьбы с этой причиной дефектности рекомендуется получать затравки при условиях, близких к условиям выращивания кристаллов. [c.127]

Третичные абсорбционные дефекты. В этом типе дефектов нами выделены три группы, в соответствии с тремя возможными типами пластической автодеформации в кристаллах скольжением (приводящим к расщеплению), двойникованием и так называемым мартенситным превращением (приводящим к политипным образованиям и родственным им структурам). [c.129]

Абсорбционный метод по окраске стекол и кристаллов. Стеклянные детекторы на основе силикатных и метафосфатных стекол с добавками серебра, марганца, никеля, ванадия, железа, кобальта и др., окрашивающиеся или теряющие окраску в процессе облучения, нашли наиболее широкое применение благодаря высокой чувствительности, обеспечивающей возможность определения широкого диапазона доз линейной зависимости оптического поглощения от дозы излучения стабильности наведенных дефектов и хорошей воспроизводимости результатов возможности использования стандартной аппаратуры для измерения наведенной окраски. [c.237]

Потери окислов азота с отходящими газами обусловлены давлением окислов азота над нитрозой, орошающей абсорбционную башню, а также зависят от дефектов аппаратурного оформления (недостаточная поверхность насадки, неравномерное распределение орошения и пр.) и нарушения технологического режима (отклонения от эквимолекулярности смеси в окислительной башне). [c.144]

Это позволяет не только осуществлять изолировочные работы параллельно с монтажными, но и обнаруживать и устранять дефекты герметичности систем. Холодильные системы непосредственного охлаждения подвергают только пневматическому испытанию. Систему водоснабжения и ту часть холодильной установки, которую заполняют хладоносителем, обычно подвергают гидравлическому испытанию. В зимнее время рассольные састемы и системы водоснабжения подвергают пневматическому испытанию на тех же условиях, а абсорбционные холодильные установки — гидравлическому испытанию. [c.103]

Оно вполне удовлетворительно не только потому, что дает необходимые наклоны в областях II и VIII, но и потому, что Vo-центры, преобладающие после охлаждения кристаллов в области VIII, оказываются немагнитными. Это подтверждается и тем, что методом парамагнитного резонанса не обнаружены центры, ответственные за абсорбционную полосу при 2 эв [82]. Относительно слабую полосу в спектре парамагнитного резонанса, напоминающую по своим свойствам F-центр, можно объяснить небольшой концентрацией 10 — 10 центров в 1 см дефектов Vo (равной 2 [Vija] + р). Проверим, правильно ли оценены положения уровней. Из соотношения (XV.27) находим [c.412]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология