Дефект диффузионный

Процесс заполнения капиллярных каналов жидкостями представляет собой целый ряд явлений перемещение жидкой среды в канале капилляра под действием капиллярных сил или внешнего давления диффузия газа, защемленного в тупиковой несплошности, в проникающую жидкость диффузионное перемещение растворенного газа к устью дефекта, растворение загрязнений, имеющихся в полости дефекта диффузионное перемещение загрязнений к его устью. [c.667]

Можно также рекомендовать использование таких условий роста, при которых внутренние напряжения реже разрешаются расщеплением. Прежде всего, это выращивание при возможно более низких пересыщениях. Ввиду того что расщеплению благоприятствует кинетический режим роста, оно усиливается с увеличением степени перемешивания раствора. Поэтому расщепляющиеся кристаллы лучше выращивать при слабом перемешивании или вообще в статических условиях, если только это не вызывает образования дефектов диффузионного типа. [c.130]

Возможность изменения состава зависит от скорости охлаждения и от длины того диффузионного пути, который должен пройти атом или дефект, чтобы исчезнуть из кристалла. За исключением приповерхностного слоя, можно считать, что при охлаждении кристалла, даже не слишком быстром, процессы обмена атомами между кристаллом и внешней фазой полностью замораживаются. Однако для образования комплексов дефектов диффузионный путь обычно составляет столь небольшое число межатомных расстояний, что изменения скорости охлаждения могут вызвать существенное изменение свойств. [c.211]

Кристаллические и, плотные аморфные материалы обычно непригодны для создания мембран. Это обусловлено малой долей свободного объема и большим временем релаксации для процессов перераспределения вакансий и других дефектов структуры, в результате чего резко снижается растворимость газов и скорость миграции растворенного вещества. Равновесные и кинетические свойства подобных систем во многом определяются высокими значениями потенциала межатомного (межмолекулярного) взаимодействия, обычно превышающего средние значения кинетической энергии КьГ этим объясняется малая подвижность структурных элементов. Однако легкие разы типа Нг, Не, Оа, N2 с наиболее низкими значениями параметров (е,/, о, ) парного потенциала молекулярного взаимодействия могут в некоторых плотных матрицах образовывать системы с повышенной растворимостью и удовлетво рительными диффузионными характеристиками. Наиболее перспективны металлические мембраны на основе палладия для извлечения водорода, а также стекла для выделения гелия [8, 10, 19—21]. [c.114]

Коэффициент массоотдачи р определяем из диффузионного критерия Нуссельта Ни. При расчетах будем считать канал, по которому движется разделяемый раствор, полым, т. е. пренебрежем влиянием сепарирующей сетки. При этом мы делаем ошибку в сторону занижения наблюдаемой селективности, что обеспечивает некоторый запас селективности на возможные дефекты в мембране. [c.198]

Процесс отмывки сопровождается сложными явлениями (диффузионными, тепловыми, эффектами гидратации и набухания), протекающими в фазе ионита. Их одновременное влияние способствует проявлению всех дефектов в ионите, возникших на предшествующих стадиях его получения. При жестком ведении процесса отмывки (большая скорость отмывки) дефекты могут возникать и на самой стадии отмывки. [c.372]

Обеспечивать надежное экранирование изделий. Все современные краски в той или иной степени проницаемы для воды и кислорода. Некоторые связующие менее проницаемы, чем другие, но их способность создавать лучший диффузионный барьер проявляется только при нанесении обладающих хорошим сцеплением многослойных покрытий, которые эффективно закрывают поры и другие дефекты. Диффузия через слой покрытия обычно затрудняется при введении в него пигментов. Особенно эффективны в этом отношении пигменты, имеющие форму чешуек (например, слюдяной или чешуйчатый гематит, алюминиевый порошок) ориентированных параллельно поверхности металла (например, при окрашивании кистью). С другой стороны, диффузия имеет [c.249]

Диффузионная теория роста кристаллов не объясняет ряд явлений, происходящих при кристаллизации (различная скорость роста граней, дефекты, слоистость и пр.). Согласно этой теории, процесс растворения и кристаллизации обратимы, однако доказано, что это не так. Часто при одинаковых значениях движущей силы (разности концентраций) рост кристаллов протекает гораздо медленнее, чем растворение. [c.635]

Уравнение (262) в общем можно применять для качественной оценки некоторых факторов, оказывающих влияние на процесс зародышеобразования, однако для сложных процессов уравнение непригодно. Это объясняется тем, что рост кристаллов определяется не только диффузионными процессами, происходящими в жидкой фазе, но также свойствами структуры растущих кристаллов, как, например, дефектами кристаллической решетки, внедрением в нее ионов из добавляемых растворов и т. д. [c.202]

Дефекты в твердом теле и диффузионная подвижность [c.274]

Захват примесей кристаллами обычно тем меньше, чем выше температура системы и чем она лучше перемешивается, что препятствует накапливанию примесей в диффузионном слое у поверхности граней. Однако, когда Д > 1, интенсификация перемешивания может привести к большему загрязнению. С ростом скорости кристаллизации чистота продукта также увеличивается, за исключением тех случаев, когда при больших пересыщениях на поверхности образующихся кристаллов появляется большое число дефектов, что способствует адсорбции примесей, или образуются агрегированные блоки и сростки, что увеличивает захват содержащего примеси маточного раствора. [c.256]

Чем больше дефектов в структуре кристалла, тем больше его диффузионная проницаемость. Повышение степени дефектности может привести к увеличению эффективного коэффициента диффузии на несколько порядков [50, 151 ]. Это относится к диффузии как внутри кристалла, так и по его поверхности. Дефекты кристаллической структуры играют значительную роль в твердофазных реакциях, особенно в дисперсных системах. [c.342]

Очевидно, что любые процессы, имеющие диффузионную природу (например, спекание, высокотемпературная деформация и т. д.) происходят с участием точечных дефектов, образующихся в любых. . . кристаллах. [c.328]

НОЙ структуре сварных швов имеется значительное число дефектов, по своему характеру напоминающих диффузионную пористость. Установлено [16], что за время сварки с последующим охлаждением имеет место заметное перемещение вакансий. При достаточно медленной скорости охлаждения вакантные узлы сосредоточиваются на поверхности кристаллитов и на плоскостях скольжения, способствуя образованию мельчайших пор. Вследствие этого увеличивается склонность металла к хрупкому разрушению. [c.78]

При высоких температурах, когда газовые атомы и обычные точечные дефекты приобретают заметную диффузионную подвижность, происходят распад пересыщенного раствора и оживление процессов аннигиляции и ухода на стоки дефектов структуры. Известно, что естественными стоками для точечных дефектов являются свободные поверхности. Кроме того, при достаточно высокой концентрации точечные дефекты могут образовывать собственные стоки путем скопления в группы, образования пор и газовых пузырьков [96]. [c.46]

Становление химии твердого тела как науки началось с исследования химической связи и структуры кристаллов, с выявления роли дефектов кристаллов в химических реакциях, механизма диффузионных явлений в твердых телах, термодинамических и кинетических закономерностей твердофазных превращений. Развитие методов инициирования реакций в твердых телах привело к использованию достижений радиационной химии, фотохимии, физики твердого тела, материаловедения, механохимии. [c.45]

Если 1 поверхностное соединение является полупроводником п-типа с избытком металла, например ZnO, dO, ВеО и др., то концентрация их дефектов (междоузельных катионов) тоже не должна зависеть от давления кислорода (см. рис. 90). Это и наблюдается при 400° С, когда толщина пленки превышает 5000А. Но при низкой температуре и малой толщине пленок (меньше ЮООА) с повышением давления кисло-рода скорость окисления возрастает в связи с тем, что имеет место лога-. if. рифмический рост пленки во времени, где диффузионный механизм Вагнера неприменим. Перенос ионов цинка про-исходит под действием электрических [c.131]

Далее кратко рассмотрим основные механизмы образования микротрещин, которые можно подразделить на дислокационные, диффузионные и в результате межзерен-ного сдвига. Дислокационные механизмы могут быть разделены на три группы. К первой группе относятся модели (Зинера, Стро, Коттерелла, Гилмана и др.), связывающие инициированные микротрещины со скоплением дислокаций в плоскостях скольжения. Эти скопления возникают в результате остановки движущихся дислокаций в различных барьерах, которыми являются границы зерен с большими углами разориентировки, включения, поля напряжений. Вторая группа моделей предполагает образование микротрещин в результате скопления дислокаций в окрестностях пересечения систем элементарных актов пластической деформации путем скольжения и двойникования (модель Коттерелла). В соответствии с концепциями моделей третьей группы микротрещины инициируются в результате взаимодействия дефектов кристаллической решетки при пластическом деформировании. Эта группа -барьерные механизмы, описывающие процесс развития трещин в результате объединения цепочек вакансий в движущихся дислокациях со ступенькой пересечение малоугловых границ аннигиляции дислокаций в близко расположенных плоскостях скольжения возникновения поля растягивающих напряжений от двух дислокационных скоплений противоположного знака. [c.86]

Учитывая потребности промышленности, можно ожидать появления способов контроля сварки давлением. Кстати, фотоакустиче-ский метод по предварительным данным выявляет слипания в диффузионной сварке (выполняется сдавливанием в вакууме). В литературе [7] имеются пока недостаточно проверенные положения о том, что дефект типа слипания можно обнаружить, если направить волну вдоль него. Взаимодействие дефекта и волны на значительном протяжении может вызвать появление головных волн и других дифракционных эффектов. Применительно к контролю свар- [c.265]

Кроме рассмотренного типа движения дислокаций (скольжения), возможны и другие типы перемещения этого дефекта. Так, при диффузионном движении дислокации к краю экстраплоскости могут присоединяться новые атомы (например, из числа дислоцированных или ближайших соседей) илн вакансии. Это будет означать, что экстраплоскость будет удлиняться или сокращаться, что приведет к переползанию дислокаций в другую плоскость скольжения. Этот тип движения дислокаций, имеющий место для линейных дислокаций, как и всякий диффузионный процесс, происходит при повышенных температурах и не связан со сдвиговыми напряжениями. [c.279]

Диффузия при реакциях в твердом состоянии. Диффузионные процессы, протекающие в твердых телах, отличаются большим разнообразием. Различают самодиффузию и гетеродиффузию в зависимости от того, происходит ли в кристаллической решетке перемещение элементов (атомов) этой же решетки или чужеродных атомов либо ионов. В зависимости от направления перемещения элементов различают объемную диффузию, диффузию вдоль граней или дефектов кристаллов (по внутренним поверхностям кристалла) и поверхностную диффузию (по внешней поверхности). Поверхностная диффузия обычно происходит легче, чем объемная диффузия и диффузия вдоль граней кристаллов. [c.161]

Механизм диффузионных процессов в твердых телах бывает различным диффузия атомов по междуузлиям кристаллической решетки, по вакансиям в структурах Шоттки (см. гл. IV, 8), по протяженным дефектам монокристаллов (по дислокациям), по поверхности зерен в поликристаллах и т. д. Скорость диффузии очень сильно зависит от концентрации дефектов в кристаллах и от их вида. Особенно облегчается диффузия в твердых телах при большом числе дислокаций и при развитой поверхности зерен в поликристаллах. [c.49]

Вблизи атомов растворенного вещества в результате различия объемов атомов этого вещества и растворителя или различия электронной плотности возникают значительные области повышенной подвижности растворителя. На диффузионную подвижность особенно влияю р наследственные дефекты и, следовательно, структура металла. Границы зерен, трубки дислокаций являются путями повышенной подвижности. Таким образом, металл пронизан подобными путями. Существенно, что границы зерен соединены друг с другом и образуют в металле как бы сеть путей повышенной подвижности. Энергии активации диффузии по таким путям, естественно, заметно меньше, чем в объеме зерна. Однако в предэкспоиенциаль-ный фактор Оо входит лишь определенная доля сечения этих путей от всего сечения металла. Поэтому и Е, и Оо в областях повышенной подвижности меньше. Так как в этих областях Е имеет меньшую величину, то вклад в общий поток диффузии по ускоренным путям будет более значительным при низких температурах, когда скорость диффузии в середине зерна мала. Вследствие этого при достаточно высоких температурах суммарный процесс диффузии определяется диффузией по объему зерен, а при низких — по границам зерен. Это проявляется на температурной зависимости коэффициента диффузии. При больших значениях 1/Т (область низких температур) угол наклона прямой линии в координатах [c.204]

Особенностью реакции углерода с газами явлнется наличие экстремальной зависимости скорости реакции от температуры опыта. На рис. 51 видно, что скорость реакции (при скорости потока воздуха 2,3 м/с) растет до 1200—1500 °С, затем уменьшается, а при более вьюоких температурах (1800-2000 °С) вновь возрастает. Такая зависимость была получена на различных углеродных материалах и в разных условиях проведения экспериментов [72, 73]. Это явление не нашло объяснения в рамках диффузионных представлений реакции при высоких температурах. Объяснение экстремального хода кривой зависимости скорости реакции от температуры некоторые авторы видят в специфическом механизме залечивания поверхностных дефектов кристаллической структуры в определенном интервале температур. При переходе атома углерода в газовую фазу в составе молекулы, образованной с атомом окислителя, в решетке углерода остается разорванная связь С—С. По свободной связи могут взаимодействовать молекулы окислителя или эта связь может рекомбинировать с другими углеродными атомами в решетке графита. В случае, когда скорость реакции с окислителем больше скорости рекомбинации, с ростом температуры наблюдается возрастание скорости реакции. Однако вероятность рекомбинации увеличивается с температурой, и при высоких температурах ее скорость может сначала сравняться, а затем превысить скорость реакции. При дтом суммарная скорость реакции будет уменьшаться с температурой. Наконец, при достаточно высоких температурах скорость рекомбинации достигает своего предела и скорость реакции вновь начинает возрастать [c.122]

Из соотнощения Л /<Я /зос при /С/ = а у яе (//Я), где (//Я)—поправочная функция, учитывающая геометрию пластины, можно установить предельную величину сг при принятой глубине дефекта и проводить оценку работоспособности с точки зрения трещиностойкости покрытия. Пользуясь этими соотношениями, можно определить допустимую толщину охрупченного слоя при химической деструкции покрытия во внутренней диффузионно-кинетической области. [c.49]

В твердых неорг. телах, где доля своб. объема и амплитуды колебаний атомов кристаллич. решетки незначительны, Д. обусловлена наличием нарушений в их структуре (см. Дефекты в кристаллах), возникающих при изготовлении, нагревании, деформациях и др. воздействиях. При этом м. б. реализованы неск. механизмов Д. обмен местами атомов и обмен местами двух соседних атомов, одновременное циклич. перемещение неск. атомов, передвижение их по междоузлиям и др. Первый механизм преобладает, напр., при образовании твердых р-ров замещения, последний - твердых р-ров внедрения. Диффузионные процессы происходят с заметной скоростью только при высоких т-рах. Напр., как следует из табл. 6, коэф. Д. Oj в СаО и fjOj при повьпиении т-ры с 20 до 300 °С возрастают соотв. в 2 10 ° и 3 10 раз. При массопереносе в области линейных дислокаций и по поверхностным (границы зерен) дефектам в поликристаллич. телах D увеличиваются на 4-5 порядков. [c.104]

Пространственные и временньш ограничения метода МД связаны с возможностями используемых ЭВМ, размером и структурой принимаемых мол. моделей. В первых работах (Б. Олдер, Т. Вайнрайт, 1959) расчеты вьшолнялись для двухмерной модели жидкости из неск. десятков частиц, Совр. ЭВМ позволяют рассчитывать фазовую траекторию для систем из 10 -10 атомов за времена 10 с. Даже в рамках этих ограничений метод МД успешно используют для решения мн. вопросов мол. физики конденсир. состояния в-ва. Так, установлено, что диффузионный процесс в простых жидкостях и воде осуществляется не скачкообразными перемещениями отдельных молекул из одного положения относит, равновесия в другое, а благодаря коллективным непрерывным движениям всей совокупности молекул. Метод МД позволяет понять механизм образования кристаллич. дефектов под воздействием ионизирующих излучений, термнч. и мех. нагружения. Этот метод используют для изучения аморфных металлов, стекол, полимеров, белковых молекул, для объяснения адсорбц. понижения прочности (эффекта Ребиндера). [c.111]

Макромеханизм науглероживания металлов метаном [54]. Рассмотрение вопроса о вероятном механизме массопереноса в твердой фазе при науглероживании железа показало, что перенос вещества в этом процессе осуществляется за счет диффузии углерода в железе по точечным и протяженным дефектам решетки новая фаза может формироваться только на поверхности железа. Представляется вероятным, что накопление новой фазы в дислокациях, на границах зерен, в микрокавернах внутри зерен исходной фазы должно приводить к разрыву ее частиц и диспергированию. Это предположение согласуется с результатами анализа полученных нами рентгенограмм науглероженного железа. В принятых нами условиях диффузионные стадии науглероживания высокодисперсной фазы железа метаном протекают достаточно быстро контролирующей является химическая стадия этого процесса. [c.111]

Коэффициент массоотдачи р определяем из диффузионного критерия Нуссельта и. При расчетах будем считать канал, по которому движется разделяемый раствор, полым, т. е, пренебрежем влиянием на массообмеи сепарирующей сетки. При этом мы вносим некоторую погрещность в сторону занижения наблюдаемой селективности, что обеспечивает определенный запас селективности на возможные дефекты в мембране. Проведем расчеты при средних значениях рабочих параметров установки. Средняя удельная производительность 0 — 2,25-10 кг/(м -с) средняя кон-центрация [c.328]

Процесс поглощения пластификатора влияет и на образование в ПВХ материалах широко известных дефектов - рыбьих глаз (гели-ков). Известно, что причинами возникновения рыбьих глаз является морфологическая неоднородность зерен суспензионного и блочного ПБХ [12]. Установлено [9], что гелики - это неразрушенные полностью или частично зерна ПБХ, ограниченно набухшие в пластификаторе. Ограниченное набухание характеризуется наличием диффузионного фронта продвижения пластификатора к центру зерна. Монолитные зерна, а также зерна, содержащие области с характерной пористой структурой или полностью прозрачны, или имеют непрозрачные включения, образующие ядро гелика. Б зависимости от степени набухания в пластификаторе, которую характеризует положение границы набухания, гелики имеют форму, близкую к сферической. [c.192]

Скорость смачивания и самодиффузия зависят от вязкости. Иначе говоря, объяснения, основанные на вязкостном, диффузионном или смачивающем механизме, могут быть равнозначными. Интересны данные Скьюиса [37] по измере-11ию клейкости системы из каучуков СКС—СКС, БК—БК и СКС—БК. В двух первых системах клейкость возрастает во времени почти одинаково. Если считать, что в этих системах клейкость определяется только вязкостью,в третьей системе она должна изменяться приблизительно идентично первым/ лучаям. Однако в действительности в системе СКС—БК клейкость нарастает гораздо медленнее. По имеющимся данным взаимодиффузия термодинамически несовместимых каучуков СКС и БК равна почти нулю. Скьюис заключил отсюда, что высокая клейкость систем СКС—СКС и БК—БК объясняется взаимодиффузией их макромолекул через фазовую границу. При этом склейка двух эластомеров обычно имеет много дефектов неудаленный воздух и др., т. е. это — типично порочная , по Бикерману, склейка, и ее разрушение происходит по межфазной границе, т. е. по слабому слою. [c.92]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология