Германий, восстановление

Опыт 24. Получение олова и германия восстановлением цинком. [c.86]

Моносульфид ОеЗ получается непосредственным сплавлением компонентов, а также нагреванием германия в токе НгЗ при 800—900°, нагреванием смеси дисульфида с германием, восстановлением дисуль- [c.161]

Технология германия высокой чистоты для полупроводниковой техники включает получение тетрахлорида германия, очистку тетрахлорида, гидролиз, с целью получения двуокиси германия, восстановление двуокиси до элементарного германия и его кристаллофизическую очистку. Сырьем для получения высокочистого германия могут быть техническая двуокись германия, богатые германием концентраты, германиевые отходы — загрязненные концы слитков, обрезки и абразивная пыль, бракованные изделия. [c.374]

Моносульфид GeS может быть получен непосредственным сплавлением компонентов, нагреванием германия в токе сероводорода при 700—900° [27], нагреванием смеси дисульфида с металлическим германием, восстановлением дисульфида германия в токе водорода и другими реакциями. В зависимости от способов моносульфид получается в виде черных кристаллов (пл. 4,23), аморфного коричневого или темно-красного порошка т. пл. 665°, т. кип. [c.173]

Таким образом, результаты исследования процесса получения пленок германия восстановлением тетрахлорида германия водородом позволяют сделать вывод о том, что для снижения содержания примесей в осаждаемом материале следует осуществлять процесс при условиях, соответствующих получению пленок с минимумом дефектов кристаллической структуры. [c.105]

Отделение молибдена. Наилучшим методом отделения малых количеств других элементов группы мышьяка от молибдена, по-видимому, является введение в раствор достаточного количества соли железа и осаж -дение этих элементов вместе с железом добавлением аммиака, как описано в гл. Молибден , стр. 328. Метод этот оказался весьма удовлетворительным для отделения молибдена от мышьяка и сурьмы, и нет оснований предполагать, что отделение олова, германия, селена и теллура не будет проходить так же хорошо. Для отделения от молибдена больших количеств этих элементов могут служить следующие методы перегонка с соляной кислотой—для удаления мышьяка и германия восстановление сернистым ангидридом—для удаления теллура и селена восстановление свинцом—для удаления сурьмы и осаждение сероводородом в присутствии щавелевой или фтористоводородной кислоты—для отделения олова. [c.93]

Реакция получения органических гидридов германия восстановлением j с помощью литийалюминийгидрида может быть выражена следующим уравнением [c.124]

Один из важнейших полупроводников — гермапнй —широко применяется в технике. Технологическая схема получения особо чистого германия включает следующие стадпп синтез четыреххлористого германия, его очистка экстракционными и днстилля-ционными методами, гидролиз четыреххлористого германия с образованием двуокиси германия, восстановление двуокиси германия водородом и, наконец, очистка металла методом зонной нлавкп [103]. [c.190]

Ноими и сотр. [5241 разработали лабораторный метод получения монокристаллов германия восстановлением ОеОг в атмосфере водорода с последующей очисткой зонной плавкой. Ориентированные кристаллы германия получены из газовой фазы в результате термического разложения ЪеН4 [525]. Известны и другие способы очистки германия [424, 432, 434, 439, 461, 466, 52 -533]. [c.414]

В виде желтовато-оранжевого гидрата GeO-aq выделяется после нейтрализации аммиаком солянокислых растворов, в которых четырехвалентный германий восстановлен до Се гипсфосфористой [c.104]

Природа аниона (и в некоторой мере и катиона) оказывает существенное влияние на предельный ток катализируемого четырехвалентным германием восстановления двухосновных органических кислот в умеренно кислой среде [252]. Наибольшая высота осцилло-полярографического пика наблюдается в растворах перхлората далее, при изменении природы солей в ряду КВг > KG15> Li l > (NH4)2S0i каталитический ток заметно уменьшается. [c.74]

Интересными представляются и результаты исследования по выращиванию эпитаксиальных слоев германия восстановлением его тетрахлорида на германиевых подложках из лент и прямоугольных кристаллов германия, полученных способом Степанова [365, 264]. В работе [365], где эпитаксия производилась на ленты-подложки сечением 65x30 мм, толщиной 0.35-f-0.40 мм, выращенные в направлении [110], установлено практически почти полное отсутствие дефектов упаковки в эпитаксиальных слоях. При выращивании эпитаксиальных слоев на прямоугольные подложки [264] получили структуры с разбросом по толщине не более 15%, а по величине удельного сопротивления 12%, т.е. не хуже, чем при выращивании на круглые подложки. В то же время применение заготовок прямоугольной формы может обеспечить более полное использование поверхности подложки, сокращение отходов с существенным экономическим эффектом. [c.222]