Кристаллов ступень роста распределение по поверхност

В случае кристаллов имеется небольшое количество различных мест на поверхности. Это грани разных индексов (обычно от двух до шести), ребра между гранями, ступени роста, отдельные дислокации. Различные места на поверхности кристалла ограничены в основном немногими типами и поэтому здесь нет непрерывного распределения энергии адсорбционных сил по местам адсорбции. Вследствие этого число ступеней на изотерме адсорбции в пределах преимущественного заполнения монослоя не должно быть очень большим. При соблюдении надлежащих предосторожностей во время синтеза и последующих обработок таких кристаллов число ступеней на изотерме адсорбции должно находиться в соответствии с числом выходящих на поверхность кристалла граней разных индексов [297, 298]. Если это условие не достигнуто, то число ступеней на изотерме адсорбции должно находиться в соответствии с числом выходящих на поверхность граней и с числом возможных ступеней роста, типичных для данного кристалла и условий его получения. [c.62]

В первой дислокационной модели предполагается правильное распределение моноатомных ступеней на поверхности растущего кристалла, что проявляется в образовании гладкой поверхности. В действительности, однако, поверхность содержит множество дефектов, которые при росте приводят к возникновению шероховатой поверхности. Структура поверхности обусловливает двил<ение слоев и, следовательно, скорость роста. [c.274]

В. М. Лукьяновичем сделана важная попытка исследования микрорельефа поверхности кристаллов. В работе [4] мы обнаружили несколько четких ступеней на изотерме низкотемпературной адсорбции Хе и Кг на этих кристаллах. Дюваль и Томи [5] нашли две четкие ступени (большую и маленькую) в области двумерного фазового перехода криптона на графитовых листочках. Во всех этих случаях таких ступеней немного. Я вижу в этом связь с выходом на поверхность кристаллов граней разных индексов, со структурами роста граней и с дислокациями. Вероятно, число таких энергетически резко отличных мест невелико, поэтому их не следует описывать непрерывными функциями распределения. Возможно, что детальные исследования структуры поверхности методом декорирования при повышении разрешения и адсорбционными методами помогут создать основы физической теории неоднородности поверхностей твердых тел, необходимой для развития молекулярной теории адсорбции на неоднородной поверхности (см. также [6, 7]). [c.320]

При рассмотрении плоскости атомов, скользящей в определенном кристаллографическом направлении по соседней плоскости, можно заметить, что разные части этой плоскости сдвигаются по соседней на разные расстояния. Это происходит потому, что атомы в кристалле связаны друг с другом не жестко, а упруго, так что местные нарушения и тепловые колебания приводят к неравномерному распределению сил по плоскостям скольжения. Линия раздела, отмечающая область, по каждую сторону от которой сдвиг плоскости относительно соседней произошел на разные расстояния, и будет называться дислокацией. Существует два вида дислокаций (не считая промежуточных) краевая и винтовая (рис. 1). Когда дислокации имеют винтовую компоненту при выходе на поверхность, они приводят к возникновению на поверхности ступеней, не исчезающих в процессе роста. Каждая дислокация представляет собой начало ступени. Необходимость в двухмерном зародыше отпадает. [c.16]

Для наиболее вероятного случая роста или растворения кристаллов через винтовые дислокации с параллельными ступенями роста при оценке порядка величины омического падения напряжения в электролите нужно исходить из распределения линий тока вокруг пиний роста, как осей с цилиндрической симметрией. Если глубина проникновения поверхностной диффузии Яд мала по сравнению с расстоянием между линиями роста 2х , т. е. С Жо, то при оценке омического сопротивления Лом нужно рассматривать приближенно распределение линий тока с цилиндрической симметрией на глубину при постоянной плотности тока ( о) на поверхности шириной 2Я(, и длиной Ь х . Тогда, согласно уравнению (2. 615), омическое сопротивление электролита на линиях роста длиной Ь см1см ) на единицу площади [c.341]

Из анализа моделей с разрушенными связями следует, что АЯз> АЯ2> АЯьПоэтому ожидается, что равновесное число адсорбированных атомов будет наибольшим при наличии изгибов и наименьшим в отсутствие ступеней (как в случае сингулярных поверхностей). Статистическая механика распределения дефектов разработана довольно детально [20, 21], особенно в связи с ростом кристаллов из паров малой пересыщенности. Интересное предсказание этой теории заключается в том, что сингулярные поверхности будут оставаться гладкими вплоть до некоторой критической температуры, при которой происходит огрубление как некое объединенное явление. Некоторые доказательства внезапного огрубления плоскостей (100) серебра при 800° были обнаружены Сундкви-стом [22]. Во многих случаях критическая температура огрубления не может быть достигнута ниже температуры плавления [20]. [c.112]

До сих пор было рассмотрено равновесное распределение химических частиц и таких структурных отклонений, как вакансии, ступени и выступы. В целом все они являются функциями ориентации, температуры и химического состава поверхности. Неравно-весности при данной температуре можно достигнуть по меньшей мере двумя путями. Один из них заключается в замораживании равновесного распределения, характерного для высокой температуры, путем уменьшения подвижности кинетического процесса на поверхности созданием низкой температуры. Другой — в генерации дефектов кинетических процессов, включающих рост кристалла или образование поверхности. В данном разделе будут рассмотрены химические и структурные дефекты, генерированные на поверхности за счет условий роста, а также способы обнаружения [c.127]