Двойник превращения

Из уравнения следует, что обратная величина обычной константы диссоциации является суммой констант, характеризующих превращение ионов в недиссоциированные молекулы КА, КАМ и в ионные двойники К А-. [c.309]

Величина [/ ол первом приближении определяется энергией образования продукта присоединения КАМ , а также степенью превращения молекул КА в продукт присоединения и в ионные двойники. Как было показано в гл. V [см, уравнение (V,64)] [c.313]

Для некоторых химических соединений возникновение определенной модификации в основном связано с температурой. Ниже некоторого значения температуры устойчива одна модификация (например, р-кварц), выше — другая (а-кварц). Такие модификации используются как геологические термометры. Надежность таких термометров определяется точностью признаков преобразования одной полиморфной модификации в другую. Это замечание в первую очередь относится к превращению ач р кварца при температуре около 573 °С. В структуре и огранении индивидов этих минералов полиморфные превращения не фиксируются. Только изредка в пегматитах и некоторых кварцевых жилах Березовского месторождения встречаются кристаллы дымчатого горного хрусталя, которые пронизаны густой сетью залеченных трещин, с массой микроскопических пузырьков газо-жидких включений такой кварц получил название сотовый . Еще одна его отличительная особенность — огромное количество сложнейшей конфигурации дофинейских двойников. Так проявилось высокотемпературное происхождение этих кристаллов дымчатого кварца. В зернах кварца из гранитов и некоторых эффузивных пород подобных и других признаков высокотемпературного происхождения нет. [c.24]

Состояние динамических равновесий в растворе электролита зависит как от свойств растворителя, так и от свойств растворенного электролита. В растворителях с низкой диэлектрической проницаемостью преобладают процессы ассоциации ионов в ионные двойники [уравнения (3) и (8)]. Для сильных электролитов первые два превращения практически вдут до конца [уравнения (1) т (6), (2) и (7)], при этом основную роль играют процессы (3) и (8). Для слабых электролитов главную роль играют первые два процесса, однако в ряде случаев электролит участвует во всех процессах. [c.18]

Наряду с образованием неионизированных продуктов присоединения возможна, особенно в средах с низкой диэлектрической проницаемостью, ассоциация ионов в ионные двойники + АГ Кс АГ. Положение равновесия зависит от свойств растворенного электролита и растворителя. Для сильных электролитов чаще всего основную роль играет процесс ассоциации ионов, а первые два превращения идут до конца. Для слабых электролитов, в том числе и для слабых солей, главную роль играют первые два процесса, однако в ряде случаев диссоциирующее вещество участвует во всех равновесиях. [c.594]

Константа превращения показывает отношение активности вещества в виде ионных двойников к активности недиссоциированного продукта присоединения. Если эта константа велика, то кислота находится в виде ионных двойников. В этих случаях обычная константа будет мала, несмотря на превращение веществ в ионы. Если при этом величина экспоненциального члена невелика, то вещество не диссоциирует, несмотря на превращение его в ионную форму. Это имеет место в средах с низкой диэлектрической проницаемостью. [c.627]

Первый член этого выражения зависит от изменения энергии взаимодействия между молекулами и растворителем с образованием определенных продуктов присоединения, второй член зависит от различия в степени превращения молекул КА в продукты присоединения КАМ и в ионные двойники К+А . [c.113]

Представим эту реакцию схематически (рис. 5). Молекулы и 2, обладающие необходимой энергией активации, сближаются до соприкосновения. В момент соударения (состояние 2, рис. 5) молекулы сблизились, но еще не настолько, чтобы заметно повлиять друг на друга, деформировать связи Н—Ни I—I. С точки зрения теории активных соударений, каждая такая встреча неизбежно ведет к реакции, и двойник 2 превращается в продукты реакции 4. В действительности, как показывает опыт, данных условий еще недостаточно для того, чтобы произошло химическое превращение. Метод переходного состояния предполагает, что для неизбежного превращения Нз -Ь 1г в продукты реакции исходные молекулы, встретившись между собой, должны пройти через некоторое переходное состояние, образовать активированный ко.мплекс 3, в котором одна молекула как бы внедряется в другую, а рвущиеся связи Н—Н и I—I ориентируются по отношению друг к другу. Такой комплекс должен обладать не только определенным запасом энергии, но и необходимой конфигурацией с определенными расстояниями между атомами. Если указанный активированный комплекс образовался, он неизбежно превращается в продукты реакции. [c.28]

Автором работы [31] изучались процессы образования и дальнейших превращений двойников в кристаллах кальцита и натриевой селитры. Ддя этой це ш из образцов таких кристаллов четырьмя порезами получались прямоугольные призмы, ограненные с двух боковых сторон плоскостями сдвига. Поперечное сечение таких образцов располагалось в плоскости двойникования /С 1. Другая пара боковых граней располагалась перпендикулярно направлению сдвига (рис. 1.3). Образец закрепляли на столике поляризационного микроскопа так, что свет проходил перпендикулярно плоскости сдвига. На этом же столике укрепляли приспособление с толкателем, которым передавалась нагрузка. В поле зрения микроскопа можно было наблюдать прикосновение толкателя к кристаллу и все процессы двойникования (рис. 1,4). [c.17]

Курдюмов с сотрудниками рассмотрел возможность термомеханических мартенситных превращений, во многом сходных с упругим двойникованием [40]. Так, в заключительной части [40] сказано Кристалл мартенсита должен вести себя в этом случае подобно упругому двойнику роль механической нагрузки здесь играет изменение температуры. .. [c.19]

Так как в этих случаях еобходимы лишь лебольшие смещения структурных единиц, то превращения этого вида можно назвать превращениями смещения для. них характерен низкий энергетический барьер между фазами. С кристаллографической точки зрения весьма существенно, что симметрия Р-фазы в этом случае всегда относится к подгруппе симметрии а-модификации , причем часто наблюдается образование двойников превращения прорастание по плоскостям с низкой поверхностной энергией) при понижении температуры от а до 1Р . Скорость превращения как функция энергии активации В может быть выражена экспоненциальной величиной вида -в/кт где В определяется изменением связей. [c.391]

Таким образом, в рамках развитого выше дислокационного подхода удается дать последовательное описание кинетики (статики и динамики) упругого двойника, превращения его в остаточную прослойку и ее утолщения. Следует, однако, иметь в виду, что из рассмотрения выпадает случай утолшения остаточной прослойки под воздействием больших нагрузок, когда дислокаций на границе мало и ситуацию нельзя описать в терминах дислокационного ансамбля. Кроме того, в ряде материалов в процессе двойникования имеет место взаимодействие между растущими двойниками, картина осложняется параллельно протекающими процессами скольжения и разрушения. Последовательное включение всех этих явлений в общую схему дислокационного описания, по-видимому, станет возможным по мере дальнейшего развития теории. [c.121]

Габитус кристаллов — короткие призмы, оканчивающиеся ромбоэдрами (удлинение по оси с), или неправильной формы зерна, часто встречаются двойники одноосный, положительный По= 1,544, Пе = 1,553 показатели светопре ло мления исключительно постоянны как у природных, так и искусственных кристаллов спайность отсутствует. ДТА (—) 573°С (обратимое полиморфное превращение в а-кварц с теплотой инверсии 18,84 кДж/кг). ИКС сильные полосы поглощения при (см ) 467,3—463 520,8—518,1 694,4—689,7 781,3 800 1093 1159. АЯО = —880,32 кДж/моль, AG° = = —805,54 кДж/моль, S = 41,87 Дж/(моль-град). Плотность 2,65 г/см Твердость 7. Почти не растворяется в Н2О, НС1 и H2SQ4, [c.219]

Соотношение менаду коэффициентами активности 7онам он (Ы) определяется степенью превращения вещества НА в молекулы продукта присоединения НАМ и в ионные двойники МНс Аё. [c.258]

В заключение остановимся на вопросе зарождения бразильских двойников. Из природы этих образований следует, что они имеют чисто ростовое происхождение и не могут быть получены деформационным путем. Трудно представить, чтобы структура правого кварца трансформировалась в структуру левого в результате подвижек атомов. Если такие превращения и возможны, то, во-первых, маловероятно, чтобы они захватывали достаточно большие объемы кристалла, и, во-вторых, для своего существования они, очевидно, требуют больших энергий и поэтому вряд ли возможны в условиях роста а-кварца. Ростовое происхождение бразильских Двойников подтверждается тем наблюдением, что во всех описанных случаях они образуются преимущественно на гранях, обращенных вверх во время роста кристалла. Это проще всего объяснить, предположив спонтанное зарождение энантиоморфных микрокристаллов в растворе, их оседание на обращенные вверх грани н прирастание своими / -гранями к плоским микроучасткам / -граней материнского кристалла в двойниковой ориентации. Такой способ зарождения бразильских двойников позволяет легко объяснить их образование в пирамидах <Я> и <с>, значительно труднее— в пирамидах <г> и <—х>, поскольку представить, что на соответствующих гранях могли формироваться хотя бы микроуча-стки граней Я, невозможно. [c.107]

Y — а превращения, предложенного в [268], представляется затруднительной. Дело в том, что прямым аргументом в пользу этого механизма является наблюдение двойников [011](011)ц в мартенсите. Это принципиально невозможно для безуглеродис-того мартенсита, так как для него плоскость (011)м является плоскостью зеркальной симметрии и, следовательно, в нем атомы железа образуют идеальную ОЦК решетку, и возможно лишь в меру тет- [c.357]

Механизмы размножения Д. (увели чения их суммарной длины в единице объема) основаны на прогибании под действием внешней силы линий Д., закрепленных на своих концах ка-кими-либо препятствиями. Таким удлинением является, напр., переход отрезка дислокации EFG, закрепленного в точках и G, в положение EF G. Притягивающиеся Д. с противоположными векторами Бюргерса, лежащие в одной плоскости скольжения, при сближении аннигилируют (рис., е). Разноименные Д. в различных плоскостях скольжения аннигилируют переползанием. Вследствие этого при высокотемпературном отжиге кристалла, способ ствующем диффузии и переползанию, плотность Д. уменьшается. Распределение Д. в деформированных кристаллах обычно неравномерно. При малой степени деформации (до 10%) они часто располагаются вдоль отдельных плоскостей скольжения, к-рые на поверхности кристалла выявляются методом избирательного травления в виде линий и полос скольжения. С увеличением степени деформации часто возникает ячеис-тая структура, выявляемая электронным микроскопом и по рассеянию рентгеновских лучей. Границы ячеек состоят из густо расположенных Д., размер ячеек обычно около 1 мкм. При размножении Д. средние расстояния между нимисокращаются, их поля напряжений перекрываются и скольжение затрудняется. Чтобы оно могло продолжаться, приложенное внешнее напряжение увеличивают (см. Деформационное упрочнение). Упрочнение кристаллов достигается также введением различных препятствий для движения Д. примесных атомов (в виде легирующих добавок), частиц второй фазы (возникающих в процессе термической обработки диффузионным путем или при бездиффузионных фазовых превращениях), двойников, радиа- [c.368]

При микроударном воздействии большое влияние на скорость развития трещин оказывают фазовые превращения и структурные изменения, протекающие в микрообъемах металла. Процесс тре-щинообразования разных по составу и структуре сталей имеет свои особенности. Так, в углеродистой стали (0,3% С) при наличии в структуре механической смеси (феррит + перлит) трещины имеют большую протяженность (рис. 75, б). В сталях этого типа трещины развиваются как по границам, так и внутри зерен. Главным образом трещины появляются в структуре феррита, окружая и изолируя большие группы зерен перлита и феррита, в результате чего металл быстро разрушается. Трещины такого типа чаще образуются в гетерогенных сплавах и реже в сплавах с гомогенной структурой. В аустенитных сталях трещины имеют небольшую протяженность и развиваются в основном по плоскостям скольжения, а при наличии грубых и непрочных границ (в крупнозернистой структуре) — главным образом по границам зерен и двойников. [c.118]

Татл и Боуэн з, кроме того, показали, что оптические и рентгенографические свойства синтетического альбита заметно расходятся со свойствами (очевидно, устойчивого при низких температурах) природного альбита из гранитов и пегматитов, но что они очень близки к свойствам альбита из эффузивных пород, устойчивого при высоких температурах. Продолжительный отжиг пегматитового альбита в присутствии дисиликата натрия в качестве флюса превращает его в ту же модификацию, которая свойственна эффузивам. Температура превращения лежит между 725 и 675°С, т. е. приблизительно при 700 25°С. Обе формы постоянно содержат альбитовые двойники, но высокотемпературная модификация оптически отри- [c.468]

Несколько слов об отношении излагаемых в книге вопросов к общему положению, сложившемуся в физике дефектов к настоящему времени. В последние годы стало очевидным, что механические свойства сильно деформированных твердых тел или кристаллов со сложной дислокационной или двойниковой структурой очень трудно выразить непосредственно через микроскопические свойства дефектов (дислокаций). Возникла необходимость пользоваться свойствами коллективных образований типа ансамблей дислокаций, дисклинаций и штнарных дефектов, описывающих ротационные степени свободы пластической деформации. Переход к этим представлениям отвечает переходу от микроскопического рассмотрения к следующему структурному уровню (условно, - уровню мезоэф-фектов), удобному для анализа механических свойств деформированных кристаллов. В случае обратимой пластичности подобными коллективными образованиями являются гшоские скопления дислокаций превращения на межфазных границах или скопления двойникующих дислокаций на двойниковых границах. Именно в этих терминах удобно описывать основные закономерности обратимой пластичности кристаллов. [c.12]

Процесс превращения некоторой структуры в двойниковую тасто сопровождается изменением формы кристаллического образца. Двойникование с изменением формы можно рассматривать как простой сдвиг. При этом шаровая область превращается в эллипсоидальную. Атомы двойника смещаются пропорционально расстоянию от плоскости двойникования их направление смещения называют направлением двойникования (рис. 1.1), Атомная структура двойника отражения в кальците показана на рис. 1,2. [c.13]

Если одна из двойниковых структур занимает незначительную часть кристалла, ее называют двойниковой прослойкой или включением, остальную часть материнским кристаллом Кртсталл, пронизанный параллельными двойниковыми прослойками называют полисинтетическим двойником. Двойники возникают в процессе роста кристаллов (двойники роста), под действием внешних нагрузок (Механические двойники), при нагревании деформированных кристаллов (двойники отжига или рекристаллизации), при фазовых превращениях (особенно мартенситного и сегнето- [c.13]

Концентрация напряжений при образовании двойниковых включений необходима для предварительного образования упругого двойника. Это подтверждается тем, что при равномерном распределении напряжений и отсутствии дефектов (концентраторов напряжений) кристалл можно поломать, раздробить, не вызывая его двойникования, В особых условиях при больших сжимающих нагрузках иногда двойники возникают, возможно, вблизи скрытых концентраторов. Сосредоточенная нагрузка приводит к появлению упругого двойника, увеличение нагрузки - к увеличению размеров упругого двойника. Когда часть площади поперечного сечения, занятая упругим двойником, достаточно велика, происходит скачкообразное превращение упругого двойника в стабильное двойшковое включение. В опытах, при которых стерженьки сжимаются % прессе, двойникование начинается вблизи контакта с щеками пресса, где действуют сосредоточенные нагрузки. В работе [36] детально показана роль концентраторов напряжения в области контактов между поверхностью нагру ющего устройства и кристаллом. [c.20]

Сосредоточенные нагрузки могут появиться в некоторых местах контакта кристаллических зерен металлов и сплавов. В таких местах при деформации поликристаллического образца могут возникать упругие двойники, а затем и пластинчатые включения. Такое явление наблюдается только в образцах с сравнительно небольшой площадью сечения плоскостью двойникования Кх. Качественно можно утверждать, что площадь боковой поверхности упругого двойника перед потерей устойчивости мало отличается от указанной площади сечения образца. При больших значениях этой площади превращения упругого двойника в остаточный получить невозможно, так как для этого необходимо сильно увеличить значение нагрузкиР, V [c.26]

В мозаичных кристаллах превращение упругих клиновидных двойников в пластинчатые включения можно получать лишь при весьма малых значениях разориентации смежных блоков. Например, в мозаичных кристаллах натриевой селитры при разориентации 10 упругие двойники пересекают границы блоков, но в пластинчатые включения не превращаются. В образцах натриевой селитры с разориентацией блоков до 8 можно получать упругие и пластинчатые включения при комнатной температуре. Утолщение под нагрузкой тонких пластинчатых включений удается-тлолучагь только в образцах с разориентацией блоков не менее З [69], [c.26]

Реалшая граница фаз обычно не совпадает с инвариантной плоскостью, и тогда ее можно разбить на участки когерентных границ, отдаленных друг от Друг не (сими ступеньками . Эти ступеньки играют принципиапьную роль в кинетике фазового превращения, так как на них реализуется перестройка элементарной ячейки кристаллической решетки и с ними связано понятие даслокаций превращения. Впервые это было понято и описано применительно к процессу механического двойникования (Влади- мир< ий, 1947 [84] Франк и Ван-дер-Мерве, 1949 [85]), поэтому именно тот случай мы используем для определения двойникующей дислокации I как примера дислокации превращения. [c.29]

В случае ряда мартенситных превращений происходит аналогичная перестройка с инвариантной плоскостью. Если на этой плоскости находится ступень, п которой граница переходит из одной плоскости решетки в соседнюю, то такой дефект будет обладать свойствами, весьма близкими к свойствам двойникующей дислокации. Его называют дислокацией превращения Скольжение дислокации превращения вдоль границы приводит к распространению фазового превращения. Впервые представления о даслокациях превращения были введены в работе [Й]. [c.31]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология