Вещество поликристаллическое

Межплоскостные расстояния и относительные интенсивности линий некоторых поликристаллических веществ [c.476]

Кристаллическое и аморфное состояние вещества. Большинство твердых тел в окружающем нас мире являются кристаллическими, т. е. образующие их частицы расположены регулярно в трехмерном пространстве. В монокристаллах эта регулярность распространяется на весь объем твердого тела, в поликристаллических образцах имеются регулярные области — зерна, размеры которых значительно превышают расстояния между микрочастицами (на границах между этими областями ориентация регулярной структуры резко меняется). Таким образом, в кристаллических телах реализуется в отличие от жидкостей дальний порядок . [c.72]

По степени распространенности среди твердых тел основным является кристаллическое состояние, характеризующееся строго определенной ориентацией частиц друг относительно друга. Это определяет и внешнюю форму вещества в виде кристалла. В идеальных случаях кристалл ограничен плоскими гранями, сходящимися в точечных вершинах и прямолинейных ребрах. Одиночные кристаллы (монокристаллы) иногда встречаются в природе в большом количестве их получают искусственно. Однако чаще всего кристаллические тела представляют собой поликристаллические образования — сростки большого [c.132]

Получение веществ с заданной текстурой, например магнитных материалов,— важная задача современной техники. Состав и строение поликристаллических веществ воспроизводятся не вполне точно и только при получении их в строго определенных условиях. Часто очень существенным является даже порядок выполнения операций. О воспроизводимости аморфных веществ, казалось бы, не может быть и речи. Так ли это, мы увидим ниже. В то же время получение газообразных и жидких веществ не связано с непреодолимыми трудностями. [c.44]

Обычно твердые вещества получаются в виде поликристаллических тел. Последние представляют собой сростки мельчайших кристаллов — зерен размером (в металлах) от 0,1 до 10 мкм. Кристаллическая структура зерен менее совершенна, чем блоков монокристалла. Помимо того, что внутри и на поверхности зерен имеются примесные атомы, зерна во всех направлениях иссечены дислокациями. В большинстве поликристаллических тел зерна расположены беспорядочно, так что между их граничными поверх- [c.43]

АДСОРБЦИОННЫЕ СВОЙСТВА ВЕЩЕСТВ Поликристаллические адсорбенты [c.262]

Хотя уже говорилось о том, что поверхность катализатора служит местом протекания каталитической реакции, из этого не следует, что именно так обстоит дело во всех случаях. Большинство кристаллических тел имеет поликристаллическую структуру, и на поверхности между микрокристаллами есть множество активных центров для протекания каталитической реакции. Аморфные вещества, такие, как окиси и гидроокиси многих металлов, могут иметь поры, молекулярные трещины и неправильные поверхности, доступность которых для химической реакции сильно зависит от природы реагирующих веществ и от условий эксперимента. Газообразные вещества (Нз, Н2О, СО, СО2, N0 и многие другие) могут сильно сорбироваться на таких твердых телах , как стекло, кварц и металлы. Количество газа, которое монгет быть десорбировано откачиванием стеклянной или [c.532]

Образование поликристаллических тел. Кристаллизация может идти сразу на множестве центров кристаллизации, например на поверхности большого количества посторонних тугоплавких частиц, находящихся в переохлажденном расплаве металла. При достаточно быстром отводе тепла отвердевание заканчивается образованием массы мелких кристаллов, каждый из которых рос до встречи с другими кристаллами и оказался стиснут ими со всех сторон. Таким образом, получается поликристаллическое твердое вещество. [c.153]

Нередко кристаллиты определенным образом ориентированы, т. е. поликристаллическое вещество имеет текстуру. Явно выраженную текстуру имеют такие вещества, как целлюлоза, асбест, слюда, булатная сталь. [c.44]

Поликристаллическое вещество состоит из большого числа хаотически ориентированных кристалликов. Если в облучаемом объеме образца таких кристалликов примерно 10 в 1 мм , то практически осуществляется любая ориентация кристалликов относительно первичного пучка рентгеновских лучей. [c.357]

Подготовка образца поликристаллического вещества кубической сингонии [c.369]

Исследование поликристаллического вещества средней сингонии [c.372]

Практически чаще приходится встречаться не с монокристаллами, а с поликристаллическими или порошкообразными кристаллическими веществами. [c.153]

При замене монокристалла поликристаллическим веществом из-за беспорядочного расположения отдельных кристаллов всегда найдутся такие, у которых рассматриваемое семейство плоскостей будет удовлетворять уравнению Вульфа—Брегга. [c.113]

Возвратимся к рассмотрению механических свойств твердообразных микро-. гетерогенных и коллоидных систем, об- ладающих истинной упругостью. К таким системам относятся поликристаллические. металлы, самые разнообразные структурированные дисперсные системы, гели, концентрированные растворы мыл, а также высокомолекулярные вещества н их концентрированные растворы, способные проявлять не только упругость, но и высокую эластичность. [c.333]

Рис. 1.12. Зависимости дифференциальной емкости от потенциала в растворе фона 1) и в присутствии органического вещества (2) а — в условиях образования двумерного конденсированного слоя б — при переориентации адсорбированных молекул в — на поликристаллическом электроде

На рис. VI. 20, а приведена типичная зависимость удельного объема низкомолекулярного вещества от температуры. Видно, что плавление происходит практически в точке, в которой скачком меняется удельный объем. Иначе обстоит дело в случае полимеров, кристаллы которых относительно малы и значительно более дефектны по сравнению с низкомолекулярными. Температуры плавления кристаллических полимеров, как правило, ниже равновесной. Разность может достигать от нескольких градусов до нескольких десятков градусов. Редкое исключение составляют лишь упомянутые выше кристаллы с выпрямленными цепями, которые плавятся вблизи TZ- При кристаллизации полимеров из расплава всегда образуются кристаллы, характеризующиеся достаточно широким распределением по размерам и по дефектности, а следовательно, и по температурам плавления. Поэтому поликристаллические полимерные фазы плавятся в определенном интервале температур, иногда весьма широком (рис. VI. 20, б). Последнее, разумеется, не означает нарушения термодинамического требования скачкообразности перехода. Плавление каждого отдельного кристаллита происходит скачком, а кажущаяся плавность перехода отражает лишь структурную неоднородность кристаллического образца. [c.186]

К Ир и к С. Д. разработка и применение новых методов порошковой рентгено графии к исследованию строения поликристаллических неорганических веществ Автореф. дисс.... канд. хим. наук. Новосибирск, 1981. [c.130]

Можно привести еще ряд советов, наблюдений пользователям комплексов программ по уточнению ст1)уктур поликристаллических веществ [c.220]

Количественный рентгенофазовый анализ, в задачу которого входит определение количественного содержания отдельных фаз в многофазовых поликристаллических материалах, основан на зависимости интенсивности дифракционных максимумов (отражений) от содержания определяемой фазы. С увеличением содержания той или иной фазы интенсивность ее отражений увеличивается. Однако для многофазовых препаратов зависимость между интенсивностью и содержанием данной фазы неоднозначна, поскольку величина интенсивности отражения определяемой фазы зависит не только от ее содержания, но и от показателя ослабления i, характеризующего степень ослабления рентгеновского пучка при прохождении через данное вещество. Указанный показатель ослабления исследуемого вещества зависит от показателей ослабления и содержания всех фаз, входящих в его состав. Таким образом, любой метод количественного анализа должен тем или иным способом учитывать или исключать влияние изменения показателя ослабления при изменении состава препаратов, нарушающего прямую пропорциональность между содержанием данной фазы и нитснсив-ностью ее дифракционного отражения. [c.89]

При съемке изотропного (в макроскопическом смысле) поликристаллического вещества дифракционная картина может быть представлена (см. гл. 1) как серия вложенных друг в друга конусов, осью которых является первичный пучок рентгеновского излучения. При регистрации на дифрактометре должна была бы получиться серия дискретных линий, но в действительности они имеют конечную ширину из-за расходимости первичного пучка, конечных размеров входной щели и щели счетчика, конечного значения коэффициента поглощения и ряда других причин, рассмотренных в предыдущей главе. Тем не менее ширина линий обычно гораздо меньше, чем интервал между ними. [c.245]

Еще более сложным видом искажений кристалла служат плоские дефекты. Их наличие приводит к тому, что поликристаллические вещества состоят из определенного набора зерен или блоков, соединенных между собой и ориентированных произвольным образом (рис. 39, в). Области на границах между зернами имеют искаженную кристаллическую структуру. [c.90]

При этом в полной аналогии с ростом единичного кристалла наблюдается пассивация граней поликристаллического осадка— те грани кристаллов, на которых вещество сильно адсорбируется, не растут, в то время как грани с относительно чистой поверхностью продолжают расти беспрепятственно [c.350]

Кристаллы окружают нас повсюду. Камни, металлы, сахар, соль, лекарства, снег и т. д. — все это кристаллы. Всякое кристаллическое вещество состоит из зерен, которые имеют различную форму и размеры от долей миллиметра до одного метра. Большинство окружающих нас тел имеет поликристаллическое строение и состоит из многих мелких кристалликов. Однако для изготовления полупроводниковых приборов обычно используют только монокристаллы, т. е. материапы, весь объем которых состоит из одного кристалла. [c.83]

Сульфид серебра для электродов с твердой мембраной представляет собой универсальное вещество. С одной стороны, он явился основой одного из первых гомогенных кристаллических электродов с высокой селективностью по отношению к ионам Ag+ и S , с другой — оказался превосходной матрицей для поликристаллических галогенидов серебра и многих сульфидов (халькогенидов) двузарядных металлов. В качестве приближенной меры коэффициента влияния твердых ИСЭ с мембраной из труднорастворимых солей принимают отношение произведений растворимости. Например, для иодидного электрода с мембраной, содержащей Agi, коэффициент влияния находящихся в растворе ионов А (С1 , Вг- и др.) равен [c.531]

Для изучения фазового состава поверхностного слоя катализаторов пользуются методом электронографии [27], так как глубина проникновения электронных лучей гораздо меньше рентгеновских и составляет величину порядка десятков и сотен ангстрем. Этот метод является также полезным при исследовании процесса образования новых фаз, когда количество новой фазы незначительно и кристаллы имеют малые размеры. В этом случае интенсивность рентгеновских рефлексов ничтожно мала и они теряются на фоне рентгенограммы, в то время как электронограмма дает отчетливую картину. Определение фазового состава поликристаллических веществ методом дифракции электронов обычно проводится по их межплоскостным расстояниям, рассчитываемым в свою очередь по формуле Брэгга—Вульфа. Точность определения межплоскостных расстояний по электро-нограммам значительно меньше, чем рентгеновским методом. [c.381]

В фазовых контактах сцепление частиц обусловлено близкодействующими силами и осуществляется по крайней мере 10-... 10 межатомными связями вследствие увеличения площади контакта по сравнению с атомным [174]. В зависимости от дисперсности и средней прочности отдельного контакта прочность структуры составляет 10. .. 10 Н/м и более. Образование фазовых контактов можно рассматривать как процесс частичной коалесценции [174] твердых частиц из-за увеличения площади непосредственного контакта между ними с переходом от "трчечного" соприкосновения к когезионному взаимодействию на значитеяы ой площади. Такой переход может осуществляться постепенно, например вследствие диффузионного переноса вещества в контактную зону при спекании. Чаще он происходит скачкообразно, как правило, в тех случаях, кс гда возникновение фазового контакта связано с необходимостью преодоле1 ия энергетического барьера, определяемого работой образования устойчивого в данных условиях зародыша - контакта - первичного мостика между частицами. Возникновение и развитие его могут быть результатом совместной пластической деформации частиц в местах их соприкосновения под действием механических напряжений, превышающих предел текучести материала частиц. Зародыш-контакт может образоваться и при вьщелении вещества новой фазы из ме-тастабильных растворов в контактной зоне между кристалликами - новообразованиями срастание кристалликов ведет при этом к формированию высокодисперсных поликристаллических агрегатов [174,193]. [c.106]

I тип — непористые адсорбенты. Сюда относятся MOHO- и поликристаллические вещества, такие, как графитиро-ванпая сажа, хлорид натрия, а также аморфные непористые вещества. Удельная поверхность подобных адсорбентов может колебаться в широких пределах — от сотых долей до сотен квадратных метров на грамм. Характерна для этого типа независимость адсорбционных свойств единицы поверхности от удельной поверхности. [c.108]

В методе порошка метод Дебая) в качестве объекта иссле доваиия берут поликристаллическое вещество (порошок или шлиф), состоящее из частиц с линейными размерами не больше [c.355]

Адсорбция поверхностно активных веществ на поликристаллических металлических электродах находится в зависимости от поверхностной энергии на отдельных гранях кристаллов и поверхностной энергии на ребрах и вершинах кристаллов. По мнению Лангмьюра, каждый поверхностный атом металла служит адсорбционным центром, способным поверхностной энергией связать ион, атом или молекулу адсорбируемого вещества. [c.103]

Кроме процессов самодиффузии и гетеродиффузии, осуществляющихся в объеме вещества, большой интерес представляет диффузия вещества в поверхностном слое твердых тел и по границам зерен. В монокристаллах практически вещество переносится только через кристаллическую решетку, и поверхностной диффузией можно пренебречь. В поликристаллическом веществе диффузия по [c.206]

Высокотемпературная рентгеновская камера для съемки монокристаллов РКВТ-400 представляет собой модернизацию рентгеновской камеры вращения тина РКВ-86А, приспособленную для исследований монокристаллов и поликристаллических веществ в температурном интервале от 20 до 400 °С. Она обеспечивает получение нулевых слоевых линий рентгенограмм вращения и качаний монокристалла и дебаеграмм поликристаллов. Рентгеносъемка проводится на воздухе на фотопленку, помещенную в цилиндрическую кассету с расчетным диаметром 114,59 мм. Кристалл, установленный на гониометрической головке, нагревается е помощью термостатнрующего устройства, обеспечивающего вдоль оси камеры постоянную температуру. Кассета с пленкой крепится вне термостата, что позволяет производить замену пленки без нарушения теплового режима образца. Измерение температуры производится термопарой хромель-капель , а ее стабилизация достигается с помощью специальной электрической схемы, обеспечивающей точность не хуже +013°- [c.140]

Методы и схемы съемки рентгенограмм. Методы съемки с фотографической регистрацией. Существуют три принципиально различных метода рентгенографического анализа с фотографической регистрацией рентгеновского излучения, в двух из которых — методе порошка поликристаллического вещества и методе вращения монокристалла — используется монохроматическое, а в третьем — методе Лауэ — полихроматическое излучение. К разновидности метода вращения относится метод колебания или качания монокристалла. Кроме того, метод вращения и качания можно подразделить на два вида, в одном из которых съемка осуществляется на неподвижную, а в другом — на перемещающуюся пленку (метод развертки слоевых линий или рентгеногониометрический метод). [c.78]

Исследование поликристаллических материалов методом порошка в подавляющем большинстве случаев не дает достаточных данных для расшифровки тонкой структуры кристаллических веществ, хотя в некоторых редких случаях по порошкограмме удается даже расшифровать атомную структуру вещества. Задача инди-цирования рентгенограмм по методу порошка при неизвестных параметрах решетки однозначно решается только для кристаллов с высокой симметрией. Применение метода порошка для этой цели при низкой сингонии кристалла возможно в отдельных частных случаях при малых параметрах ячейки. Вместе с тем исследование поликристаллических материалов позволяет успешно решать целый ряд разнообразных задач. В табл. 11 приведены данные для выбора метода и соответственно схем съемки в зависимости от задачи рентгенографического анализа, параметров, анализируемых на рентгенограмме, и требований к характеру рентгенограмм. [c.83]

Электронографический анализ осуществляется на электронографах — электронно-оптических вакуумных приборах, которые могут работать и как электронные микроскопы, позволяя получать теневые электронно-оптические изображения, хотя их работа в этом режиме имеет вспомогательное значение. К таким приборам, например, относится электронограф ЭГ-100А. По ходу электронного пучка сверху он имеет следующие основные узлы электронную пушку (источник электронов) двойную электромагнитную линзу кристаллодержатель, позволяющий осуществлять различные перемещения образцов по отношению к пучку электронов камеры образцов проекционный тубус фотокамеру с флюоресцирующим экраном для визуальной работы низко- и высоковольтные блоки питания пульт управления. В электронографе имеется устройство для исследования газов и паров различны < веществ. Разрешающая способность прибора позволяет получать раздельные дифракционные максимумы при различии в меж-плоскостном расстоянии на 0,001 А. Наблюдение дифракционной картины производится на флюоресцирующем экране или фотографическим методом. Электронографическая картина различна в зависимости от типа снимаемого объекта точечная электронограмма образуется при съемке монокристаллов на просвет и на отражение кольца на электронограмме образуются при исследовании поликристаллических веществ дуги и кольца — от веществ, имеющих текстуру. [c.106]

Постоянную прибора рассчитать по формуле (1У.4). Ошибка в определении постоянной прибора равна АС=с1нкьАг-, Аг — ошибка в измерении радиуса кольца (0,1 мм). Электронограммы поликристаллического образца определить по межплосткостным расстояниям по формуле (1У.5), а идентификацию исследуемого вещества— по справочникам. Результаты измерений, расчета и справочные данные записать в таблицу по образцу [c.106]

Наличие дислокаций и плоских дефектов в реальных кристаллах сильно сказывается на механических свойствах твердых тел. Однако это отнюдь не означает, что монокристаллы вещества по прочности всегда будут превосходить его поликристаллические конгломераты. Все будет зависеть от степени взаимодействия дислокаций и плоских дефектов с другими дефектами твердого тела. Так, монокристаллы чистого железа очень пластичны, в то время как стали, имеющие блоч-. ную структуру, проявляют прочность в сотни раз большую за счет взаимодействия дислокаций с примесными дефектами. Междоузель-ные примесные дефекты, как правило, затрудняют движение дислокаций, осложняя механическую обработку металлов. В связи с этим при механической обработке высокопрочных металлов, таких, как титан, молибден, бериллий, вольфрам, обычно проводят их тщательную очистку от примесей азота и кислорода. [c.91]

Образование твердых тел типа цементных бетонов и других строительных материалов с использованием минеральных вяжущих веществ — цемента, извести, гипса — происходит путем кристаллизационного структурообразования на основе первоначальной коагуляционной структуры в концентрированных суспензиях — дисперсных смесях из порошка цемента и инертного заполнителя с водой. Коагуляционные структуры образуются сцеплением частичек твердой фазы через тонкие остаточные прослойки жидкой дисперсионной среды. Поэтому прочность таких структур, обусловленная весьма слабыми вандерваальсовыми взаимодействиями, очень мала по сравнению с прочностью конечной кристаллизационной структуры — плотного поликристаллического сростка, который образуется непосредственным -срастанием друг с другом кристалликов гидратных новообразований, выделяющихся из пересыщенного водного раствора. [c.184]

Структурные изменения при подходе к температуре плавления наблюдаются в тонких пленках простых веществ. А. Г. Бунтарь, В. А. Кру-пельницкий и А. М. Тхоривский методом кинематической электронографии обнаружили, что наиболее существенные изменения в тонких пленках индия происходят до начала плавления и после, охватывая температурный интервал около Ю С. Пэ кинематическим электронограммам практически невозможно зафиксировать температуру перехода твердое тело жидкость. Дифракционные линии поликристаллических пленок алюминия почти совсем исчезают при температуре 646°С, что на 14°С ниже точки плавления массивного образца. [c.198]

В методе Дебая — Шеррера монохроматическое рентгеновское излучение вазимодействует с полпкристаллическим образцом исследуемого вещества. Переменным параметром в этом методе, называемом также методом порошка, является угол падения 0, так как в поликристаллическом порошковом образце присутствуют кристаллики любой ориентации относительно первичного пучка. При этом вместо отдельных пятен на рентгенограмме получаются концентри- [c.196]

При быстрой кристаллизации в условиях, далеких от равновесного хода процесса, обычно получаются поликристаллические вещества, зерна которых в силу условий роста, соприкосновения и срастания обычно имеют неправильную форму. Пространственная ориентация их различна и случайна, границы деформированы. Внутренняя структура зерен также неидеалъная из-за различных напряжений, неравномерного теплоотвода и т. д. Особенно много дефектов на границе зерен. Поверхностные слои по свойствам и даже по составу могут отличаться от внутренних слоев кристалла. От дефектов строения сильно зависят свойства веществ. Медленная кристаллизация способствует образованию более крупных кристаллов с меньшим числом дефектов в них. Кристаллы могут получаться различными способами (см. гл. X). [c.135]