Металлические подложки с изолированными поверхностями

Процесс глубокой очистки поверхности металлического образца термообработкой и (или) ионной бомбардировкой неизбежно сопровождается удалением некоторого количества металла, который осаждается в вакуумной камере. Даже если его количество мало, это может заметно влиять на исследование адсорбции (и катализа). Например, очень тонкая металлическая пленка (10- г/м ) состоит из отдельных и редко расположенных весьма мелких кристаллитов, однако в пределах заданной удельной поверхности подложки общая поверхность металлической пленки вполне может быть равна поверхности, на которой осаждены кристаллиты. Чтобы воспрепятствовать адсорбции (или каталитической реакции), можно поддерживать достаточно низкую температуру металла. Поскольку адсорбция многих газов, таких, как кислород, водород или окись углерода, на переходных металлах идет с высокой скоростью даже при 77 К, использование указанного способа для подавления нежелательной адсорбционной активности весьма ограниченно чаще его применяют при каталитических исследованиях, так как не многие каталитические реакции быстро протекают при 77 К. Если подавить нежелательную активность за счет разной температуры невозможно, очищенный образец металла необходимо изолировать от металла, осажденного в процессе очистки. С этой целью необходимо перенести через запираемое отверстие в другую часть вакуумной установки или очищенный образец, или осажденный металл. Выбор определяется характером исследуемой реакции и типом металлического образца. Поэтому, [c.344]

Формирование рисунка фотолитографическими методами основано на использовании поли.мерной пленки заданной конфйгурации, нанесенной на поверхность металлических или изолирующих пленок, покрывающих всю поверхность подложки. Рисунок микросхемы наносится на маскирующее покрытие из полимерной пленки и повторяется в пленке металла или изолирующего слоя вытравливанием незащищенных участков. Маскирующее покрытие ) из полимерной пленки создается с помощью полимерных фото-чувстнительных материалов, называемых фоторезистами, молекулярная структура и растворимость которых изменяются при облучении фотонами. Для того, чтобы выделить те участки, на которых следует изменить растворимость фоторезиста, и чтобы оградить их от воздействия светового излучения, необходимо иметь диапозитив или фотошаблон с рисунком требуемой конфигурации. Этот процесс аналогичен процессу контактной печати, применяемому в фотографии, за исключением того, что вслед за проявлением рисунка в слое фоторезиста, следует травление рисунка в пленке, на которую нанесен фоторезист и удаление полимерного маскирующего покрытия. [c.570]

I) Катодное травление на постоянном токе. В методе катодного травления на постоянном токе для рекомбинации положительно заряженных ионов необходимо, чтобы подложка, которая подвергается бомбардированию потоком частиц, была проводящей. Это условие выполняется только в том случае, если пленка, которая подвергается травлению и маскирующее покрытие — металлические. На практике такое положение встречается довольно редко, и потому этот метод имеет весьма ограниченное применение. В этом случае формирование рисунка в пленке почти любого металла легко осуществляется методами обычной фотолитографии. Больший практический интерес представляет катодное травление окисных пленок. В этом случае обеспечение рекомбинации зав.чсит от характера и материала. маскирующего покрытия. Один из вариантов такого метода был применен Ва-леттом [133]. Из тонкой металлической фольги была изготовлена маска, которая располагалась в тесном контакте с поверхностью кремниевой подложки и с изолирующим (окисным) слоем. Потенциал катода, подававшийся на маску, составлял 1,5—2 кВ. Рисунок, который должен был быть вытравлен в изоляционном слое, состоял из маленьких отверстий (0,06 мм диаметром). Бомбардирование этих участков достигалось за счет того, что при прохождении по направлению к маске ионы аргона ускорялись по прямой линии и далее через отверстия в металлической фольге. Положительные заряды, накапливавшиеся на поверхности изолятора, притягивались частично вторичными электронами испускавшимися маской и поэтому нейтрализовались. Этот процесс эффективен только в случае очень малых расстояний, потому что в этом случае электрическое поле вдоль ионной оболочки сильное и, как правило, оттягивает вторичные электроны от поверхности. Скорости удаления при этом составляют от 150 до 300 А мин для пленок различного состава стекла и двуокиси кремния. Некоторые рассеянные ионы попадают под края отверстий з маске, так что стенки растравленных отверстий имеют наклонную форму, с коэффициентом растравливания с(/Д/, равным примерно 0,4 (см. рис. 16). [c.626]

Спектроскопия неупругого электронного туннелирования (СНЭТ) — новый перспективный метод исследования колебательных спектров адсорбированных на твердой поверхности органических веществ [1, 2]. Он основан на использовании квантового эффекта туннелирования электронов через тонкий изолирующий слой, помещенный между двумя металлическими пленками. Для оптимального разрешения изолирующий слой должен иметь толщину примерно 2 — 3 нм (20 — 30 А), при этом он может состоять из двух частей подложки из окисла какого-нибудь металла и нанесенного на нее монослоя или субмонослоя исследуемого органического вещества. К изолирующему слою прикладывается небольшая разность потенциалов, и регистрируются колебательные спектры компонентов слоя, определяемые энергетическими потерями при туннелировании электронов. Обычно результаты получают в виде второй производной туннельного тока 1 как функции приложенного напряжения К так как при использовании именно таких координат спектр неупругого электронного туннелирования (НЭТ) аналогичен ИК-спектру. Расположение пиков в спектре [c.95]