Кристаллы диффузионные

Рост кристалла — диффузионный процесс. Линейную скорость роста грани кристалла можно выразить уравнением [c.104]

Рассмотрим вопрос о влиянии размера кристалла на его ско-)ость роста и растворения с точки зрения диффузионной теории 331, 332]. Пусть рост единичного кристалла происходит в условиях, когда концентрация и температура раствора, в котором находится этот кристалл, не меняются во времени. Кроме того, примем, что кристалл имеет форму шара (рис. 27) радиусом г и окружен диффузионным слоем толщиной б, не изменяющейся во времени. Обозначим концентрацию раствора на границе раздела кристалл — диффузионный слой Со, а на внешней границе диффузионного [c.86]

Перенос вещества, потребного для роста кристалла в неподвижной среде, происходит вследствие возникающих в раств.оре одновременно с ростом кристалла диффузионных и конвекционных токов. [c.419]

Такая доставка потребного для роста кристалла вещества в неподвижной среде осуществляется за счет возникающих в растворе одновременно с ростом кристалла диффузионных, конвекционных и концентрационных токов. [c.370]

В узких зазорах между кристаллами диффузионное сопротивление значительно больше, чем в широких, так как при кнудсеновском механизме переноса проницаемость пропорциональна радиу- [c.201]

Существует несколько теорий роста кристаллов (диффузионная, термодинамическая, молекулярно-ки-нетическая). [c.94]

В этом случае активные элементы ИМС (можно и некоторые некритичные по номинальному сопротивлению резисторы) изготовляют в теле кремниевого кристалла диффузионным методом, а затем вакуумным нанесением пленок (как в пленочных ИМС) формируют пассивные элементы — резисторы, конденсаторы и межсоединения. [c.11]

Следует отметить, что в случае поликристаллических осадков, когда образующиеся вокруг растущих кристаллов диффузионные слои перекрывают друг друга, величина концентрационной поляризации изменяется с величиной поляризующего тока. [c.27]

Клочевые слова кристалл, диффузионная теория, парафин, дистиллят, кристаллообразование. [c.151]

Твердые частицы. Рассмотрим вначале чисто диффузионный пфенос к частице, помещенной в неподвижную жидкость или газ. Такой случай, хотя и крайне редко, но все же встречается на практике. Примерами могут служить рост кристаллов в пересыщенных растворах при лимитирующем диффузионном сопротивлении подводу кристаллизующегося вещества к поверхности кристалла диффузионное горение капельки жидкого топлива, лимитирующей стадией которого является испарение жидкости с поверхности капли. Б указанных случаях можно пренебречь скоростью движения частиц относительно жидкости (газа) вследствие ее малости (Рбс—>0). При этом уравнение (5.3.1.1) для среды, окружающей частицу, сводится к виду [c.275]

Из сказанного ясно, что скорость роста при этом режиме является малой, причем она уменьшается со временем, по мере увег личения размера кристалла. Диффузионное влияние на рост выражено наиболее рельефно. [c.41]

Около свободно растущего кристалла диффузионный пограничный слой при естественной конвекции имеет толщину до десятых долей хмиллиметра и более она зависит от разности между плотностями раствора вдали и вблизи от кристалла (т. е. от скорости роста), вязкости раствора, размера кристалла и коэффициента диффузии. [c.41]

Предложенный метод непосредственного расчета электрического потенциала, возникающего в кристаллизующемся веществе при разомкнутой электрической цепи. Показано, при каких условиях кристаллизационный потенциал может на несколько порядков превышать равновесный потенциал двойного электрического слоя на границе фаз. Основным критерием оказывается соотношение между скоростью движения фронта кристаллизации, скоростью движения ионов в кристалле - диффузионной и под влиянием электрических сил, а также интенсивностью элек-тродиффузионных процессов в расплаве в тонком слое, прилежащем к фронту кристаллизации. Ил. - 5, библиогр. - 9 назв. [c.256]

При температурах свыше 200—250 К спектры ЯМР широкопористых цеолитов резко (в сотни раз) сужаются и приобретают характерную для диффундируюш ей в кристаллах воды структуру. При этом существенны два факта. Во-первых, ширина суженного спектра Остается постоянной вплоть до температуры дегидратации (200—300°С и более). Это означает, что при всех температурах молекула движется по одному и тому же строго заданному структурой кристалла диффузионному пути в точнос ти так же, как п кристаллогидратах. Во-Ьторых, несмотря на низкотемпературную подвижность, сохраняются очень высокие значения темп рату-ры дегидратации. Данная особённость резко отличает цеолиты от кристаллогидратов, в которых дегидратация или плавление редко происходит при температурах заметно выше 100°С. Природа высокотемпературного гидратированного состояния цеолитов прояснилась только после обнаружения двухфазного строения цеолитной воды. Оказалось, что диффузия молекул воды в цеолитных каналах пе мешает некоторой части этих молекул быть жестко связанной в цеолитных каналах. Например, в мордените, несмотря па начало диффузионного сужения спектра ЯМР при —100°С, даже при +100°С остается около 10% жестко связанной воды (при этом полная дегидратация имеет место лишь при 450 С). Было предположено, что эти жестко связанные молекулы подобно пробкам блокируют цеолитный канал, преграждая путь диффундирующим молекулам. Отсюда естественно выдвинуть изохорическую модель цеолитной воды в замкнутом пространстве каналов. Нагрев повышает давление внутри канала а вместе с давлением растет и температура плавления цеолитной воды. В соответствии со сказанным диффузию воды в гидратированных цеолитах можно рассматривать как изохорическое (в замкнутом объеме) плавление. Очевидно также, что эффективность пробок в запирании объема каналов связана с их коллективными свойствами, вытекающими из наличия более прочных связей вода— вода в определенных участках цеолитных каналов. [c.124]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология