Функционал электронной плотности

ПРИМЕНЕНИЕ ТЕОРИИ ФУНКЦИОНАЛА ЭЛЕКТРОННОЙ ПЛОТНОСТИ [c.173]

Эквивалентность зарядовых центров становится очевидной из графиков представленного выше типа. Важным в равной мере является получение наглядной картины того, каким образом изменяется распределение заряда при добавлении или удалении электронов из системы. Именно в этом смысле применение теории функционала электронной плотности позволяет получать информацию, которая до сих пор была неочевидной. [c.181]

Подобные же соображения используются в теории возмущений мол. орбиталей, развитой М. Дьюаром (1952). В этой теории первоначально в п-электронном приближении рассматривалась энергия двух реагирующих неполярных молекул на основе выражения второго порядка теории возмущений, в к-ром осн. вклады, как прави.по, дают лишь слагаемые, включающие высшие занятые и низшие свободные мол. орбитали реагирующих молекул. Простейшим приме-ро.м является взаимод. акцептора электронов А (напр., ВНз) с донором электронов В (напр., ННз), приводящее к образованию комплекса с переносом заряда для такой системы осн. вклад в энергию взаимод. дает тот член в выражении для энергии, к-рый зависит от орбитальных энергий двух орбиталей высшей занятой О и низшей свободной А. Разработаны и развиваются т. наз. методы функционалов плотности, к-рые базируются на том, что по крайней мере для основного состояния молекулы энергия есть функционал электронной плотности. В приближении Хартри-Фока эта энергия представляет собой функционал всего лишь высшей занятой мол. орбитали. [c.122]

Поскольку в основе практически всех современных теорий поверхностных явлений металлов лежит метод функционала электронной плотности (МФП), рассмотрим исходные уравнения этого метода. [c.299]

В последние годы область непо сред ственного контакта металла с окружающей средой (в основном — вакуума) получила свое физическое обоснование лишь благодаря успехам в области теории неоднородного электронного газа металла (см. [48 -52,13] и библиографию к ним), основанной преимущественно на методе функционала электронной плотности. Применимость данного метода для границы металл - жидкость весьма затруднительна, поскольку сама жидкость также обладает ориентированным слоем поверхностных молекул, ответственных за возникновение скачка потенциала со стороны жидкой фазы. Однако несомненно, что на этой границе не последнее влияние оказывает плотность электронного газа металла и ее распределение вблизи поверхности ( электронные хвосты ). В связи с трудностями интерпретации поверхностных явлений в первом приближении целесообразно использовать простые феноменологические представления и определить с их помощью ту группу параметров, которые формируют свойства поверхности и ее электрические характеристики. Основываясь на фундаментальных законах электростатики, можно безмодельно описать межфазную границу металл - раствор и ответить на главный вопрос — какие факторы и в какой степени формируют скачок межфазного потенциала, т. е. решить проблему Вольта. [c.37]

Прмменению простых вариантов метода функционала электронной плотности для 1Г)учения энергетических характеристик кластерных соединений посвящен недавний обзор [27 ]. — Прим. перев. [c.173]

В заключение отметим недавнюю работу [135], автор которой обратился к описанию диффузии атомарного кислорода в 8102 рамках модели сверхячейки. На основании расчетов в приближении функционала электронной плотности установлено, что атомарный кислород в объеме кристалла а-кварца преимущественно [c.165]

МФП основывается на теореме Хоэнберга и Кона о существовании универсального функционала энергии системы электронов, находящтхя в поле внешнего потенциала (г). Для основного состояния системы электронов У т) представляет собой одночастичный функционал электронной плотности, поэтому для всех возможных п(г), соответствующих одному и тому же полному числу электронов М, функционал Е п т)) будет минимален и равняться энергии основного состояния системы электронов, которая записывается в виде [c.299]

В настоящее время появились исследования в новом аспекте ионизационного направления. Так, в [33-36] было показано, что ЭО есть количественное свойство атома или молекулы, определенное как X = — дЕ/дМ, где -энергия основного состояния многоэлектронной системы как функция числа электронов. Это означает в соответствии с теорией функционала электронной плотности Хоэнберга и Кона [37], что ЭО есть отрицательный химический потенциал [c.39]

Конкретные расчеты ЭО, проведенные рассматриваемым методом, дали результаты, отличающиеся всего на 8% от эмпирических значений Малликена [39,40]. Однако более важными представляются методологические следствия такого подхода. Так, в работе [41] было показано, что в соответствии с теорией функционала электронной плотности ц = — V r), где F(r)-общий электростатический потенциал системы при 5775р= -б(ех + -I- е(,)/5р (Г-кинетический - обменный е<.-корреляционный функционалы и р-функция электронной плотности в зависимости от расстояния г). Определив ц из Л" по Малликену, можно найти при котором выполняется условие равенства производных функционалов. Оказалось, что эти Гц приблизительно равны ковалентным радиусам. Таким образом, для каждого атома есть некое r , при котором электростатический потенциал является мерой его химического потенциала. Именно это обстоятельство и обусловливает успех концепции ковалентных радиусов при описании природы химической связи. [c.41]

В настоящей работе представлены первые результаты квантово-химического моделирования нового класса смешанных НК кубической структуры. В рамках теории функционала электронной плотности (ФЭП) исследованы молекулярные НК Т11зМС1з, получаемые замещением в составе известного НК Т114С1з атома Т1 на инородные атомы М - металлы 3< -ряда. В результате впервые установлены основные закономерности изменения электронного строения, химической связи, зарядовых распределений и атомных магнитных моментов в ряду НК Т11зМС1з в зависимости от типа элемента замещения М и его позиции в со- [c.119]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология