Примесные атомы адсорбция

Второй подход к исследованию хемосорбции не требует знания электронной структуры кристалла и его поверхности. Идеи, заложенные в нем, вполне аналогичны тем, которые лежат в основе изучения примесных центров или других локализованных дефектов решетки [8—11] (хемосорбированный атом тоже можно рассматривать как некоего рода дефект поверхности — центр адсорбции ). Выделяется фрагмент кристалла, содержащий дефект и его окружение (в литературе используются также термины дефектная молекула или центральная молекула ). Кластер рассматривается как молекула, а для расчета его электронной структуры применяется тот или иной метод, развитый в квантовой химии. [c.52]

Считается, что более широкая полоса поглощения vs (3260 сж- ) принадлежит молекулам H N, вступившим в водородную связь через атом водорода с атомами кислорода поверхности или с поверхностными гидроксильными группами. Изменение спектра поверхностных гидроксильных групп Si—ОН и В—ОН при адсорбции H N уже рассмотрено в главе V. Для более определенного суждения о характере взаимодействия молекул H N через атом Н с гидроксилированной и дегидроксилированной поверхностью собственно кремнезема и кремнезема, содержащего примесные центры, следует повторить эти интересные исследования на чистых образцах кремнезема и на образцах, содержащих дозированные количества примесных электроноакцепторных центров. [c.242]

Для объяснения функций примесных центров нри образовании скрытого изображения необходимо учитывать следующее обстоятельство. Хотя снектр поглощения центров распространяется на всю видимую область, однако влияние первичных (простейших) центров на спектральную светочувствительность сосредоточено в пределах полосы собственного поглощения галогенида серебра. Этому явлению можно дать следующее объяснение если в результате поглощения света в коротковолновой области ионами брома образуются атом брома ( положительная дырка ) и свободный электрон, то приходится считать, что одна из функций атомно-молекулярных центров заключается в их способности связывать положительные дырки . Важное значение этой функции при образовании скрытого изображения подтверждается скачкообразным повышением светочувствительности при адсорбции эмульсионными микрокристаллами веществ, реагирующих со свободным бромом [12, 13]. [c.319]

Казалось бы, что это находится в противоречии с фактом снижения скорости адсорбции СО при растворении Li20 в NiO, сонровождающомся ростом концентрации Ni + [5]. В связи с этим была высказана гипотеза, что активными центрами адсорбции с минимальной энергией активации являются катионы Ni +, не связанные с катионами Li+. С ростом концентрации L1+ расстояние между двумя катионами Li+ на поверхности сокращается и при 0,4 ат % Li+ оно равно щести катионным узлам. В этих условиях наиболее удаленные катионы Ni + находятся на расстоянии двух-трех катионных узлов от катиона Li+. Предполагается, что снижение активности Ni + вблизи Li+ связано с влиянием электростатического поля, создаваемого избыточным отрицательным зарядО М кислородного иона вблизи Li+. Чем ближе Ni + находится к Li+, тем сильнее взаимодействие его с избыточным отрицательным зарядом, тем выще энергия, которую надо затратить на разрыв этой связи, тем ниже способность его к электронному переходу по уравнению (2). На активность катиона Ni + по уравнению (1) присутствие нескомпенсированного отрицательного заряда вблизи L1+ оказывает активирующее влияние вследствие стремления системы приобрести катион Ni + в соседнем к Li+ катионном узле. 4eiM ближе реагирующий катион Ni + к Li+, тем выше его адсорбционная способность по отношению к кислороду. Неравноценное положение катионов Ni + и Ni + по отношению к примесному катиону с аномальным нескомпенсированным зарядом приводит к неоднородности активных центров адсорбции. При растворении окиси лития в NiO имеет место изменение распределения активных центров по энергиям активации, следствием которого является наблюдаемое изменение кинетического закона адсорбции. С ростом концентрации Li+ число активных центров адсорбции кислорода увеличивается, а СО снижается. [c.74]

Растворение окиси лития в NiO сопровождается образованием твердых растворов замещения, в которых узлы двухвалентных катионов Ni + заняты однозарядными катионами Li+. Нейтральность решетки обеспечивается одновременным образованием равного количества катионов Ni +. При низких температурах катионы Li+ связаны с катионами Ni +. С ростом температуры катион Ni + может оторваться от Li+ и стать свободным. Акцепторный уровень лития в этом случае будет занят электроном. Акцепторный уровень, занятый электроном, т. е. катион лития, окруженный катионами Ni +, можно рассматривать в качестве наиболее благоприятной комбинации для адсорбции кислорода. Растворение окиси лития увеличивает число активных центров для адсорбции газов акцепторов электронов и тем самым ускоряет ее. Труднее найти объясне1ше для изменения в скорости адсорбции газов — доноров электронов СО и С2Н2, которое полностью согласовалось бы со всеми экспериментальными фактами. Наиболее логичным кажется предположение, что катионы N 3+ на ближайших катионных узлах к Li+ теряют свою реакционную способность. Это согласуется с полным отравлением поверхности по отношению к адсорбции этих газов при концентрации лития 0,4 ат% Li, когда расстояние между двумя примесными катионами составляет менее шести катионных узлов в этих условиях каждый катион Ni + находится в зоне влияния катионов Li+. [c.86]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология