Дефекты первого и второго рода

Предположение о том, что при термической обработке шихты достигаются равновесные концентрации точечных дефектов, позволяет, пользуясь термодинамическим методом, составить систему уравнений, учитывающую все основные процессы образования такого рода дефектов. Вследствие трудностей прямого экспериментального определения констант равновесия процессов, участниками- которых являются дефекты кристаллов, особое значение приобретают уже использовавшиеся методы статистической термодинамики. В этом случае значения ряда констант находятся на основе данных о структуре и расположении энергетических уровней кристаллофосфора. Таким образом, при решении рассматриваемой задачи то, о чем шла речь в первой и второй частях книги, как бы объединяется в одно целое. [c.178]

Процессы схватывания первого и второго рода в деталях машин приводят к недопустимым дефектам и имеют различные внешние проявления, закономерности развития, причины возникновения и устранять их следует различными методами. [c.169]

На практике нельзя обойтись без других эталонных образцов кроме пластин, потому что уже для наклонных искателей в качестве замены отражателей от задней стенки нужны четверти окружностей различных радиусов. Более точные результаты могли бы дать плоские задние стенки под соответствующим- углом, что однако снова привело бы к нежелательному разнообразию эталонных образцов. Однако имеются и другие случаи, когда нельзя обойтись без искусственных эталонных дефектов, а именно если нарушено прохождение звука через боковую стенку. Тогда и простые законы, иа которых основывается построение АРД-диаграмм, оказываются недействительными. Важнейшими примерами являются трубы и плоские тела в виде пластин в которых в местах дефекта появляются не поддающиеся обозрению зигзагообразные волны с угловыми отражениями. Здесь совершенно необходимы эталонные дефекты типа канавок и глухих отверстий. Нужно однако четко представлять себе, что-эти дефекты не достигают целей, поставленных применением АРД-диаграмм или метода плоскодонных эталонных дефектов, эти методы позволяют получить эквивалентный отражатель первого рода, который для заданного естественного дефекта всегда имеет одну и ту же величину, даже если изменяется диаметр искателя и его частота, а также расстояние до дефекта. Следовательно, по АРД-диаграмме все контролеры, по крайней мере в принципе, должны получать на всех приборах и при всех настройках одинаковые значения. Все другие эталонные дефекты, как, например, канавка в трубе, дают эквивалентный отражатель лишь второго рода, т. е. он обеспечивает воспроизводимые результаты только в том случае, если все вышеназванные условия остаются неизменными. Он используется в первую очередь для того, чтобы проверить стабильность работы аппаратуры. В стандарте его можно регламентировать только в том случае, если будут регламентированы по крайней мере и некоторые другие переменные, например расстояние и частота работы искателя, что однако всегда влечет за собой недоразумения. [c.381]

При последующем изложении рассматривается случай контроля, когда наблюдение ведется после каждого очередного отказа или дефекта. В этом случае, как отмечалось, достаточной статистикой является количество проверенных образцов т или суммарная наработка I изделия до появления г-го дефекта или отказа. При обозначении каждого из рассмотренных далее планов приняты следующие обозначения проверяемая и альтернативная гипотезы, значения ошибок первого и второго рода, этапы наблюдения. [c.33]

План П(р Ро р — Р1, о ,/3 г). План предусматривает проверку / о р = Ро против /11 р = рх с ошибками первого и второго рода, не превосходящими в среднем соответственно а и / . Наблюдение ведется после каждого отказа или дефекта. В этом случае достаточной статистикой является общее количество проверенных образцов т. В связи с этим события Ео(г), Ех[г) и Е г) могут быть определены соответственно как т ш , га га и < т < гпг, где через Шг и обозначены граничные значения общего количества проверенных образцов в зависимости от г при забраковании и приеме соответственно. Величины ро и рх являются приемочным и браковочным уровнями доли дефектных изделий. [c.33]

Пример 6.3. Требуется проверить партию изделий с биномиальным распределением дефектов на соответствие заданным требованиям. Приемочное значение Ро = 0,01. Максимальное число изделий не должно превышать величину, равную 25. Ошибки первого и второго рода не должны превышать а = Р = 0,1. [c.107]

Появление дефектов в кристаллической решетке вызывает изменение ее структуры. Если изменение заканчивается образованием новой упорядоченной структуры, например образованием структур взаимодействия, то такие превращения рассматриваются как фазовые переходы второго рода. В отличие от фазовых переходов первого рода, которые сопровождаются скачкообразным изменением кристаллической структуры, для фазовых переходов второго рода характерно с изменением температуры постепенное изменение структуры. Оно сопровождается монотонным изменением энтальпии, энтропии и объема фаз. [c.221]

Что касается диффузии по дефектам второго рода, то все ее виды требуют, естественно, меньших энергий активации. При этом, как правило, наблюдаются следующие закономерности при высоких температурах, когда тепловое движение помогает преодолению потенциальных барьеров диффузии, течение последней мало зависит от дефектов второго рода, от формы границ зерен (кристаллитов) и т. п., но с понижением температуры диффузия через дефекты первого рода замерзает . Начинает играть исключительную роль диффузия по дефектам второго рода, по границам зерен. [c.448]

Некоторые виды дефектов в решетках реальных кристаллов (типа структур Шоттки или Френкеля) не связаны с изменением химического состава их существование не ставило перед химией вопроса о пересмотре основных стехиометрических законов. Структуры замещения или внедрения, т. е. твердые растворы первого или второго род , особенно в сплавах, прекрасно укладываются в широко известную картину диаграмм состояния с областями твердых растворов. Существование твердых растворов неясностей в освещение стехиометрических законов химии (закона постоянства состава, закона простых и кратных отношений и др.) не вносило. [c.456]

Магнитные фазовые переходы первого рода, стимулированные межкластерными напряжениями и дефектами, возникают в наносистемах, содержащих более крупные нанокластеры с размерами 20 Ч- 50 нм. Такие наноструктуры образуются в твердотельных химических реакциях, например при спекании кластеров, и характеризуются значительными межкластерными взаимодействиями. Подобная наноструктура, включающая кластеры а- и 7-оксидов железа, кроме магнитных фазовых переходов первого и второго рода, обладает еще магнитным фазовым переходом слабый ферромагнетик — антиферромагнетик и нового типа магнитным фазовым переходом с образованием двойниковых наноструктур. [c.566]

Если следовать этой модели, должен существовать максимум дефектов, который приводит к возникновению некоторого критического размера в несколько десятков нанометров в наносистеме, менее которого в кластере начинают происходить магнитные фазовые переходы первого рода, а более — магнитные фазовые переходы второго рода, характерные уже для массивных материалов. [c.569]

Обеспечение безаварийности системы хранения жидких и газообразных углеводородов имеет первостепенное значение для населения, окружаюшей среды и владельцев хранилища. Прямыми опасностями являются утечки продукта и при неблагоприятном стечении событий - взрыв и пожар. Причинами могут быть внутренние неисправности и внешние воздействия. Первые - это ошибки проектирования, строительства или эксплуатации технологические дефекты, операторские ошибки, отказ оборудования и др. Вторые - близкие взрывы различного происхождения, стихийные бедствия, диверсии и пр. И хотя вероятность событий второго рода невелика, она более значима из-за возможных тяжелых последствий. [c.6]

В трубопроводном транспорте оценка несущей способности элементов нефтепроводов производится по предельным состояниям. Предельные состояния могут быть разделены на две группы. К первой группе, соответствующей потере несущей способности или непригодности к эксплуатации, относятся общая потеря устойчивости формы (гофры, вмятины), потеря устойчивости положения (выпучивание труб с выходом на поверхность земли и др.), хрупкие и вязкие статические, малоцикловые и коррозионные разрушения и др. Ко второй группе предельных состояний относятся те, которые затрудняют нормальное функционирование нефтепровода или снижают его надежность из-за недопустимых прогибов, осадок, углов поворота, различного рода дефектов и др. [c.630]

Посмотрим теперь, какие выводы можно сделать из уравнений (V.13) и (V.15). Прежде всего из них следует, что константа равновесия К, а потому и степень ассоциации а будут расти с увеличением заряда взаимодействующих частиц и притом весьма резко. Это можно показать на примере ZnS- l-фосфора, в котором при активации образуется два рода одиночных дефектов — ls и Yzn", причем концентрация первых вдвое выше, чем вторых (см. гл. III, 2). Здесь могут иметь место две интеркристаллические реакции, отвечающие двум последовательным ступеням процесса ассоциации [c.148]

Для сорбции примеси характерным является неравномерность ее захвата растущими частицами по двум причинам. Во-первых, из-за полидисперсности образующихся частиц, вызванной тем, что их истинный рост, согласно обобщению Николаева (см. гл. 7), имеет предел, связанный с агрегацией частиц. Полидисперсность частиц приводит к различию в степени несовершенства структуры отдельных мелких и агрегированных частиц и в концентрации в них разного рода дефектов (вакансий, дислокаций, деформированных участков структуры). Во-вторых, из-за различия в доступности сорбируемой примеси к разным участкам и граням кристаллических частиц, быстро растущих в сильно пересыщенных растворах. Это вызвано, в первую очередь, изменчивостью электрического рельефа поверхности частиц (см. гл. 2), тесно связанного с концентрацией дефектов, перечисленных выше, в несовершенной структуре частиц. Чем выше содержание структурных дефектов в объеме, тем больше подвижность сорбированной примеси как в объеме, так и на поверхности частиц. Все это приводит к тому, что на втором этапе осаждения примесь преимущественно локализуется вблизи структурных дефектов и неравномерно распределяется в объеме и на поверхности частиц. [c.140]

Как правило, упорядоченная структура вещества не имеет бесконечной протяженности монокристаллы встречаются реже по-ликристалличесних структур. В связи с этим размер кристалла считается важным структурным параметром. Кроме того, кристаллическое состояние не является идеальным, так как обычно в веществе имеются дефекты решетки, влияющие на его свойства. Дефекты решетки могут возникать из-за колебаний частиц в ней под действием тепловой энергии. Эти дефекты, называемые дефектами первого рода [14], не нарушают дальний координационный порядок решетки, в то время как дефекты второго рода нарушают его в значительной степени. Хоземан и Багчи [15] показали, что для описания этих дефектов полезно применять представление о па-ракристаллических искажениях. Согласно этому понятию, можно определить размер Ь кристалла, тип и степень деформации решетки в данном направлении путем анализа интегральной ширины бР-рефлексов, отнесенных к определенному направлепию, как функции порядка рефлекса к. Дефекты первого рода не приводят к зависимости ширины рефленса от порядка Н, тогда как в присутствии дефектов второго рода ширина увеличивается с возрастанием Л. В соответствии с представлением о паракристаллических искажениях интегральную ширину рефлекса можно выразить через размер Ь кристалла и относительную флуктуацию среднего размера решетки I по уравнению [c.21]

I искажения, вызванные тепловым движением. Сюда же относятся и нарушения регулярности вследствие вхожде- ния в кристалл посторонних атомов. Роль дефектов первого рода одинакова для низкомолекулярных и полимерных кристаллов. Дефекты второго рода связаны с нерегулярными отклонениями от периодичности, что приводит, в отличие от дефектов первого рода, к нарушению дальнего порядка. [c.17]

Кроме указанных переходов первого рода в селене наблюдались также переходы второго рода. Так, Гаттов и Хейнрих 126] при измерении энтальпии обнаружили в гексагональном селене обратимый переход второго рода при 106 + Г С, который они связывают с исчезновением дефектов кристаллической решетки. Для моноклинного (а + Р)-селена ими обнаружено три обратимых перехода второго рода при —120 2, при 15 1 и при 30 1° С. Авторы наблюдали эти переходы и в аморфном селене три обратимых перехода при —145 2, И 1 и 30 1°С в стеклообразном селене и два перехода при —134 2 и 10 Г С в аморфном селене. При этих переходах кристаллическая структура гексагонального и моноклинного селена не изменялась и сохранялся аморфный характер образцов стеклообразного и аморфного селена. В работе [26] также отмечается, что черный аморфный селен не является особой модификацией селена. [c.155]

В этой главе мы рассмотрим свойства ионоселективных электродов, мембраны которых представляют собой моно- или поликристаллы труднорастворимых в воде солей. В этих мембранах обычно один из двух составляющих соль ионов способен под действием электрического поля перемещаться в кристаллической решетке по ее дефектам. Примерами кристаллических электродов могут служить в первую очередь системы с мембранами из солей галогенидов серебра, которые, как известно, обладают ионной проводимостью, осуществляемой ионами серебра. Поведение этих мембран, по крайней мере в простейших случаях, идеН тично поведению соответствующих электродов второго рода (хлорсеребряного, каломельного). Тонкая пластинка из монокристалла, например, хлорида серебра, может быть мембраной электрода, обратимой по отношению к иону С1 , который закреплен в кристаллической решетке. В то же время такой электрод обладает и катионной Ag+-фyнкциen за счет постоянства произведения растворимости ПРаксь [c.89]

Некоторые виды дефектов в решетках реальных кристаллов (типа структур Шоттки или Френкеля) не связаны с изменением химического состава и не ставили перед химией вопросов о пересмотре основных стехиометрических законов. Структуры замещения или внедрения, т. е. твердые растворы первого или второго рода, прекрасно укладываются в широко известную картину диаграмм состояния с областями твердых растворов. Существование твердых растворов также не вносило неясностей в освещение стехиометрических законов химии (закона постоянства состава, закона простых и кратных отношений п др.). В самом деле образование, например, дистектики с двусторонией областью твердых растворов легко совместимо с представлениями, развитыми Н. С. Курнаковым [23]. В соединении постоянного состава, например АВ, растворяются как А, так и В (см. 11.16) возникает твердый раствор, фаза переменного состава, дальтонид, отличающаяся тем,что соединение постоянного состава, нанример АВ (дальтоновская точка), иа которо.м основана фаза, лежит в пределах области ее гомогенности (см. рис. П.12, а). Если соединение, на котором основана фаза,. лежит вие пределов области гомогенности фазы, такая фаза называется бертоллидной [24] (рис. 11.12, Ь). Бертоллиды этого типа мы предложили называть бертоллидами Курнакова. Они образуются элементамп 8Ь, В1, РЬ, Т1, Зп, Hg, С(1, 2п, Си, N1, Со, Ее [25] (например, у-фаза системы РЬ — Т1) и имеют характер сплавов. [c.245]

Что касается диффузии по дефектам второго рода, то все ее виды требуют, естественно, меньших энергий активации. При этом, как правило, наблюдаются следующие закономерности при высоких температурах, когда тепловое движение помогает преодолению потенциальных барьеров диффузии, течение последней мало зависит от дефектов второго рода, от формы границ зерен (кристаллитов) и т. п., но с понижением температуры диффузии через дефекты первого рода замерзает . Начинает играть исключительную роль диффузия по дефектам второго рода, по границам зерен. Например, известный из механики наклеп кристалла, увеличивающий концентрацию подобных дефектов, увеличивает и скорость диффузии при низких температурах. Но вслед за диффузией ио границам зерен происходит попадание диффундирующих атомов в прилегающие к поверхности границ объемы, как было показано Гофманом и Тернбалом для самодиффузии серебра, т. е. имеет место смешанная диффузия ио поверхностям и в объемах фаз. [c.352]

Хоземан получил выражения для определения относительной величины дефектов первого и второго рода в отдельности [12—13], которыми несложно воспользоваться на практике [c.35]

Инкубационный период — это процесс постепенного образования на металлической поверхности под влиянием локализации коррозионного процесса и локализации растягивающих напряжений первичных коррозионно-механических трещин. Локализация растягивающих напряжений на поверхности может происходить различными путями. 1) Местные растягивающие напряжения в поверхностных слоях металла возникаюг, уже вследствие наличия неоднородных внутренних напряжений второго рода. 2) Местные напряжения, очевидно, появляются непосредственно после наложения общего растягивающего напряжения первого рода > вследствие неоднородности механических свойств отдельных элементов структуры (различно ориентированных зерен, В1<лючений, границ) и имеющихся В металле поверхностных или подповерхностных дефектов (царапин, рисок обработки, трещин, флокенов и т. д. ). 3) Местные напряжения в растянутом образце могут возникать и постепенно в связи с развитием электрохимической коррозии местного характера. Развитие локального коррозионного разрушения является следствием неоднородности структуры металла или местного разрушения защитных пленок. [c.259]

При изучении диффузии точечных дефектов существует два взаимодополняющих подхода. В первом случае учитывается влияние нарушений кристаллической решетки, а во втором — влияние кристаллической решетки на состояние дефектов. При этом симметрия играет центральную роль (при классификации как собственных, так и несобственных дефектных состояний). Совокупность элементов симметрии, присущих любой точке кристаллической решетки, образует группу симметрии, которая позволяет упрострггь решение задачи, если использовать теорию групп. Эксперимен-тальнью методы определения симметрии дефекта основаны на определении его анизотропных характеристик путем поляризованного возбуждения, либо с помощью различного рода воздействий, например, механических (одноосное сжатие), а также магнитными, электрическими, световыми полями. Во всех случаях возбуждения информацию о симметрии дефекта дает расщепление вырожденных уровней. [c.81]

Интеркристаллические реакции такого рода часто имеют место у люминофоров с повышенной концентрацией активатора, при которой в данных условиях начинаются процессы, приводящие к выделению активатора из решетки основания люминофора. Результатом их является, в частности, образование ряда центров свечения, для познания природы которых существенно понимание характера происходящих процессов. Так как при указанных температурах другие процессы (рекристаллизация, окисление и т. п.) затормаживаются, то появляется возможность количественного исследования взаимодействия дефектов, в частности его кинетики. Наконец, изучение низкотемпературных процессов ассоциации важно и с утилитарной точки зрения, ибо, во-первых, такие процессы играют важную роль в образовании электролюминофоров, а во-вторых, они являются причиной некоторых изменений, претерпе- [c.165]

Итак, Менделеев продолжает искать естественную причину того, почему сложный атом, образовавшийся из п одинаковых простых атомов, не будет весить ровно в п раз больше, чем один простой атом, иначе говоря, почему здесь не соблюдается принцип аддитивности и наблюдаются отклонения от целых чисел, выражающих арифметическую сумму весов исходных составных частей. Эту причину Меиделеев усмотрел в том, что в момент образования сложного элемента из нескольких атомов более простого элемента (как в предыдущем случае из 4Ре), часть весомого вещества претерпевает качественное превращение, переходя в качественно иную форму, причем сам вес, по Менделееву, зависит от особого рода движения материи. Поскольку Менделеев признает при этом, что закон постоянства веса есть лишь частный случай закона постоянства движения (т. е. энергии), то тем самым он признает, что при потере веса в момент образования сложного атома общее количество движения сохраняется и весь процесс сводится к тому, что определенное количество движения одной его формы, проявляющейся как вес , перешло в точио такое же количество движения другой его формы, проявляющейся как химическая энергия или какой-либо другой вид движения. Значит, при разложении сложного атома одного элемента на составляющие его более простые атомы другого элемента должно произойти обратное превращение такого же точно количества движения определенного вида в то движение материи, которое называется весом . Таково объяснение, которое дал Менделеев тому факту, что к атомным весам элементов оказался не применимым механистический принцип аддитивности. Этим, в частности, был дан ответ на вопрос, поставленный Менделеевым в своем дневнике в связи с рассмотрением потери части веса при предполагаемом образовании атома Р1 из 4Ре. Так опровержение механистического принципа аддитивности и поиски естественной причины неаддитивности атомных весов элементов подвели Менделеева к замечательному предвидению не только явления дефекта массы, но и того круга процессов образования более сложных элементов из более простых и разложения первых на вторые, при которых должен иметь место этот дефект массы. Более того, Менделеев подошел к еще более замечательному предвидению того, что при этих процессах должен выделяться определенный вид движения материи (или энергии), возникающий за счет того же самого дефекта массы (т. е. потерянной части веса ). Таким образом, в ходе опровержения гипотезы Праута с ее ложной концепцией а,вдитивности атомных весов Менделеев пришел к предсказанию в общих чертах основных положений и явлений будущей ядерной физики. Самым замечательным при этом было то, что [c.165]

Действие давления со сдвигом приводит к наноструктурированию массивного вещества и к уменьщению размеров нанокристаллитов до 5 4-10 нм. Одновременно пластическая деформация приводит к генерации большого количества дефектов, влияющих на магнитные свойства наноструктур, и в частности на характер и критические параметры магнитных фазовых переходов. В этой связи, для нанокомпозитов, включающих нанокластеры а-7-оксидов железа, которые позволяют сохранять в наносистеме напряжения и дефекты после снятия давления и сдвига, можно наблюдать магнитные фазовые переходы первого рода и дальнейшее снижение критических температур Тсо, обусловленные увеличением плотности дефектов. Для массивных тел наноструктурирование также должно приводить к сдвигу критических точек магнитных фазовых переходов и изменению характера магнитных фазовых переходов (с первого рода на второй или наоборот). [c.573]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология