Дефекты концентрации

Поскольку в вершине трещиноподобного дефекта концентрация напряжений, критические размеры Ь р, а также уровень рабочих и испытательных напряжений достаточно высокие, то можно полагать, что значения [c.7]

Возникновение области гомогенности па базе химического соединения связано с образованием твердых растворов по одному из рассмотренных трех типов (см. гл. IX, 87). Возможно замещение атомов одного из компонентов соединения в его подрешетке атомами другого. Может возникнуть и твердый раствор внедрения в результате встраивания избыточных атомов одного из компонентов в междоузлия кристаллической решетки при благоприятном соотношении размерных факторов. Кроме того, для промежуточных фаз характерно образование твердых растворов вычитания с возникновением недоукомплектованной подрешетки на базе одного из компонентов. Во всех этих случаях в решетке возникают так называемые точечные дефекты чужеродный атом в узле подрешетки одного из компонентов (твердый раствор замещения), атом в междоузлии (твердый раствор внедрения) или вакансия в узле подрешетки (твердый раствор вычитания). Эти типы дефектов могут встречаться как порознь, так и в комбинации друг с другом. Например, при перемещении атома из узла в междоузлие (дефект по Френкелю) одновременно возникают и вакансия в узле кристаллической решетки и атом в междоузлии, что равносильно одновременному сосуществованию твердых растворов вычитания и внедрения. Реальный кристалл всегда содержит термодинамически равновесное количество дефектов, концентрация которых однозначно определяется внешними параметрами равновесия — температурой и давлением. [c.354]

Следовательно, КПГ тесно связана с образованием дефектов, концентрацию которых можно регулировать условиями термической обработки. Выбор последних может быть строго обоснован. В качестве примера рассмотрим исследования [186] магний-марган- [c.139]

Наибольшее распространение получила модель, соответствующая приближению идеальных растворов кристалл считается однородной средой, в которой по узлам кристаллической решетки статистически распределены точечные дефекты концентрации дефектов настолько малы, что их взаимодействием между собой можно пренебречь. [c.58]

Активированные комплексы с концентрацией с находятся в равновесии с нейтральными дефектами, концентрация которых равна С]. Если обозначить через V частоту перехода комплексов через вершину барьера, то удельную скорость процесса в направлении слева направо можно записать в виде [c.286]

Вызванное подобными процессами уменьшение концентрации центров свечения, ответственных за доминирующую в спектре полосу излучения, способствует иногда выявлению других, более слабых полос излучения. Неучет такого эффекта может повлечь за собой ошибочное заключение о непосредственной связи центров, обусловливающих эти полосы, с собственными дефектами, концентраций которых увеличивается под действием избыточного давления того или иного элемента. Так, подавление голубой полосы излучения [c.205]

Здесь следует вернуться к высказанному выше утверждению, согласно которому истинно адгезионное разрушение не может происходить, поскольку на субстрате всегда должны остаться частицы клея как минимум в виде мономолекулярного слоя. Хотя это положение вполне допустимо, приведенная выше классификация характера разрушения оправдана. Для практических целей не имеет решающего значения оценка числа молекул клея, оставшихся на субстрате, но адгезионное разрушение означает, что была допущена ошибка при поверхностной обработке субстрата, при нанесении или выборе клея, что привело к возникновению слабого пограничного слоя. Когезионное и смешанное разрушение дает информацию о прочности субстрата, дефектах, концентрации напряжений и т. д. [c.218]

Введение в чистый кристалл атомов примеси приводит также к снижению свободной энергии кристалла за счет появления положительной энтропии смешения. Согласно теории для полного разделения смесей компонентов необходимо затратить бесконечно большую работу (см. гл. VUI). Поэтому нельзя получить абсолютно чистые вещества, и все материалы неизбежно содержат хотя бы малую концентрацию примесей, о природе и величине которой обычно не имеется сведений. Таким образом, даже в кристаллах, которые называют чистыми, одновременно присутствуют разнообразные дефекты концентрации различных дефектов во многих случаях взаимосвязаны соотношениями типа закона действия масс. [c.171]

Следовательно, в то время как концентрация нейтральных точечных дефектов М ы при данной температуре имеет постоянное значение, не зависяш,ее от присутствия иных дефектов, концентрации заряженных дефектов взаимосвязаны, т. е. если изменить концентрацию одного из них, изменится и концентрация другого. [c.178]

Всем известна правильная и периодическая группировка атомов, характеризующая кристаллическое состояние, которую раскрывает рентгеновский анализ. Со дня открытия Лауэ часто проявлялась тенденция идеализировать эту структуру. Действительно в кристаллах всегда имеются дефекты концентрация их следует законам термодинамического равновесия и является функцией температуры. [c.33]

При осуществлении твердофазных реакций часто используют порошкообразные реагенты, находящиеся в активном состоянии и имеющие высокую концентрацию неравновесных дефектов. Последнее значительно увеличивает диффузионную подвижность составных частей решетки, повышая скорость взаимодействия. Вместе с тем, термическое воздействие, осуществляемое в ходе реакции, способствует аннигиляции неравновесных дефектов, концентрация которых уменьшается во времени при изотермической выдержке. Соответственно этому изменяются и коэффициенты диффузии (в простейшем случае 0 х). Итак, при осуществлении реакции с участием активных реагентов в реакционной смеси отсутствуют локальные равновесия как в объеме продукта, так и на границе фаз. [c.181]

Дефекты влияют на многие физические свойства кристаллов. Различают точечные дефекты, роль которых играют примесные атомы, и собственные точечные дефекты, например вакантные узлы решетки или атомы в междоузлиях, и линейные дефекты — дислокации, а также двумерные дефекты — границы зерен. Для исследования влияния дефектной структуры кристаллов на их свойства необходимо приготовить материал, предельно свободный от различных несовершенств. Из него затем можно получить кристаллы с известным и достаточно точно дозированным количеством дефектов. Таким образом, первыми возникают проблемы очистки кристалла от примесных атомов и устранения в нем собственных дефектов, концентрация которых превышает термодинамически равновесную. [c.9]

Формула (4.25) получена на основании решения краевой задачи теории оболочек. Предложенный подход можно использовать и для случая, когда зона коррозии охватывает часть периметра трубы, поскольку с уменьшением площади дефекта концентрация напряжений снижается (результат идет в запас прочности). По значению можно определять коэффициенты концентрации напряжений К<, и деформаций Ке при упруго-пластических деформациях на основании формулы Нейбера (а = Кд Ке). [c.269]

Внедрение различных ионов, модифицирующих структуру минерала, приводит к образованию дополнительных дефектов, концентрация которых определяется главным образом количеством, химической природой примесных ионов и способом образования твердого раствора. Как установлено, концентрация дислокаций в этом случае достигает 4,Ы0 м . Наибольшее количество дислокаций определено в образцах, содержащих TiOa, МпгОз, SO3, РегОз, СоО, NiO, ВаО, НагО и их комбинации. Наиболее эффективными являются добавки Ti02 и SO3, которые непосредственно деформируют анионную подрешетку структуры, а также железосодержащие добавки, приводящие к образованию значительного количества мелких ямок травления. Концентрация свободных носителей заряда в образцах изменяется в более широком интервале (в 10" раз). К числу наиболее дефектных следует отнести в первую очередь кристаллы, содержащие ионы Na+, Mg +, Mn +, Ва +, Ti"+, d2+. Содержание наведенных парамагнитных центров, локализованных на кислородных, кальциевых и кремниевых вакансиях, изменяется в узком концентрационном интервале (в 10 раз) при высокой их концентрации. [c.239]

К. Такие эффекты обычно связывают с рассеянием свободных носителей заряда при температурах, отвечающих переходу от примесной проводимости к собственной. Однако переход в алмазе от проводимости через мелкие уровни к проводимости через глубокие, когда энергия активации увеличивается на 2—3 порядка, формально повторяет модель перехода от примесной к собственной проводимости в полупроводнике. Рассеяние свободных носителей заряда, обеспечивающее сильную зависимость их подвижности от температуры, происходит в данном случае, по-видимому, на ионизированных примесях и других дефектах, концентрация которых в изучавшихся образцах значительна. [c.458]

Правда, по отношению к макрообъему или макроповерхности кристалла изменение, вызванное отдельным электрохимическим актом, может считаться бесконечно малым, и современная химия твердого тела вполне позволяет в расчетных целях рассматривать такие элементарные изменения, как статистически распределенные точечные дефекты, концентрация которых определяет сколь угодно плавные отклонения состава кристаллической решетки от стехиометрическо-го состава индивидуальной молекулы химического соединения (24, 25]. Именно на этом и основано широкое использо- [c.12]

До сих пор речь шл Е1 только о неотжигаемых дефектах, т. е. дефектах, концентрация которых не уменьшается со временем при температурах полимеризации. Однако при облучении образца могут образовываться дефекты (например, мономеры, выбитые из узлов решетки), которые при температуре полимеризации отжигаются. Учет такого рода дефектов и изменения их концентрации 5 по ходу полимеризации значительно усложняет кшштику процесса. Рассмотрение кинетики ири наличии такого отжига, при быстром инициирован1 и и р = О, приводит к следующе системе уравнений [c.17]

Формулы (4.52) выражают важный результат, что равновесные концентрации. нейтральных атомных дефектов в нестехиометрическом кристалле зависят только от температуры и парциального давления Хг в газовой фазе и не зависят от концентраций других дефектов. Этого нельзя сказать о заряженных дефектах, концентрации которых взаимосвязаны. Действительно, если вакансии электроотрицательного компонента X обладают свойствами доноров, а вакансии электроположительнога компонента М — свойствами акцепторов, то их ионизация описывается реакциями [c.117]

В случае собственной разупорядоченности типа Френкеля, Шоттки или антифренкелевских дефектов концентрации вакансий или междуузельных ионов того или другого знака определяются константами соответствующих реакций собственного разупорядочения Кр, К% или Кар. На основании результатов вычислений, проведенных в разделе 5.1, они могут быть представлены единой формулой [c.181]

К категории чисто ионных соединений необходимо отнести в первую очередь галоген,иды металлов, а в качестве типичного примера целесообразно рассмотреть образование бромистого серебра, которое тщательно изучено. В результате взаимодействия брома с серебром получается бромистое серебро, которое является соединением стехиометрического состава, обладающим чисто катнонной проводимостью в нейтральной атмосфере и в атмосфере, содержащей пары брома. По Френкелю, в бромистом серебре существует равновесие между междоузельными ионами и дефектами концентрации которых равны между [c.166]

Г концентрации ассоциативных пар примерно пропорцирнальны (СЦ. Можно было ожидать, что при этом условии величина (Ог в первом приближении определяет и относительную интенсивность линий в спектре. Эксперимент показал, что это действительно так. Следует, впрочем, заметить, что и при хаотическом распределении дефектов концентрации донорно-акцепторных пар с различным расстоянием г между дефектами, образующими пару, пропорциональны Поэтому экспериментальное подтверждение такой закономерности является доказательством того, что имеет место указанный механизм излучения, но не является доказательством ассоциации доноров с акцепторами (можно говорить и о неассоциативных донорно-акцепторных парах). [c.158]

Процессы образования или анигиляции вакансий могут протекать только на внешних или внутренних поверхностях, или на дислокациях только около этих протяженных дефектов концентрации вакансий могут быть близки к их равновесному значению. Вообще же между внутренней частью кристалла и его поверхностью устанавливается градиент концентрации вакансий. В структурно совершенных частях кристаллов элементарных или ионных веществ концентрация вакансий, появившаяся, например, при росте кристаллов или в результате длительной выдержки при высокой температуре, может достигать при охлаждении весьма значительных пересыщений. Приближение к равновесию в этом случае обеспечивается зарождением дислокационных петель или образованием больших скоплений вакансий (образование макроскопических пор). Хотя концентрация вакансий зависит от температуры, в материалах, находящихся при низких температурах, часто удается сохранить концентрации на много порядков выше равновесных значений при этих температурах. Состояния пересыщения кристалла вакансиями могут быть получены следующими способами быстрой закалкой материала, нагретого до высокой температуры, пластической деформацией, облучением быстрыми частицами. [c.170]

Таким образом, в противоположность нейтральным дефектам Mi и Vm концентрации заряженных дефектов не являются константами и зависят от присутствия других дефектов. Константами оказываются произведения концентраций заряженных дефектов (при Т = onst), которые аналогичны известному понятию произведение растворимости . Так же, как и в случае насыщенного раствора малорастворимой соли, это соответствует взаимосвязи между концентрациями заряженных дефектов концентрация одних дефектов изменяется при изменении концентрации других. [c.238]

Таким образом, в области 111 вводимые атомы примеси поровну распределяются между узлами решетки и междоузлиялга, причем концентрации атомов в обоих положениях пропорциональны рр. Этот новый механизм внедрения обеспечивает введение примеси без одновременного увеличения концентрации собственных дефектов концентрации всех собственных дефектов в области III постоянны. [c.267]