Подложки образца

Б. Излучение фона либо от прибора, либо от подложки образца, т. е. медной или никелевой сетки, или как от прибора, так и от подложки образца, достаточно высокое. [c.92]

Маловероятно, что при выполнении условия А будет побочный фон. При выполнении условия Б побочные рентгеновские сигналы от прибора и/или от подложки образца могут давать вклад в непрерывное излучение, которое используется для измерения массы образца. [c.92]

Условие А. В этом случае имеется незначительный фон от прибора и незначительное постороннее излучение от подложки образца. [c.92]

Условие Б. В этом случае наблюдается побочное излучение от прибора и/или побочное излучение от подложки образца. [c.93]

Исследуемые нами вещества наносились тонкой пленкой на перфорированную никелевую подложку. Образцы последовательно нагревались до высоких температур (с интервалом 50° и 3-часовой выдержкой в каждой температурной точке). После каждой выдержки образцы помещались в установку, где определялась проницаемость по отношению к гелию при комнатной температуре. [c.13]

НПО Лакокраспокрытие разработан [4 ] дефектоскоп электроискровой индикаторный ИД-2, Он предназначен для контроля сплошности различных атмосферо- и химически стойких токо-непроводящих лакокрасочных покрытий на наружных и внутренних поверхностях металлоконструкций в полевых и производственных условиях, а такл<е на поверхностях образцов при лабораторных испытаниях. При этом подложки образцов должны быть токопроводящими. Дефектоскоп можно использовать для контроля сплошности покрытий толщиной от 60 до 600 мкм. Он обеспечивает стабильность выходных параметров при работе в интервале температур от —30 до +50 °С и относительной влажности от 30 до 80 %. Масса комплекта дефектоскопа не более 10 кг, средняя потребляемая мощность не более 0,6 Вт. [c.256]

Проницаемо сть покрыт(ий определяют на образцах в виде свободных пленок или на адгезированных к подложке образцах выражают проницаемость в м (ч-Па) или г/(м -сут). [c.126]

Лакокрасочные покрытия наносят на подложку образца с гладкой поверхностью (плитки из асбестоцемента, стекла, дерева) размером 75 X ХЮО и толщиной не более 6 мм. Краску на образцы наносят в два слоя. [c.67]

Поскольку все вещества обладают высокой способностью рассеивать электроны, необходимо, чтобы образец был очень тонким, иначе пучок не будет проходить через него. На практике максимально допустимая толщина составляет около ОД мкм (1000 А) для получения разрешения порядка 100 А и от 50 до 100 А для разрешения в 10 А. Это требование не вызывает трудностей при наблюдении вирусов, фибрилл и макромолекул, однако для большинства клеток, размеры которых составляют от 1 до 50 мкм в толщину, возникает необходимость получения тонких срезов (см. разд. Заливка, получение срезов и окрашивание ). Это требование означает, что подложка образца (эквивалент предметного стекла в обычном микроскопе) также должна быть очень тонкой, [c.64]

Одно из первейших соображений при выборе подложки состоит в том, что она должна создавать некоторого рода проводящий мостик, так как даже наиболее удачным образом покрытый металлом образец будет быстро заряжаться, если будет электрически изолирован от столика микроскопа. Как обсуждалось ранее, образец может быть уже закреплен на такой подложке, как стекло, пластмасса, слюда, или на одном из мембранных фильтров. В этих случаях необходимо только прикрепить подложку к объектодержателю, используя один из видов проводящей краски, как, например, серебряная паста или коллоидный углерод. Важно закрасить маленькую область на подложке образца и провести краской по ее краю и объектодержателю. Затем образец нужно поместить на несколько часов в печку с температурой 313 К или в эксикатор с низким давлением, чтобы быть уверенным в том, что растворитель проводящей краски полностью испарился до нанесения на образец подходящего покрытия. При монтаже мембранных фильтров необходимо принимать меры предосторожности, так как проводящая краска может проникнуть в фильтр под действием капиллярных сил и завуалировать образец и/или растворители краски могут растворить пластмассовые подложки образцов. Поскольку из аппарата для сушки в критической точке или из камеры для лиофильной сушки образцы выходят сухими, их можно непосредственно закреплять различными методами на металлическом держателе. Одним из самых простейших способов является использование двусторонней липкой ленты. Образцы. насыпаются ил 1 осторожно наносятся на клей, а в случае больших образцов проводящая паста легким мазком наносится от основания образца через липкую часть на металлический объектодержа-тель. Так как двухсторонняя липкая лента является плохим проводником, важно создать проводящий мостик между образцом и металлической подложкой. [c.255]

Анализировались образцы сополимеров в количестве 0,05мг, которые содержались в 3 мкл раствора. Точность и воспроизводимость анализа составляли 5—7% при использовании для подложки образца платиновой иглы и 2,5—3% при использовании для этих целей кварцевого дрота. [c.62]

Для иллюстрации соотношений в области средних и больших плотностей возбуждения на рис. 17 для ряда технических катодолюминофоров приведены кривые зависимости яркости свечения от плотности тока при постоянном ускоряюш,ем напряжении. Кривые 7—3 взяты из работы Ноттингама [208] и относятся в порядке номеров к виллемиту, вольфрамату кальция и активированному серебром цинк-кадмий сульфиду. Нанесённые на стеклянную подложку образцы возбуждались неподвижным электронным лучом. Кривые 4—7 относятся к наблюдениям Мартина и Хедрика [183] две первые отвечают шеелиту, а две другие— силикату. Сплошной линией обозначено поведение люминофора под развёрнутым, а пунктиром —под неподвижным электронным лучом. Кривые 8—72 получены в нашей лаборатории. Они принадлежат активированным серебром цинк-кадмий сульфиду и сульфиду цинка, шеелиту и виллемиту. Люминофоры нанесены пульверизацией на стеклянную поверхность обычного кинескопа. Возбуждение производилось развёрнутым электронным лучом (441 строка, 25 кадр/сек) при напряжении 4,5 кУ плотность тока отнесена к площади развёртки. Ординаты всех кривых не отвечают действительному соотношению яркостей сравнима только самая форма кривых в смысле отклонения их от прямой пропорциональности. [c.88]

Если количественный перенос вещества не является необходимым, тонкие однородные образцы можно приготовить одним из методов, описанных в разделе, посвященном способам приготовления мишеней напылением в вакууме, электроосаждением, методами электрофореза или электрораспыления [1, 2, 26]. Напыление путем испарения с накаленной проволоки можно использовать для прдготовления образцов из большинства элементов. В некоторых случаях процесс можно проводить даже на воздухе например, при нагревании таких летучих элементов, как полоний или астатин, их можно сконденсировать непосредственно на подложке, расположенной над нагреваемым объектом. В большинстве случаев используют простые вакуумные установки. Применение установок с хорошо продуманной конструкцией испарителя и приемника позволяет производить перенос радиоактивного вещества преимущественно в заданном направлении и, таким образом, избежать потерь. Конденсацию вещества можно проводить даже на тонкой полимерной пленке, если в условиях напыления она не разрушается теплом, исходящим от накаленной проволоки. При использовании метода напыления желательно сначала нагреть проволоку до температуры несколько более низкой, чем необходимая для испарения наносимого материала. Таким образом избавляются от летучих примесей и только после этого помещают подложку образца в нужное положение и доводят температуру до необходимого уровня. Специальные методы получения тонких радиоактивных препаратов разработаны для тех случаев, когда соответствующий изотоп образуется в ходе радиоактивных превращений, в особенности при а-распаде. В этом случае энергию отдачи ядра, образующегося приа-распаде, используют для отделения дочернего продукта от исходного вещества и для его переноса на расположенную рядом пластину-коллектор. Аналогично энергию отдачи можно использовать для перенесения продуктов ядерной реакции из тонкой мишени на фольгу-коллектор, расположенную по ходу пучка, выходящего из облучаемой мишени. Такого рода методы особенно широко используются при исследовании короткоживущих изотопов трансурановых элементов, образующихся при облучениях на ускорителе. [c.411]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология