Материалы для светодиодов

Реально, однако, суш ествует ряд принципиальных ограничений. Например, из-за большого коэффициента преломления материала светодиодов, значительная доля излучения отражается от границы кристалл — воздух и поглощается внутри кристалла. [c.155]

ОаР-полупроводниковый материал для светодиодов, солнечных батарей, датчиков Холла, оптических фильт ров и др. [c.482]

Светодиоды на основе арсенида галлия с покрытием пз люминофоров, возбуждающихся ИК-излучением [98]. Арсенид галлия — технологически наиболее разработанный материал, а диоды на его основе имеют самый высокий к. а. д., однако они излучают в невидимой области (900—1000 нм). [c.150]

Кристаллы карбида кремния выращивают при 2500° в графитовых тиглях при легировании азотом получается материал п-типа. р — п-Переход создается путем диффузии акцепторов (бор, алюминий) при 2200°. Разработаны также методы жидкофазной эпитаксии карбида кремния из растворов-расплавов в различных металлах (например, в кремнии) при температуре выше 1500°. Сложная и трудоемкая высокотемпературная технология получения кристаллов и р — п-переходов на карбиде кремния делает этот материал очень дорогим, по сравнению с соединениями А В . Однако карбид кремния отличается очень высокой химической и механической стойкостью, а светодиоды на его основе — отсутствием спада яркости в процессе эксплуатации в течение 25 ООО ч даже при 200—400° при плотности тока 20 А см [до с. 61 — 67]. [c.150]

Решение проблемы очистки ОаАз позволит улучшить параметры и их воспроизводимость для таких важных приборов, как диоды Ганна, лазеры, светодиоды, и эффективно использовать этот материал для создания детекторов заряженных частиц, биполярных и полевых транзисторов и солнечных батарей. Замена кремния в солнечных батареях на арсенид галлия позволила бы при условии получения максимально чистых пленок повысить к. н. д. преобразования солнечной энергии до 20—28% [7] (для лучших солнечных элементов из кремния к. п. д. — около 15%). В настоящее время для элементов из ОаАз к. п. д. не превышает 13—14% (нри комнатной температуре). [c.157]

Для получения высокоэффективных светодиодов, излучающих в видимой области спектра при комнатной температуре, необходим материал с идеальными полупроводниковыми и люминесцентными свойствами он должен иметь широкую запрещенную зону ( 2,2эв), эффективность излучательной рекомбинации, близкую к единице, контакт с коэффициентом инжекции неосновных носителей, близким к единице коэффициент преломления, равный коэф- [c.35]

Более совершенным и универсальным является метод, основанный на синтезе твердого вещества из летучих компонентов или их соединений. Легирующие добавки вводят в виде газообразных соединений. Применение последних позволяет очень точно и легко управлять дозировкой компонентов соединения и легирующих добавок. Б результате удается получать слои твердых растворов с переменным по толщине составом, что необходимо тогда, когда подложка и выращиваемый материал плохо совместимы (по параметрам кристаллической решетки и коэффициенту термического расширения). Например, в настоящее время методом газофазной эпитаксии синтезируют многие светодиоды с красным свечением на основе твердых растворов СаАз1 л Рл, причем по толщине слой может иметь состав от д = О, что соответствует подложке, до х = 0,4. [c.148]

Твердые растворы на основе соединений А В . В табл. VI.1 (стр. 145) приведены 6 типов твердых растворов на основе фосфидов алюминия, галлия п индия, а также арсенидов алюминия и галлия. В настоящее время достигнуты значительные успехи в разработке светодиодов на основе GaASj. Рх самого дешевого материала для светодиодов, так как он легко получается методом газофазной эпитаксии на подложках из арсенида галлия, который, в свою очередь, является наиболее качественным и доступным материалом. Промышленный выпуск светодиодов освоен в большом масштабе. [c.149]

Наиболее перспективным материалом для получения светодиодов с зеленым дветом свечения является твердый раствор 1п1 д 0а, Р, так как он имеет прямо-зонные переходы при Eg = 2,2 эВ. Светодиоды с желтым свечением на основе Гн . Оа Р имеют светоотдачу 0,31 лм/Вт [97]. Для изготовления этого материала используют как жидкофазную эпитаксию, так и газофазную, причем в последнем случае достигнуты заметные успехи получена эффективность 0,2% в красной области спектра (659 нм). Основная сложность, с которой приходится сталкиваться, — это плохая совместимость с материалом известных подложек. [c.150]

Селенид цинка. В 1972 г, появились три сообщения об изготовлении эффективных светодиодов на основе селенида цинка [109—111]. Сам селенид цинка обладал высокой проводимостью -типа (удельное электросопротивление 0,03—0,1 Ом см ) и был легирован Мп и AI. Такой материал получали путем выращивания слоя селенида Ц1шка методом жидкофазной эпитаксии из раствора в жидком сплаве Zn (87%) — Sn (13%) с добавками Мп и А1. [c.152]

В связи с большим разнообразием устройств визуализации с преобразованием первичного излучения, целесообразно остановиться на наиболее часто встречающихся в практике неразрушающего контроля. Такой является, например, фотомодуляционная система визуализации. Первичное излучение, прошедшее контролируемое изделие или отраженное от него, сканируется чувствительным датчиком. Аналоговый сигнал датчика усиливается и преобразуется в оптический сигнал посредством фотомодуляцион-ной лампы, светодиода и т. п. Оптический сигнал проецируется на поверхность фоточувствительного материала, который может двигаться синхронно с исследуемым объектом, так и с измерительным датчиком. После проявления фотоматериала степень почернения несет информацию о распределении параметров волнового поля [c.233]

На основе этого материала были изготовлены светодиоды, при чем р-/г-переход создавался путем диффузии алюминия в кристалл с проводимостью р-типа [52]. Впоследствии авторы нашли, что проводимость такого перехода полностью определялась концентрацией фотоносителей, то есть оп был фото-р-/г-переходом [53]. В темноте диоды обладали очень высоким сопротивлением, пока не начина лась электролюминесценция. В дальнейшем проводимость диода поддерживалась за счет фотопопнзации собственным улучшением дырочных и электронных ловушек с обеих сторон перехода. Квантовый выход достигал 18% при температуре 77°К- При комнатной температуре эффективность излучения была небольшой, однако Эйвен считает [16], что вполне возможно использовать этот эффект для создания фото-р-/г-переходов в соединениях сульфида и селенида цинка, для которых известны глубокие дырочные ловушки, и остается найти глубокие электронные ловушки. Эйвен предполагает, что их роль могут выполнить комплексы переходных металлов с одним из дефектов кристаллов. [c.43]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология