Жидкофазная эпитаксия

Рис. 1.17. Схема аппаратуры для жидкофазной эпитаксии-

Рис. 5.3. Схема печи для выращивания пленок ферритов методом жидкофазной эпитаксии — корпус печи 2—каолиновая вата 3—нагреватель 4 — трубка алундовая 5—подставка из алунда 5—тигель платиновый 7—подложка в —держатель платиновый

Жидкофазная эпитаксия. Жидкофазная эпитаксия заключается в кристаллизации вещества из раствора расплава в процессе его охлаждения (рис. VI. 17,а). Монокристаллическая подложка 4 закреплена в одном конце графитовой лодочки 2, а расплав 3, например, галлия с легирующими добавками 1 — в другом конце. [c.147]

Жидкофазная эпитаксия. Метод выращивания эпитаксиальных иленок ферритов из жидкой фазы очень близок к методу выращивания объемных монокристаллов из раствора-расплава. Для этой цели используются близкие по составу или одни и те же растворители, области концентраций раствора и температуры. [c.170]

Именно применение жидкофазной эпитаксии позволило резко улучшить качество светодиодов и удешевить их с 1969 по 1972 гг. стоимость диодов уменьшилась в 40 раз, их эффективность выросла в 20 раз, а надежность — почти на 5 порядков [90, с. 10]. [c.147]

Особенности получения эпитаксиальных пленок методом жидкофазной эпитаксии состоят в следующем [c.171]

Кристаллы карбида кремния выращивают при 2500° в графитовых тиглях при легировании азотом получается материал п-типа. р — п-Переход создается путем диффузии акцепторов (бор, алюминий) при 2200°. Разработаны также методы жидкофазной эпитаксии карбида кремния из растворов-расплавов в различных металлах (например, в кремнии) при температуре выше 1500°. Сложная и трудоемкая высокотемпературная технология получения кристаллов и р — п-переходов на карбиде кремния делает этот материал очень дорогим, по сравнению с соединениями А В . Однако карбид кремния отличается очень высокой химической и механической стойкостью, а светодиоды на его основе — отсутствием спада яркости в процессе эксплуатации в течение 25 ООО ч даже при 200—400° при плотности тока 20 А см [до с. 61 — 67]. [c.150]

К недостаткам метода жидкофазной эпитаксии следует отнести неизбежное присутствие в пленке компонентов растворителя и материала кристаллизатора. [c.171]

Методы жидкофазной эпитаксии различаются своим конструктивным исполнением, В основном используют способ качающейся лодочки и способы вертикального и горизонтального погружения подложки в раствор. [c.171]

Жидкофазная эпитаксия ферритов-гранатов. Процесс получения ферритовых пленок методом жидкофазной эпитаксии существенно зависит от структуры пересыщенного раствора. Можно предположить, что на границе раздела фаз происходят различные поверхностные реакции [c.186]

При получении пленок феррограната методом жидкофазной эпитаксии возможны и другие виды дефектов, связанные с вхождением в пленку компонентов растворителя. Избавиться от таких дефектов исключительно трудно, а иногда и невозможно. Несомненно, что, применяя особо чистые исходные материалы, можно свести к минимуму дефектность выращиваемых пленок. Например, при получении пленок ферритов-гранатов методом жидкофазной эпитаксии из свинцовых растворителей практически невозможно избавиться от ионов РЬ + и Р1 +. Свинец входит в состав пленки как двухвалентная примесь, приводя к появлению ионов Fe +, ухудшающих электрические, магнитные и другие свойства. [c.193]

В рамках выполняемой НИР проводятся исследования по получению таких гетероструктур на основе полупроводников А В методами газофазной и жидкофазной эпитаксии. Для случая газофазной эпитаксии с использованием металлорганических соединений проанализировано влияние технологических условий ее проведения на концентрационные профили распределения легирующих примесей в гетероструктурах с квантовыми ямами на основе арсенида галлия и выработаны рекомендации по рационализации технологических режимов, обеспечивающих формирование резких гетерограниц. Исследовано влияние упругих напряжений на сегрегационные явления при формировании гетероструктур на основе (А1)1пОаА8/ОаАз с одиночными и множественными квантовыми ямами, предназначеннь[х для изготовления излучающих и фотоприемных устройств. Предложена расчетная модель для описания наблюдаемых явлений. Сравнение результатов расчетов с экспериментальными данными позволяет сделать вывод о существенном вкладе упругой составляющей в суммарную свободную энергию системы в гетороструктурах с докритиче-ской толщиной эпитаксиальных слоев. [c.157]

Исследованы особенности формирования гетероструктур на основе узкозонных полупроводников методом жидкофазной эпитаксии. С использованием разработанного в МИТХТ способа получены многослойные гетероструктуры на основе 1пА88ЬВ1Яп8Ь с резкими гетерограницами и толщиной слоев 25-30 нм, представляющие интерес для изготовления фотоприемников ИК-диапазона. [c.157]

На примере антимонида галлия изучены особенности сложного (примесями РЗМ и элементами II и IV групп) легирования соединений А В при формировании гетероструктур методом жидкофазной эпитаксии. Установлены зависимости спектров фотолюминесценции от изменения [c.157]

Осн. пром. метод получения эпитаксиальных слоев и структур К.-хим. осаждение из газовой фазы с использованием смеси особо чистых 8I I4 и Н . Процесс проводят в проточных металлич. и кварцевых реакторах при 1250°С н атм. давлении с применением индукционного или радиационного нагрева. Эпитаксиальные слои наращивают на ориентированные и прощедщне спец. мех. и хим. обработку подложки из монокристаллич. К., размещаемые на кварцевом или графитовом (с покрытием Si ) пьедестале. Для снижения т-ры эпитаксиального наращивания в качестве источника К. используют SiH lj, а сам процесс проводят при 6,6-9,3 кПа. Применяют также термич. разложение SIH4 (т-ра кристаллизации до 1000-1050 °С). Самую низкую т-ру кристаллизации (700-800 С) обеспечивает метод мол. эпитаксии-наращивание из мол. пучков, получаемых нагреванием кремниевых заготовок электронным лучом в условиях глубокого вакуума (10 -10 Па). Жидкофазную эпитаксию из р-ра К. в металлнч. расплаве (наиб, часто Sn) проводят при 1100-1200°С. [c.509]

Наиболее перспективным материалом для получения светодиодов с зеленым дветом свечения является твердый раствор 1п1 д 0а, Р, так как он имеет прямо-зонные переходы при Eg = 2,2 эВ. Светодиоды с желтым свечением на основе Гн . Оа Р имеют светоотдачу 0,31 лм/Вт [97]. Для изготовления этого материала используют как жидкофазную эпитаксию, так и газофазную, причем в последнем случае достигнуты заметные успехи получена эффективность 0,2% в красной области спектра (659 нм). Основная сложность, с которой приходится сталкиваться, — это плохая совместимость с материалом известных подложек. [c.150]

Селенид цинка. В 1972 г, появились три сообщения об изготовлении эффективных светодиодов на основе селенида цинка [109—111]. Сам селенид цинка обладал высокой проводимостью -типа (удельное электросопротивление 0,03—0,1 Ом см ) и был легирован Мп и AI. Такой материал получали путем выращивания слоя селенида Ц1шка методом жидкофазной эпитаксии из раствора в жидком сплаве Zn (87%) — Sn (13%) с добавками Мп и А1. [c.152]

Можно думать, что метод жидкофазной эпитаксии будет находить все более широкое применение при выращивании кристаллов из растворов. Логическим продолжением метода выращивания с использованием жидких металлических растворителей служит зонная плавка с градиентом температуры, которая рассматривается в разд. 7.6. Смакула [114] приводит список ряда других кристаллов, выращенных из растворов в жидких металлических растворителях. [c.334]

Рассмотрены кристаллохимия ферритов, механизм и кинетика их образования. Приведены основные сведения о фазовых соотношениях в ферритообразующих системах и их свойства. Особое внимание уделено процессам рекристаллизации ферритов, получению эпитаксиальных пленок из них, а также объемных кристаллов. В 1970 г. выходило учебное пособие Г. И. ЖУРавлева с аналогичным названием. Данное издание существенно переработано и дополнено описанием новых методов получения ферритовых порошков и изделий из них, роли рекристаллизации в управлении структурно-чувствительными свойствами ферритов, механизмов н кнлетнки их роста из расплавов и растворов, жидкофазной эпитаксии пленок, сведениями по технике безопасности. [c.2]

ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНОК ФЕРРОГРАНАТОВ МЕТОДОМ ЖИДКОФАЗНОЙ ЭПИТАКСИИ [c.177]

ТАБЛИЦА 5.2. Свойства растворителей для жидкофазной эпитаксии феррогранатов [c.178]

Важное значение для создания научно обоснованной технологии жидкофазной эпитаксии имеют сведения о структуре растворов-расплавов. Установлено, что в расплавах оксиды либо диссоциируют на ионы, либо образуют комплексы и ассоциаты. Известно, что, нанример, в системе РЬО — В2О3 имеется отрицательное отклонение от идеальности. Диаграмма состояния этой системы (см. рис. 5.9) свидетельствует о наличии в ней нескольких соединений. При этом в интервале концентраций от О до 12% (мол.) В,Оз оксид бора находится в расплаве в виде комплексов ВО.Г, что подтверждается результатами измерения электрической проводимости растворов-расплавов РЬО — В2О3 — [c.182]

Ширина линии ферромагнитного резонанса у пленок иттрие-вого феррограната, полученных методом жидкофазной эпитаксии, соответствует значениям для объемных кристаллоб (см. гл. 4). [c.195]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология