Алюминия арсениде галлия

I Исходя из указанных выше представлений о взаимодействии микрокомпонента с коллектором, обладающим противоположными свойствами, мы разработали ряд методов химико-спектрального определения примесей в алюминии, арсениде галлия, фосфидах индия, таллия, в горных породах [14—16]. [c.239]

Широкое применение в активационном анализе нашли хроматографические методы выделения и очистки марганца [539, 1220], например прп анализе арсенида галлия [175], жидких включений в рудах [916], сурьмы [13], фосфата натрия [981], алюминия [1167], циркония [1087], стали [1059], кремния и его соединений [255, 256, 1001[, биологических объектов [823, 1185], почв [1545], геологических материалов, метеоритов [1386]. [c.91]

Радиоактивационным методом определяют магний в чугуне [652], алюминии [1097], цирконии, железе, меди [704], в горных породах [1282], в арсениде галлия [754], в биологических материалах [1024, 1152—1154], в воде [1160]. [c.166]

ХИМИКО-СПЕКТРАЛЬНОЕ ОПРЕДЕЛЕНИЕ АЛЮМИНИЯ, ТИТАНА, КРЕМНИЯ, СВИНЦА, МЕДИ, МАГНИЯ И МАРГАНЦА В АРСЕНИДЕ ГАЛЛИЯ i [c.161]

Ценным свойством нитрида алюминия является его высокая стойкость в агрессивных химических средах и, в частности, в расплавах криолита и алюминия [10], а также в расплавах соединений группы А В . Поэтому для получения очень чистых монокристаллов полупроводникового арсенида галлия авторы работы [12] рекомендуют применять контейнеры из чистого нитрида алюминия [11]. [c.90]

В низкотемпературной области получающийся нитрид алюминия осаждается на нагретые поверхности в виде гладких поликристаллических слоев. Такие плотные покрытия удается получить на поверхности графита (рис. 2, см. вклейку), кварца и некоторых металлов. Качественные опыты показали, что эти покрытия устойчивы в расплаве арсенида галлия. [c.94]

Определенная ионизация атомов в соединениях А В в результате смещения электронной плотности от атомов 1П группы к атомам V группы [6] приводит к увеличению скорости растворения и заметному влиянию диффузии на скорость растворения В-поверхностей монокристаллов арсенидов. Эффективные заряды ионов по ряду алюминий — галлий — индий постепенно понижаются и у арсенидов выше, чем у антимонидов [6]. По-видимому, наблюдаемое более заметное различие в скорости растворения А- и В-поверхностей арсенида галлия, чему арсенида индия (рис. 1), связано с большой степенью ионизации атомов в арсениде галлия. [c.215]

Химико-спектральное определение алюминия, висмута, магния, марганца меди, никеля, свинца, серебра и хрома в арсениде галлия. ... Химико-спектральное определение меди, кадмия, цинка, серебра, свинца [c.523]

Метод успешно применен для определения меди в алюминии и олове [45] и цинка в арсениде галлия [46], а также меди в цинке [59]. [c.107]

Была найдена зависимость скорости роста пленки арсенида галлия на окиси алюминия от температуры при постоянной скорости введения- паров триметилгаллия в реактор. На рис. 10-2 показана эта зависимость] в температурных пределах 600—860° С, Найдено, что пленки арсенида галлия, выращенные на окиси алюминия при 800 и 825° С, менее совершенны, чем [c.411]

При создании тепловой технологической зоны необходима параллельная работа над совершенствованием конструкции зоны и технологии процесса выращивания. Окончательная экспериментальная доводка зоны неизбежно предполагает получение профили-лированных кристаллов, контроль их физических характеристик и изготовление пробных приборов или устройств на основе выращенных кристаллов. В соответствии с рассмотренными выше принципами Всесоюзным научно-исследовательским институтом электротермического оборудования (ВНИИЭТО) создан ряд конструкций тепловых технологических зон для выращивания способом Степанова монокристаллов германия, кремния, арсенида галлия и окиси алюминия (сапфира). Потребовалась разработка схемы процесса и конструкции тепловой зоны с учетом специфики каждого из этих материалов. [c.111]

Подбор материала формообразователя, удовлетворяющего всем перечисленным выше требованиям, особенно при выращивании высокотемпературных кристаллов, встречает значительные трудности. В этих случаях принципиальная возможность получения профилированных кристаллов материала решается в зависимости от того, удастся ли найти материал формообразователя, обладающий химической стойкостью при температуре расплава. Для примера рассмотрим некоторые имеющиеся в настоящее время результаты использования различных материалов формообразователей при выращивании способом Степанова кристаллов германия, кремния, арсенида галлия и окиси алюминия. [c.122]

Большой интерес в последнее время вызвали сведения о получении новых металлов, которые сохраняются при атмосферном давлении в течение некоторого времени (особенно при низких температурах), хотя они термодинамически устойчивы (в большей своей части) только при высоких давлениях. Эти новые металлы были названы металлическими алмазами [85]. Речь идет об элементах и соединениях, обладающих в среднем четырьмя валентными электронами на один атом и способных при высоких давлениях претерпевать превращение из модификации с алмазной решеткой в более плотную металлическую модификацию с более высоким координационным числом. К числу таких новых металлов относятся металлические фазы всех элементов IV группы, а также нитрид бора, фосфид алюминия, арсенид галлия, антимонид индия и многие другие соединения в своих металлических модификациях— число их, по утверждению Дарнелла и Либби [85], составляет многие тысячи (см. также стр. 96). [c.90]

Когда образуется твердый раствор на базе химического соединения, например арсенида галлия, атомы магния или кадмия замещают атомы галлия, но не мышьяка атомы фосфора, селена и теллура,наоборот, замещают атомы мышьяка, но не галлия. Возможность такого замещения сильно зависит от типа связи, от размеров и ЭО атомов заместителей и замещаемых. В решетках соединений типа А" Б связи между атомами ковалентные полярные, и неметаллические атомы замещают атомы В, а металлические атомы замещают атомы А. В этих решетках атомы А не замещаются атомами В и наоборот однако в решетках с металлическими связями между атомами подобные замещения возможны. Например, в, интерметаллическом соединении Al o возможно частичное замещение атомов алюминия (г = 1,43 А) атомами кобальта (г — 1,25 А) и наоборот. В результате образуются твердые растворы на базе этого соединения состава Ali t oi ) или [c.144]

В технике широко применяются арсенид, в меньшей степени фосфид и антимонид галлия, а также твердые растворы арсенида с фосфидом галлия или этих галлиевых соединений с аналогичными соединениями алюминия и индия. Они используются для изготовления разнообразных полупроводниковых устройств — выпрямителей, транзисторов, детекторов ядерного излучения, приборов, использующих эффект Холла, и т. п., а также лазеров [80], Сейчас широко начинают применяться люминесцентные источники света в виде полупроводниковых диодов. Отличаясь малой инерционностью, они легко сочетаются с другими элементами электронных схем. На этой основе развивается новое направление электроники — оптикоэлектроника. С помощью фосфида галлия получают источники зеленого и желто-зеленого светов твердые растворы фосфида с арсенидом дают свечение от желтого до красного. Арсенид и антимонид галлия дают инфракрасное излучение 0,85—0,90 и 1,6 мкм соответственно. На основе арсенида галлия и других материалов этой подгруппы работают лазеры как для видимой, так и для инфракрасной областей спектра. Из других полупроводниковых соединений галлия начинает входить в практику селенид GaSe [80]. [c.245]

В качестве управляемых Д. используют сегнетоэлектрики (титанат бария, ниобат лития, сегнетокерамика и др ). В микроэлектоонных устройствах на полупроводниках, в частности больших и сверхбольших интегральных схемах на кремнии и арсениде галлия, используются в качестве как пассивных, так и активных элементов тонкие (0,002-2,0 мкм) аморфные диэлектрич. пленки ЗгОз, SIзN4, бор- и фосфорсиликатных стекол. Перспективными являются диэлектрич. пленки оксида алюминия, нитридов бора и галлия. [c.109]

Твердые растворы на основе соединений А В . В табл. VI.1 (стр. 145) приведены 6 типов твердых растворов на основе фосфидов алюминия, галлия п индия, а также арсенидов алюминия и галлия. В настоящее время достигнуты значительные успехи в разработке светодиодов на основе GaASj. Рх самого дешевого материала для светодиодов, так как он легко получается методом газофазной эпитаксии на подложках из арсенида галлия, который, в свою очередь, является наиболее качественным и доступным материалом. Промышленный выпуск светодиодов освоен в большом масштабе. [c.149]

Методы инверсионной вольтамперометрии находят широкое применение для определения Sb в различных материалах, в том числе в чугунах, железе и сталях [1348, 1575], меди и медных сплавах [87, 116, 526, 569, 1348, 1575,1585], олове[221, 222, 224, 225, 242, 318, 526], алюминии [131, 132, 731, 1503], галлии и его солях [243, 245, 293, 303], арсениде галлия [243, 245, 246, 303, 586], кадмии и его солях [302, 318, 737], германии, тетрахлориде и тетрабромиде германия [105, 134], кремнии, двуокиси кремния, тетрахлориде и тетрабромиде кремния и трихлорсиланах [105, 133, 271, 310, 1503], цинке и цинковых сплавах [67, 737], серебре [605, 731J, свинце [833], теллуре [116], мышьяке [303], хроме и его солях [940], барии [125], ртути [528], висмуте [1348], никеле и никелевых сплавах [590], припоях [1348], полиметаллических рудах и продуктах цветной металлургии [116], растворах гидрометаллургического производства [138, 319, 1545], шламах [1175], ниобии и тантале и их соединениях [223, 2901, химических реактивах и препаратах [105], криолите [245, 586], материалах, используемых в злектронной [c.68]

Активационные методы с выделениед и радиохимической очисткой образовавшихся изотопов ЗЬ используются для ее определения в алюминии [639—641, 912, 1235, 1247, 1376, 848] и трехокиси алюминия [639], боре и нитриде бора [426], бериллии [523], ванадии и пятиокиси ванадия [145], висмуте [1204, 1659, 1660], вольфраме [144], галлии [1375] и арсениде галлия [640, 824, 825, 831, 1375], германии [610, 639, 640], горных породах [74, 449, 1276, 1554], железе, стали и чугуне [987, 1033, 1113, ИЗО, 1280, 1590, 1653], железных метеоритах [1539], золоте [1676], индии [828, 829] и арсениде индия [115], каменных метеоритах [1136, 1234, 1236, 1515], кремнии [38, 39,275,282,455,639, 640, 861, 1035, 1144, 1355, 1473, 1492, 1540, 1687], двуокиси кремния и кварце [282—285, 487, 639, 640], карбиде кремния [38, 276, 639, 6401, [c.75]

Методы ионообменной хроматографии используют для нейтронно-активационного анализа чистых веществ — алюминия [224, с. 277], двуокиси кремния и кварца [176], циркония [53], биологических образцов [136, с. 319, 321 224, с. 278], химико-спектральном анализе галлия и арсенида галлия [454], сурьмы [540], непту- [c.141]

Арсенид галлия (ОаАз) Антимонид галлия (ОаВЬ) Антимонид алюминия (А13Ь) [c.9]

Соответствующие методики анализа описаны для алюминия [1030], антимонида алюминия [876], циркония [1148] и урана [1010]. Комплексообразование в среде 0,1 н. раствора НС1 использовали для отделения примесей от основной массы селена [779]. Мышьяк при растворении в азотной кислоте переходит в анион АзО и не сорбируется катионитом из 0,1 н. раствора НМОз, в то время как поглощение примесей микронавеской смолы происходит количественно [349]. Анализ арсенида галлия проводят в два этапа с экстракционным удалением Оа и ионообменным отделением примесей от мышьяковой кислоты [348]. Чтобы избежать ступенчатой схемы обогащения, сорбцию примесей проводят катионитом из щелочной (pH 11) среды, в которой оба основных элемента (мышьяк и галлий) образуют анионные формы. Примеси Сё, Со, Си, N1 и 2п связываются этилендиамином в растворимые катионные комплексы, сорбируемые Ма-формой катионита КБ-4п-2 [602]. [c.302]

Химия сыграла весомую роль не только в разработке новых материалов, таких как оптические волокна, и процессов их получения, но и в создании материалов для оптических устройств, предназначенных для переключения, усиления и хранения оптических сигналов. Эта область открывает замечательные возможности — ведь оптический переключатель способен срабатьюать за одну миллионную милионной доли секунды (за пикосекунду). В современных оптических устройствах используются ниобат лития и арсенид галлия-алюминия, продукты электронной индустрии. Однако органические стереоизомеры, жидкие кристаллы и полиацетилены могут давать оптические эффекты, превосходящие возможности ниобата лития. Эта область исследований обещает много новых открытий и технологических разработок. [c.85]

Кристаллическая решетка соединений типа А менее симметрична, чем решетка алмаза, германия, кремния. Примерами соединений этого типа могут быть антимо-нид индия (1п5Ь), арсенид индия (1пАз), фосфид индия (1пР), антимонид галлия (ОаЗЬ), арсенид галлия (ОаАз), фосфид галлия (ОаР), антимонид алюминия (А15Ь). [c.250]

Накболее интересные и практически важные перспективы применения, кроме упомянутых выше, в настоящее время имеют сурьмянистый и мышьяковистый индий как материалы для инфракрасных детекторов, фосфид индия — как материал для выпрямителей и усилителей. Арсенид галлия является, по-видимому, более обещающим материалом для создания солнечных батарей, чем кремний. Арсенид галлия,.а также антимонид алюминия, несомненно, смогут найти широкое применение как материалы для выпрямителей [114]. [c.84]

Полученные таким способом диоды обладали электролюминесценцией, которая наблюдалась в инфракрасной области (8500А, как и у арсенида галлия). Внешний квантовый выход при температуре 77° К и плотности тока - -ЮО а/слг достигал 12%. при комнатной температуре он был в 100 раз меньше [43]. Спектр излучения удалось сместить в более коротковолновую сторону путем одновременной диффузии цинка и фосфора в м-С(1Те, легированный алюминием [44]. На поверхности теллурида кадмия образовывался слой твердого раствора (7п, С(1с) Те, причем р-п-переход создавался за счет более медленной диффузии фосфора по сравнению с диффузией цинка (внутренняя часть образовавшегося слоя твердого раствора получалась легированной алюминием, а поверхность— фосфором). Такие диоды имели спектр излучения с Х акс от 8500 до 5900А при составе 2п зС(1о 7Те и гПдщСс1о58Те наблюдалось излучение в красной области спектра, и квантовый выход при температуре 77° К достигал примерно 6%. При высоких концентрациях теллурида цинка в твердом растворе квантовый выход резко падал и росло электрическое сопротивление диодов. При комнатной температуре эффективность излучения была в 100 раз меньше. [c.42]

Установлено, что в кристаллах со структурой цинковой обманки скалывание легче всего происходит вдоль плоскостей 110 , тогда как в кристаллах со структурой алмаза — вдоль плоскостей 111 . Это обусловлено тем, что в структуре цинковой обманки плоскости 111 образуются поочередно либо только 111-атомами, либо только V-атомами. Если такие плоскости противоположно заряжены, то между ними существует электростатическое притяжение и разделить их трудно. Однако каждая плоскость (ПО) состоит из равного числа 111-атомов и V-атомов, так что между этими плоскостями не возникает электростатических сил, и поэтому разделить их относительно легко. Исходя из данных о характере скалывания, можно сделать некоторые выводы о степени ионной связи в кристаллах соединений III—V. Фосфид галлия скалывается только по плоскостям 110 , что указывает на значительную долю ионной связи в антимониде алюминия и в арсениде галлия наблюдается слабое скалывание по плоскостям 111 , которое указывает на меньшую долю ионной связи в антимониде галлия, арсениде индия и антимониде индия, кроме скалыва- [c.69]

Производят арсенид галлия методами направленной кристаллизации, вытягиванием из расплава по Чохральскому и зонной плавкой. Главным контейнерным материалом при получении и очистке GaAs служит плавленый кварц. Применяются также стеклоуглерод и нитрид алюминия. [c.138]

Соединения индия, галлия, алюминия, бора с азотом, фосфором, мышьяком, сурьмой и висмутом являются интерметаллическими, но, как правило, со строгим атомным соотношением 1 1. Излишек одного из компонентов в расплаве выделяется при затвердевании в виде второй фазы. Эти соединения в совокупности обладают более широкой гаммой полупроводниковых свойств, чем вещества IV группы, и у них наблюдаются новые, прежде неизвестные свойства. Ширина запрещенной зоны этих веществ лежит в пределах от 0,17 (InSb) до 2,25 эв (GaP), что позволяет использовать некоторые из них в высокотемпературных приборах. Арсенид галлия —более перспективный материал для солнечных батарей, чем кремний. Будучи почти таким же тугоплавким, он имеет в полтора раза большую ширину запрещенной зоны и почти в три раза большую подвижность основных носителей тока. Он работает как полупроводник в интервале от минусовых температур до 500°. Это эффективный полупроводниковый источник света для ближней инфракрасной области, а фосфид галлия — для красной и зеленой области спектра. Многое обещают преобразователи солнечной энергии на основе фосфида индия. [c.187]

Интересные наблюдения за ранними стадиями образования пленки при термическом разложении МОС в паровой фазе были проведены в работе [30]. Было изучено образование и рост эпитаксиальных слоев арсенида галлия на подложке из окиси алюминия при термическом разложении при температуре 675° С смеси паров триметилгаллия и арсина. На ранней стадии роста арсенида галлия наблюдается возникновение многочисленных центров кристаллизации, которые срастаются, образуя большие островки, и в конечном счете получается сплошное покрытие. Так, приблизительно через секунду поверхность окиси алюминия покрывается почти полностью большим количеством островков размером 0,15 мкм, которые обнаруживают некоторый эпи-таксиалышй порядок. Поверхность пленки на этой стадии сравнительно неровная, средняя толщина островков составляет —350 А. Через Зсек. поверхность становится ровнее, но все еще имеются открытые участки окиси алюминия. Покрытие становится сплошным через 5 сек., хотя его поверхность остается еще неровной. Через 10 сек. толщина эпитаксиального слоя составляет 0,15 мкм, а через 30 сек. при достижении толщины 0,45 мкм становится значительно ровнее. [c.178]

Эпитаксиальные слои соединений общей формулы Ga A As, где х изменялся от 0,1 до 0,8, выращивались на подложках окиси алюминия и арсенида галлия при термическом разложении в паровой фазе смесей триметил-алюминия и триметилгаллия в присутствии арсипа. [c.411]

Арсенид галлия, легированный цинком введением паров диэтилцинка в газовую смесь в токе водорода со скоростью 35 мл/мин, имел сопротивление 0,003 ом-см, концентрацию носителей 2,8-101 ) см"3 и подвижность при комнатной температуре 75 см2/в-сек. Подвижность эпитаксиальпых слоев ареенида галлия, легированного селеном, выращенных на окиси алюминия, ориентированной в плоскости (0001), зависела от толщины и составляла для [c.412]

Осаждение нитрида алюминия производилось при 500—600°С на подложках из арсенида галлия и кремния, ориентированных в плоскости (100), (111) и на молибденовой фольге. Были получены поликрис-таллические слои площадью до-2 см , толщиной мкм. Бесцветные, слегка беловатые , скорость осаждения составляла 0,01 мкм/мин удельное электросопротивление nj eHOK составляло 10 Ом-см. [c.88]

Рассмотрим использование периодического закона в методе сравнительного расчета температур плавления полупроводниковых соединений типа А В (А — атом элемента I11A подгруппы и В — атом элемента VA подгруппы). На рис. 21 показана зависимость температуры плавления фосфидов, арсенидов и антимонидов алюминия, галлия и индия в зависимости от порядковых номеров этих металлов. Все перечисленные вещества кристаллизуются по типу сфалерита ZnS (см. гл. IV). [c.83]

Если по оси ординат откладывать температуру плавления, например, арсенидов, а по оси абсцисс — температуру плавления стибидов, то точки пересечения координат оказываются на прямой рис. 22. Полагая, по аналогии, что и в других подобных случаях тоже должны получаться прямые линии, можно экстраполяцией оцепить температуру плавления фосфида алюминия, оказавшуюся равной примерно 1750° С. Это абсцисса точки, отмеченной на рис. 22 светлым кружком. Она определяется пе-ресечение.м линии, связывающей температуры плавления арсенидов и фосфидов галлия и индия, с горизонтальной линией, проведенной на уровне температуры плавлення AlAs (1600°С). [c.104]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология