Светодиод

Информация о текущей влажности отображается на трехзначном цифровом табло электронного блока в процентах объемных долей воды, а также выводится на разъем X С1 электронного блока в виде унифицированного сигнала постоянного тока - 4-20 мА. При влажности более 0,5 % объемной доли воды загорается индикаторный светодиод на передней панели блока электронного. При влажности более 0,8 % объемной доли воды включается звуковой сигнал. [c.63]

Средняя частота следования импульсов с выхода блока детектирования, снимается при светящемся зеленом светодиоде на лицевой панели прибора как усредненное из 20 серий измерений [c.253]

Частота задающего генератора N2, снимается при погашенном зеленом светодиоде. [c.253]

Выходное состояние релейного канала ( + соответствует выходному сигналу 5тА, а также светящемуся красном " светодиод на лицевой панели прибора. [c.253]

ОаР-полупроводниковый материал для светодиодов, солнечных батарей, датчиков Холла, оптических фильт ров и др. [c.482]

Световод служит лишь для передачи излучения. Вместо фотометра волокно может быть связано с оптоэлектронной цепью-, в этом случае источником света является светодиод (СД), а детектором — фотодиод. [c.507]

На рис. 15.3-8 приведена схема типичного /Li-СПА-устройства, использующего метод КЭ. Для хранения буферного раствора используются резервуары в виде специальных пластиковых бутылочек или наконечники для микропипеток. Эти резервуары приклеиваются к покрывающей плате кремниевого микрочипа и через отверстия в последней присоединяются к микроканалам, сформированным внутри микрочипа. Платиновые электроды помещают в эти резервуары и соединяют через высоковольтное реле с источником высокого напряжения. Для упрощения на рисунке показаны не все электроды. Детектор регистрирует флуоресценцию, возбуждаемую аргоновым, He-Ne- или He- d-лазером, излучение которых направляется в детекторную зону по оптоволокну. В качестве источника возбуждения флуоресценции могут также использоваться светодиоды с голубым свечением, что свидетельствует о возможности [c.647]

Выход излучения, эффективность и яркость свечения светодиодов [c.15]

Выход излучения светодиода измеряют в световых единицах — люменах или 1 кандела на 1 м"2[(1 кд. м ) = 1 нит], отнесенных к единице мощности (Вт). Величина выхода обычно имеет размерность — лм/Вт (светоотдача) или лм/А и кд -м" 7(А -СМ" ) отношение яркости свечения к плотности тока позволяет сравнивать между собой диоды различной формы и размера. [c.15]

С 1969 г. работы по люминофорам, возбуждаемым инфракрасным излучением, приобрели практическое значение, поскольку оказалось, что спектр излучения ИК-источников из арсенида галлия близок к спектру возбуждения подобных люминофоров (рис. IV.21). Это привело к разработке нового класса светодиодов с зеленым, красным и голубым свечением на основе ИК-диодов из арсенида галлия, покрытых слоем люминофора [98]. [c.97]

Эффективность преобразования электрической энергии в видимую для светодиодов на основе арсенида галлия с люминофорным покрытием [99] [c.101]

У1.2. СВЕТОДИОДЫ (НИЗКОВОЛЬТНЫЕ ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ ИСТОЧНИКИ СВЕТА) [c.143]

Интенсивное исследование инжекционной электролюминесценции началось в бО-х годах, и спустя десятилетие в продажу поступили светодиоды, изготовленные на основе фосфида и арсенида галлия, которые работают прп напряжении 1,5—3,0 В и токе 10 мА. [c.143]

Типы полупроводниковых соединений. Для создания эффективных светодиодов необходимы хорошо Люминесцирующие полупроводниковые соединения, обладающие проводимостью как п-, так и р-типа. [c.144]

Указанные в табл. 1.1 соединения обеспечивают создание светодиодов, излучающих во всем спектральном диапазоне видимого излучения. В табл. 1.2 и на рис. 1.10 [c.144]

Рис. 1.16. Спектры излучения светодиодов

Таблица VI.2 Спектральные характеристики различных светодиодов [90]

Изотермические регуляторы предназначены для термостатирования детекторов и испарителей (РТИ-36, каналы Термостат 1 и Термостат 2 соответственно) и солевого источника термоионного детектора (РТИ-36-02, канал Термостат 1 ), Температуры задаются с помощью кодовых переключателей в диапазоне от 50 до 450 С в РТИ-36 и в диапазоне от 200 до 550 С в первом канале РТИ-36-02. Дискретность задания 1 С, Погрешность задания температуры регуляторами РТИ на уровне 2,5 ь, а случайная составляющая погреп]ности не превышает - 1 С, Все терморегуляторы имеют включатели Сеть и Нагрев , их работа и состояние индицируются светодиодами на передней панели. [c.123]

Мягкий, серебристо-белый ммалл устойчив к воздействию воздуха и воды. Растворим в кислотах и щелочах. Характеризуется самым большим температурным диапазоном существования и жидком состоянии по сравнению со всеми другими элементами, С фосфором, мышьяком или сурьмой обладает свойствами полупровод ника. Используется и светодиодах и в производстве микроволнового оборудования. Радиус, пм Оа 62, Оа 113, атомный 122,1, ковалентный 125 [c.50]

Время работы ленточных и таблеточных Г. без замены ленты или таблетки достигает 30 сут и более. Источниеи излучения в фотоколориметрич. Г.-обычно ламша накаливания и полупроводниковые светодиоды, фотоприемники — фотоумножители, фотоэлементы, фотодиоды и фототранзисторы. Эти приборы позволяют с высокой избирательностью определять разл. газообр>азные (парообразные) в-йа в диапазоне концентраций 10 -1%. Особенно высока чувствительность у Г. периодич. действия их недостаток-нек-рое запаздывание показаний. [c.458]

После взаимод. с определяемыми в-вамн на Р. и. Б. появляются окращенные реактивные зоны. Для проведения качеств, и количеств, анализа окраску зон сравнивают визуально со стандартными цветовыми шкалами юти измеряют коэф. отражения зон с помощью детектора с дисплеем, работающим по принципу отражат. фотомера со светодиодом (чувст вительным элементом, регистрируюшлм цветовые изменения). В последнем случае необходимо строить градуировочные ф-ция. Анализ, основанный на измерении коэф. отражения, наиб, эффективен в случае использования РИБ и КОИБ, к-рые не загрязняют исследуемые р-ры и окно светодиода. [c.203]

Э. широко используют в микроэлектронике (транзисторы, интефальные схемы, светодиоды и др.), в квантовой электронике (многослойные полупроводниковые гетероструктуры, инжекц. лазеры), в устройствах интефальной оптики, в вычислит. технике (элементы памяти с цилиндрич. магнитными доменами) и т. п. [c.483]

Из-за малости собираемого заряда важным является снижение шумов. Об охлаждении кристалла детектора и первого каскада предусилителя на полевом транзисторе упоминалось выше. Дополнительной мерой является использование импульсной оптической обратной связи (ИОС), как показано на рпс. 5.18. С помощью этого метода шумы, обычно связанные с резистивной обратной связью в предусилителях, исключаются за счет простого отказа от использования какой-либо обратной связи для отвода из детектора накопленного заряда. Такое состояние не может существовать неопределенно долго, поэтому, когда напряжение иа выходе предусилителя достигнет заданного значения, включается светодиод, вызывающий появление тока утечки п полево.м транзисторе, в результате чего он возвращается в начальное рабочее состояние. При включении цепи оптической обратной связи возникают значительные шумы, поэтому на этот промежуток главный усилитель необходимо запирать. В настоящее время предусилители с оптической импульсной обратной связью применяются большинством фирм-изготовителей, за исключением фирмы ОКТЕС, которая достигает того же эффекта с помощью так называемого метода динамического восстановления заряда , не требующего специального запирания усилителя, [c.215]

В целом, желательно нспользовать метки с длинноволновыми м симумамн поглощения и испускания. Это предпочтительно как в случае применения световодов (поскольку наиболее общедоступные волокна плохо пропускают свет с длиной волны короче 420 им), так и во всех других устройствах (потому что простые и наиболее дешевые источники света — светодиоды н диодные лазеры—имеют обычно длину волны больше 450 нм). Работа в длинноволновой области может также иметь дополнительные преимущества благодаря более низкому флус )есцентному фону и более высокой чувствительности имеющихся фотодетекторов. Следует помнить, что не всегда удается работать в этих рамках и что некоторые из наиболее чувствительных маркирующих реагентов действуют в ю)ротковолновой области. [c.547]

Для производства фото-, катодо- и электролюминофоров в основном используют сульфиды цинка и кадлшя, а также селенид цинка. Некоторое значение имеют теллуриды цинка и кадмпя, применяемые в небольших количествах для изготовления светодиодов. Сульфиды стронция и кальция пригодны для получения фотолюминофоров с длительным послесвечением. [c.29]

ГЮХ устранение неполадок и т. д. га информация может быть ви-сальной и документальной. Средства передач ви-уальной информации дискретные световые сигналы с омощью ламп илн светодиодов — бъем информации зависит от чис-а сигналов и дискретных прнзна-ов (включен — выключен, мигающий свет, различие по цветам и расположению иа мнемосхеме) [c.84]

Энергетическая эффективность светодиода — безразмерная величина ев определяют как отношение мощности светового потока к мопщости подводимой электроэнергии. [c.15]

Как уже отмечалось, интерес к антистоксовским люминофорам резко во рос после того, как было обнаружено совпадение спектров возбуждения люминесценции с ИК-излучением арсенида галлия. Практическое применение их в настоящее время целиком связано с изготовлением светодиодов. Антистоксовские люминофоры эффективно излучают только прн высокой плотности возбуждения, поэтому для концентрирования ИК-излучения применяют диоды очень маленького размера. Поглощение редкоземельных люминофоров в ИК-области невелико, и значительная доля излучения проходит через слой люминофора без поглощения. Поэтому подбирают оптимальную толщину слоя люминофора и его гранулометрический состав таким образом, чтобы максимально использовать ИК-излучение и избежать потерь на самоцоглощение. Спектр поглощения люминофоров в видимой области спектра полностью соответствует их спектру излучения (см. рис. IV.27). Для увеличения степени использования ИК-излучения применяют органические связки с показателем преломления, промежуточным между полупроводником (3,5) и люмршофором (1,4). Важно, чтобы в люми-нофорном покрытии отсутствовали воздушные прослойки. [c.103]

В случае сильно поглощающегося излучения с энергией кванта, близкой к Eg, величина внешней квантовой эффективности может составлять лишь сотую долю от величины внутренней. Величина внешней квантовой эффективности для различных светодиодов лежит в пределах 0,01—15%. Потери на поглощение сильно увеличиваются щ)и многократном отражении от внутренней поверхности кристалла. Коэффициент преломления большинства материалов для светодиодов составляет 3,5 и угол полного внутреннего отражения очень мал (16—17°), поэтому значительная часть излучения не выходит из кристалла. Для улучшения световывода применяют покрытия с большим коэффициентом преломления, а также придают кристаллу форму полусферы или конуса. Это уменьшает долю излучения, падающего на внутреннюю поверхность кристалла под большим углом, и, следовательно, способствует выводу света из кристалла. [c.15]

Приведенная формула пригодна в ограниченном интервале плотностей тока, так как для большинства светодиодов характерны некоторые отклоневия зависпмости яркость — ток от линейности. [c.15]

Светодиод Цнет свечения дпода т О щ 5 5 а о и эффективность ИК-диода (полусферического) [c.101]

В отличие от электролюминесцентных панелей с порошковыми электролюминофорами светодиоды — это точечные источники света специального назначения. Их используют в качестве дискретных и алфавитно-цифровых индикаторов и устройств для воспроизведения изображений, способных работать в полупроводниковых схемах. Особенность светодиодов — их надежность (срок службы 10 —10 ч), небольшая потребляемая мошрость (10" Вт) и малая инерционность (10 9—с) в сочетании с высокой яркостью свечения (10 —10 кд м 2) в зеленой и красной областях спектра. [c.143]

Основой светодиода является полупроводниковый диод (р—п или другой хшжектирующий переход). При пропускании тока через диод в электронную и дырочную области перехода инжектируются неосновные носители тока (дырки и электроны). Рекомбинация этих носителей с основными носителями тока (электроны в /г-области н дырки в р-области) сопровождается излучением. [c.143]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология