Электролюминесценция механизм

Формулы, связывающие светоотдачу ЭЛК с напряжением и частотой возбуждающего поля, полученные на основании общих представлений о механизме электролюминесценции, приводятся в работах [29—31]. [c.14]

Механизм электролюминесценции, предложенный Верещагиным [7], основывается на следующих основных положениях [c.140]

Механизм возбуждения инжекционной электролюминесценции [c.143]

Из табл. VI.5 следует, что разработка светодиодов находится только в начальной стадии, тогда как выход порошковых люминофоров близок к пределу. Теоретическая величина энергетической эффективности предпробойной электролюминесценции составляет. I О—30, тогда как реально получено 3—5%. При инжекционном механизме возбуждения электрическая энергия может быть превраш ена в световую без потерь, и энергетическая эффективность электролюминесценции может достигать i00 96 [c.155]

О роли дислокаций и поверхностных дефектов в люминесценции. В гл. I, 3 уже упоминалось о возможном значении линейных и поверхностных дефектов в электролюминесценции. Способность к свечению в электрическом поле возникает иногда (например, у 2п5-Си-фосфоров кубической модификации) лишь в процессе достаточно медленного охлаждения люминофора после термической обработки при высокой температуре [63]. Сопоставление этого факта с описанным механизмом сегрегации и выделения примесей на [c.129]

В связи с этим автор высказывает следующие предположения относительно механизма старения. В процессе работы ЭЛ в кристаллики диффундирует кислород, что приводит к образованию глубоких ловушек, гасящих электролюминесценцию. Кроме того, возможная реакция между кислородом и сульфидом цинка приводит к выделению на поверхности кристалликов ЭЛ элементарного цинка, что проявляется в почернении диэлектрика. [c.24]

В настоящее время уже нашли практическое применение выпускаемые промышленностью светодиоды на основе карбида кремния, фосфида галлия, а также излучатели инфракрасного света на основе арсенида галлия. Ниже приведены основные достижения в области создания таких светодиодов н более подробно рассмотрены работы, посвященные созданию светодиодов на основе соединений типа которые многие исследователи считают перспективным материалом для диодов, излучающих в видимой области спектра. Значительная часть работ по инжекционной электролюминесценции посвящена исследованию физики этого явления. Именно благодаря успехам в исследовании механизма люминесценции и природы центров излучательной и безызлучательной рекомбинации удалось разработать технологию получения эффективных светодиодов на основе карбида кремния н фосфида галлия. В первую очередь это относится к фосфиду галлия с красным цветом излучения. Для карбида кремния и фосфида галлия с зеленым излучением эти вопросы менее ясны, а для соединений типа Л в они исследованы еще в меньшей степени. [c.34]

Для большинства поликристаллов откачка, связанная с уменьшением изгиба зон, ведет к увеличению средней яркости электролюминесценции. Возможность подобного изменения яркости становится понятной, если более детально рассмотреть процесс возбуждения электролюминесценции. Интенсивность последней при ударном механизме возбуждения пропорциональна числу электронов п, входящих в область барьера, и вероятности ионизации w, которая зависит от напряженности поля в барьере. Напряженность поля связана с высотой барьера и при его уменьшении падает, однако в то же время увеличивается число вводимых (из соседних кристаллов, электродов или с поверхностных уровней) электронов. Произведение противоположно изменяющихся величин п и W может увеличиваться, уменьшаться или проходить через экстремум б зависимости от их первоначальных значений и быстроты изменения. [c.36]

В работах [67, 68] механизм электролюминесценции объясняется процессом туннельного проникновения электронов, которое осуществляется из фазы uoS, находящейся на поверхности кристаллов ZnS. [c.139]

Дальнейшее развитие представлений о механизме электролюминесценции связано с исследованием под микроскопом свечения кристаллов электролюминофоров. В работах [59, 69—72] показано, что это свечение сосредоточено в отдельных точках (или линиях). Предполагается [69], что светящиеся линии, наблюдаемые под микроскопом, обусловлены линейными дефектами в кристаллах ZnS. Так как свеченио по длине линии неравномерно (ярче всего светится голова линии), то, цо-видимому, начало линии находится в плоскости р— г-перехода. Механизм электролюминесценцип определяется двумя стадиями. На первой — стадия активации — положительное напряжение приложено к тг-области, а отрицательное — к р-области. Это приводит к миграции электронов и дырок из области р—тг-перехода. Вторая стадия начинается при изменении знака напряжения дырки инжектируются в тг-область, захватываются на линейных дефектах и переносятся к центрам люминесценции. При рекол1бинации электронов с дырками происходит излучение. [c.139]

К сожалению, до настоящего времени отсутствуют достаточно надежные экспериментальные данные в поддержку той или иной гипотезы. Однако надо отметить, что в последние годы появилось большое число работ, посвященных исследованию предпробивных явлений в полимерах в сильных электрических полях обнаружена электролюминесценция, возникающая перед появлением дендритов [134] установлено возникновение в полимерах мельчайших пор и трещин в зоне высоких напряженностей электрического поля при воздействии на образец серии импульсов [135] рассматриваются возможные механизмы разрыва макромолекул в сильных электрических полях, включающие ионизацию макромолекул в результате туннельного перехода электронов и последующий распад макроионов [136] или предполагающие термофлюктуационный механизм разрыва полимерных цепей [137]. [c.150]

Рассмотренный механизм возбуждения электролюминесценции называют ударным механизмом, а само явление свечения кристаллов, помещенных в диэлектрик — эффектом Дестрио, в отличие от свечения при непосредственном контакте кристалла с электродом, которое носит название эффекта Лосева. Люминесценция, впервые наблюдавшаяся Лосевым, возбуждается, как это выяснилось в последнее время, впрыскиванием (инжекцией) носителей тока. Поэтому она называется инжекционной электролюминесценцией . Ин-жекция носителей может происходить как из электродов, так и из областей внутри кристалла, отличающихся знаком проводимости,— так называемых р-и-переходах (см. гл. IV). Существенно, что для этого не требуется большой напряженности поля. В полупроводниках типа СаАз удается достичь высокой плотности инжек-ции, достаточной для получения стимулированного излучения. На основе таких полупроводников с р-п-переходами созданы новые [c.51]

Термины эффект Лосева и инжекционная электролюминесценция , вообще говоря, не являются синонимами, так как первый относится к способу возбуждения, а второй — к механизму процесса. По той же причине не следует полностью отождествлять и понятия эффект Дестрио и преднробойная электролюминесценция . [c.51]

Говоря о низковольтной электролюминесценции следует упомянуть работу Битера с сотрудниками [69], которые наблюдали голубое (или зеленое в присутствии меди) свечение в области контакта индий—сульфид цинка при напряжении 1,6 в. При столь малых напряжениях невозможно получить фотон с энергией 2,8 эв за счет инжекции в р-д-переходе, и авторы предлагают двухступенчатый механизм возбуждения. По их мнению, энергия фотона складывается из энергии горячего электрона, ионизирующего центр люминесценции путем ударпо-туппельного перехода через пеиден-тифицированный пока еще барьер типа п +-я-перехода, а также из энергии горячего электрона, который пересек я +-область и за-хватился ионизованным центром люминесценции в я-области с излучением. Предполагается, что я+-я-область образуется за счет самокомпенсации при о.хлаждении кристалла. [c.45]

Эти результаты объясняются механизмом ударной ионизации нри ироннкновении электронов через контактный барьер и ускорении их в высоком иоле истощенного слоя. Если вместо контактов из 1п-0а-снлава или меди (работа выхода 4,8 эв) применялись контакты из платины (работа выхода — 5,5 эв), то излучение наблюдалось, когда контакт был анодом, начиная от напряжения 1,35 в. Спектральное распределение излучения было идентично спектру фотолюминесценции. В этом случае электролюминесценцию можно объяснить возникновением физического инверсионного слоя с проводимостью р-типа. из которого происходит инжекция дырок в п-2п5е. [c.47]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология