Способы (методы) и методики выращивания кристаллов

СПОСОБЫ (МЕТОДЫ) И МЕТОДИКИ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ [c.70]

Предложен метод управления дефектной структурой кристаллов азида серебра в процессе его роста с помощью постоянного магнитного поля. Данный способ выращивания кристаллов является перспективным методом контроля концентрации примесей в кристаллах азида серебра (количество примесей уменьшается на 30%). Исследования реакционной способности кристаллов, выращенных таким способом показывают, что они являются более стабильными к различным видам энергетических воздействий. Кроме того данная методика исключает гигантское изменение размеров кристаллов в магнитном поле, что также способствует стабильности этих материалов. [c.93]

Описываемые методы предназначены в основном для выращивания небольших, от долей миллиметра до 3—5 см, кристаллов, необходимых и достаточных для исследования их формы, физических свойств, особенностей их роста, строения и т. д. Эти же способы обычно служат основой для создания на их базе методик выращивания крупных промышленных кристаллов. [c.3]

Поскольку для осуществления данного способа выращивания можно предложить целый ряд технических решений, то следует выделить отдельно техническое устройство (аппаратуру) для выращивания кристаллов. Методика выращивания зависит от выбранного метода и технического устройства и характеризуется [c.73]

Метод закрытой банки легко применить для выращивания кристаллов за счет испарения. Методика такая же, как раньше, за исключением того что затравку подвешивают на проволочном держателе (фиг. 7.3). Держатель полностью погружен в раствор, так что в поверхностном слое раствора, который во время испарения, конечно, заметно пересыщен, нет подложки для образования зародышей. Вместо того чтобы закрывать банку плотной крышкой, ее накрывают куском ткани (закрепленным у края сосуда резиновым кольцом), который, задерживая пыль, не препятствует испарению. Сначала рост происходит за счет медленного охлаждения, но после того, как температура раствора достигает комнатной, дальнейший рост осуществляется за счет испарения. Если нужно, чтобы испарение происходило с большей скоростью или чтобы кристаллы росли при более высокой температуре, банку можно нагреть (с помощью электроплитки, водяной бани или водяного термостата). При таком способе выращивания очень удобна термостатированная комната, но в подвалах многих зданий температура часто вполне достаточно стабильна для того, чтобы в значительной степени улучшить рост. [c.282]

Прибор, описанный В. Ф. Парвовым [1964], обеспечивает динамический режим роста и возможность плавной регулировки скорости испарения растворителя. Заметим только, что на рисунке в этой статье водосборное кольцо имеет одинаковую высоту внутреннего и внешнего краев. Чтобы избежать перелива конденсата наружу, внутренний край кольца должен быть несколько ниже внешнего. Способ кристаллизации при регулируемом испарении растворителя, примененный для вещества с обратной зависимостью растворимости от температуры ( 2804 Н2О), описан В- И. Непомнящей и др. [1961]. Там же даны способ вращения кристалла при его росте, а также удобная методика выращивания кристаллов в формах. Нужно отметить, что добавление раствора в кристаллизатор, описанное в этой статье, переводит данный способ выращивания в число стационарных методов получения кристаллов. [c.87]

Метод в техническом отношении несколько сложнее предыдущего, и скорости роста, обычно достигаемые с его помощью, заметно меньше. Качество кристаллов может быть очень высоким, и размеры их достигаются большие. Описываемый способ был впервые использован в 1905 г. Г. Специа [Бакли Г., 1954, с. 59] для получения кристаллов кварца, впрочем, не из жидкости, а из паров. В 60-е годы удобная методика для выращивания кристаллов из водных растворов при комнатных температурах была предложена А. В. Белюстиным. С ее помощью выращивались, в частности, крупные кристаллы дигидрофосфата калия. Метод обладает несомненными достоинствами, заключающимися в возможности сравнительно легко поддерживать стационарность процесса, широко варьировать основные параметры. [c.110]

Другой стороне проблемы роста кристаллов — практической, посвящены 4—7 главы монографии Р. А. Лодиза. Автор излагает здесь материал таким образом, чтобы вооружить читателя логикой выбора наиболее подходящего метода для выращивания нужного кристалла. В основе такой логики лежит физикохимическая сущность явлений роста, которая и сделана стержнем изложения. Р. А. Лодиз обсуждает все основные методы и методики выращивания — из расплавов, растворов и газовой фазы (в том числе с участием химических реакций), а также путем рекристаллизации в твердой фазе и полиморфных превращений. Изложение основных методов выращивания следует единой для всей книги схеме 1) физико-химические основы и общая характеристика метода, показания и противопоказания для его использования, 2) аппаратура, обычно в виде принципиальных схем и 3) способы получения конкретных кристаллов и их характеристики. Осуществляя эту схему, автор концентрирует внимание прежде всего на качественном описании явлений ростг кристалла и дает ориентировочные численные параметры процесса. Технологические приемы также увязываются с процессами роста и образования дефектов. Весь этот обширный, в известной степени энциклопедический материал изложен интересно, ясно, очень по-деловому и с большим педагогическим мастерством. Автор не стремится к скрупулезному описанию [c.6]

Наибольший объем внедрения новой технологии достигнут для германия. Отработана промышленная технология получения кристаллов в виде лент, пластин, труб, стержней круглого сечения, в том числе технология группового выращивания. Развита методика выращивания крупногабаритных цилиндрических монокристаллов с диаметром до 300 мм. Изучено влияние технологических факторов и легирования на форму, структуру, особенности распределения примесей и электрические свойства профилированных кристаллов. Для контроля электрических свойств профилированных кристаллов потребовалось разработать специальные методы измерени удельного сопротивления и коэффициента Холла. Установлено, что структура и свойства выращиваемых в промышленных условиях профилированных монокристаллов германия обеснечивают возможность их применения для изготовления высокочастотных транзисторов, тензорезисторов, монохроматоров и анализаторов рентгеновского излучения, подложек эпитаксиальных структур, для инфракрасной оптики и оптоэлектроники, в качестве подложек для термического разложения моногермана. Для дальнейшего совершенствования структуры и свойств профилированных кристаллов германия необходимы более детальные исследования распределения в них легирующих примесей в процессе кристаллизации способом Степанова. [c.255]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология