Цилиндрические монокристаллы

Рентгенографические данные для кристалла гексафторида [65]. Рентгенографические анализы цилиндрических монокристаллов показывают, что твердый гексафторид принадлежит к ромбической голоэдрии пространственная группа 02п—Рпта. При 24° константы решетки следующие [c.353]

Вслед за описанием установок для выращивания кристаллов способом Степанова в главе 5 представлены результаты использования этих установок при промышленном выращивании монокристаллов германия с различным профилем — лент, цилиндрических монокристаллов разных диаметров и кристаллов сложных конфигураций. Уделяется значительное внимание новому групповому процессу выращивания, при котором из расплава вытягивается одновременно до 21 монокристаллического стержня. В этой же главе анализируются свойства полученных способом Степанова профилированных кристаллов и излагаются основы их метрологии. [c.5]

Опыты по управлению степенью огранения кристалла путем изменения температурного градиента проводились при выращивании с формообразователем цилиндрических монокристаллов [c.79]

Опыт промышленного производства цилиндрических монокристаллов показал, что эта специфическая задача (равно, как и все другие, связанные с получением кристаллов, калиброванных по диаметру) наиболее успешно решается применением способа Степанова. [c.161]

Следовательно, способ Степанова позволяет решать вопросы получения цилиндрических монокристаллов германия широкой номенклатуры диаметров. В данном разделе основное внимание уделено умеренным диаметрам (6-+20 мм). [c.161]

Поэтому при выращивании цилиндрических монокристаллов условия вытягивания выбирались таким образом, чтобы добиться [c.164]

Дислокационная структура и распределение примесей. Для достижения высоких качественных показателей цилиндрических монокристаллов необходимо установить соответствие между условиями кристаллизации, структурой и характером распределения электрофизических свойств в их объеме [260, 261, 275], а затем зафиксировать оптимальные значения параметров процесса выраш,ивания. Как отмечается в [260, 261], распределение дефектов в цилиндрических монокристаллах, выращенных по способу Степанова, может отличаться от такового в методе Чохральского в силу двух особенностей а) кристаллы выращиваются без вращения, б) формообразователь воздействует на зону кристаллизации. [c.165]

На основании проведенных исследований выбраны следующие оптимальные условия выращивания цилиндрических монокристаллов германия скорость подъема кристаллов — 1.5—2.0 мм - мин , скорость вращения тигля — 10 об -мин- , толщина формообразователя — 5.0—7.0 мм, высота столба расплава — 1.0—1.5 мм, направление выращивания — [111]. [c.168]

Таким образом, приведенные результаты свидетельствуют о том, что цилиндрические монокристаллы, выращенные групповым методом по способу Степанова, полностью отвечают требованиям производства мощных германиевых сплавных транзисторов. [c.168]

Формообразующее устройство для выращивания профильных цилиндрических монокристаллов может быть сравнительно легко трансформировано применительно к получению трубчатых монокристаллов. Первые работы по получению трубчатых монокристаллов (полых цилиндров и тонких трубок) германия способом Степанова были указаны в табл. 1. Однако все эти попытки носили скорее случайный, чем закономерный характер и не отражали потребность приборостроения в таких кристаллах. [c.168]

Рис. 58. Зависимости эффективного коэффициента распределения от скорости выращивания / цилиндрических монокристаллов (диаметром 10 -1-12 мм) при постоянной скорости вращения тигля (10 об мин 1).

Рис. 59. Типичная картина результатов одновременных измерений распределения удельного сопротивления р, концентрации п и подвижности по сечению цилиндрического монокристалла, выращенного по способу Степанова.

Для цилиндрических монокристаллов диаметром 6-f-20 мм, строго отвечающих по форме и размерам исходному кристаллу при изготовлении мощных высокочастотных транзисторов, технология группового выращивания при одновременном получении до 20 стержней обеспечивает достаточно высокую производительность процесса. Применение профилированных калиброванных монокристаллов Ge позволяет перестроить и упростить технологию изготовления активных элементов транзисторов. Основной операцией становится поперечная резка калиброванных стержней на пластины. Это позволяет получить ряд существенных преимуществ в приборной технологии снижение нормы расхода германия на одну [c.221]

К у 3 н е ц о в В. А., Сачков Г. В,, Бессонова Н. В. и др. Особенности распределения примеси в цилиндрических монокристаллах [c.270]

Диски из вольфрамата кальция готовили или распиливанием цилиндрического монокристалла диаметром 1 см, полученного по методу Чохральского, или прессованием при давлении 3000 кгс/см с последующим спеканием при 1100° С в течение 8 ч порошкообразного СаШ04, полученного осаждением из водных растворов. [c.18]

Нитевидные кристаллы окиси магния. Нитевидные кристаллы окиси магния получали Снерос и Чанн (Speros, S hupp, 1960), нагревая до 1400—2000° К цилиндрический монокристалл окиси магния в атмосфере водорода, углекислого газа или смеси этих газов. Поверхность кристалла окиси магния покрывалась постепенно слоем тонких вискерсов MgO, которые в конце концов обволакивали исходный кристалл в виде кокона . Авторы рассматривают следуюш ие возможные обратимые реакции, приводящие к переносу окиси магния через газовую фазу. [c.252]

Монокристаллы. Соответствующей обработкой решетке всей массы металла может быть сообщена одна и та же ориентировка, так что весь металл становится монокристаллом. Если металл имеет вид круглого прутка, то это не мешает ему стать одним кристаллом, если только слои атомов параллельны друг другу по всей массе Теперь цилиндрические монокристаллы чаще всего получают расплавлением металла в трубке соответствующей формы и снижением температуры чуть-чуть ниже точки затвердевания, где вероятность спонтанного образования устойчивого зародыша кристалла очень мала если затем в один конец внести прививку в виде маленького кристалла, он будет расти вдоль трубы, пока вся масса не станет одним большим кристаллом. Возможность спонтанной кристаллизации из второй точки, которая испортила бы результат, может быть уменьшена соответствующим устройством. По методу, предложенному Бригменом, трубка с металлом при температуре сначала выше точки плавления медленно передвигается через трубу печи, приспособленную создавать температурный градиент когда данная точка в трубке достигнет достаточно низкой температуры, металл будет затвердевать, продолжая ориентировку уже полученную той порцией металла, которая достигла холодной области раньше таким образом [c.337]

В некоторых случаях в профилированных монокристаллах появляется полосчатость, период которой совпадает с шагом винта тянущего механизма. Полосчатость периода vlan проявляется при выращивании цилиндрических монокристаллов, причем здесь под (й следует понимать скорость вращения тигля (кристалл не вращается). [c.177]

Наибольший объем внедрения новой технологии достигнут для германия. Отработана промышленная технология получения кристаллов в виде лент, пластин, труб, стержней круглого сечения, в том числе технология группового выращивания. Развита методика выращивания крупногабаритных цилиндрических монокристаллов с диаметром до 300 мм. Изучено влияние технологических факторов и легирования на форму, структуру, особенности распределения примесей и электрические свойства профилированных кристаллов. Для контроля электрических свойств профилированных кристаллов потребовалось разработать специальные методы измерени удельного сопротивления и коэффициента Холла. Установлено, что структура и свойства выращиваемых в промышленных условиях профилированных монокристаллов германия обеснечивают возможность их применения для изготовления высокочастотных транзисторов, тензорезисторов, монохроматоров и анализаторов рентгеновского излучения, подложек эпитаксиальных структур, для инфракрасной оптики и оптоэлектроники, в качестве подложек для термического разложения моногермана. Для дальнейшего совершенствования структуры и свойств профилированных кристаллов германия необходимы более детальные исследования распределения в них легирующих примесей в процессе кристаллизации способом Степанова. [c.255]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология