Проблемы роста кристаллов, изд-во Мир

Вместе с тем следует подчеркнуть, что теория дислокаций, устранившая многие трудности в проблеме роста кристаллов, вообще не имеет отношения к вопросам зарождения новой фазы в гомогенной среде — пока не возник зародыш новой фазы нет места и дислокации. Поэтому относительно высокая скорость возникновения зародышей новой фазы — это одна из нерешенных проблем современной термодинамики. Для конденсированных фаз наиболее вероятное решение проблемы связано с учетом кооперативного характера процесса зарождения новой фазы. [c.224]

Однако этим наши теперешние знания о процессах конденсации — испарения не исчерпываются. В случае кристаллов экспериментальный и теоретический анализ проникает глубже. Уже без дальнейших пояснений видно, что совершенное познание процессов конденсации на кристаллах включает решение старой проблемы роста кристаллов, исследования которой зачастую оста- [c.39]

В этом и последующих разделах обсуждается проблема роста кристаллов, присущая лишь кристаллизации линейных макромолекул. Центральный вопрос, касающийся кристаллизации готовых макромолекул, может быть сформулирован следующим образом как понять и описать складывание цепей, рассмотренное в разд. 3.2.2 [c.194]

Фундаментальные аспекты проблемы роста кристаллов сосредоточены в первых трех главах монографии Р. А. Лодиза и [c.5]

Теория возникновения новой фазы имеет прямое отношение к рассмотрению проблемы роста кристаллов, к которым также применялись изложенные выше представления. Еще Гиббс отметил, что процесс роста идеального кристалла происходит таким же образом, как и возникновение новой фазы возникновение нового слоя частиц в кристалле связано с постройкой двумерного зародыша нового слоя, для образования которого необходимо затратить дополнительную энергию, связанную с повышенной энергией частиц вдоль линии 2 на рис. 50. [c.223]

Теоретической разработке проблемы роста кристаллов уделено много внимания и в других работах [139—148]. [c.57]

Если на первых этапах развития теория твердого тела занималась исключительно идеальными, совершенными кристаллами, структура которых не имеет каких-либо нарушений, то в настоящее время, наряду с такими кристаллами, интенсивно изучаются также неидеальные твердые тела, имеющие в своей структуре несовершенства (дефекты, дислокации). Изучение несовершенств структуры необходимо для объяснения явлений переноса в твердых телах (электрическая проводимость, теплопроводность, диффузия), а также в связи с проблемами прочности кристаллов, кинетики их роста и др. [c.172]

Теоретические исследования. Большинство перечисленных выше задач представляются в основном технологическими, хотя несомненно их решение связано с учетом основных законов химии и знанием химической теории. Но не только эти целенаправленные исследования вызывают интерес у ученых-теоретиков. Их занимают некоторые фундаментальные проблемы химии, которые еще до сих пор не разрешены. Окончательно не выяснены еще механизмы некоторых простейших химических реакций, действие катализаторов, процессы роста кристаллов. Не решен спор о происхождении солнечной системы и вселенной, а также нескольких десятков элементарных частиц, входящих в состав атомных ядер. [c.13]

В настоящее время это может не иметь очень большого значения для рентгеновского микроанализа, так как большая часть исследований проводится на локализованных элементах внутри и вне естественных фрагментов клетки, как на ядре (рис. 12.9), где, по-видимому, рост кристаллов льда ограничивается клеточными мембранами. Рост кристалла льда является проблемой, когда исследования проводятся по определению распределения и концентрации элементов внутри клеточного фрагмента. Является сомнительным, можно ли возложить большие надежды на аналитические результаты, полученные из различных областей внутри данного клеточного фрагмента из замороженных тканей, в которых легко видны кристаллы льда. [c.294]

Проблема роста кристаллов из переохлажденной жидкости была решена помощью аналогичной модели. Ряд экспериментальных работ в дальнейшем качественно подтвердил основные представления этой модели [84—89]. Кантровиц [90] довольно подробно рассмотрел вопрос о времени, которое требуется для изменения распределения кристаллизации при переходе от насыщенного раствора к пересыщенному. [c.560]

Хиби и Яда [90] провели электронно-микроскопические исследования несовершенств строения кристаллов дымов окисей магния и молибдена при помощи одноступенчатых реплик. В случае кристаллов окиси магния отчетливо наблюдались двойниковые образования с общей плоскостью (111), столбчатые, а также иногда пластинкообразные кристаллы. На кристаллах обоих дымов были обнаружены ступени роста. В ряде случаев были отмечены сложные формы, образовавшиеся в результате взаимного прорастания кристаллов. Обнаруженные различия в габитусе кристаллов для обоих дымов могут представлять интерес для выяснения проблемы роста кристаллов. [c.157]

Разумный подход к проблемам роста кристаллов требует понимания терминов насыщение, пересыщение, мепгастабильное и лабильное пересыщение. Хорошо известно, что растворимость твердых веществ зависит от температуры раствора. Раствор, находящийся в контакте с избытком растворяемого вещества, в состоянии равновесия будет содержать при данной температуре определенное количество s растворенного вещества. Такой раствор называют насыщенным (з) по отношению к растворяемому веществу. Конечно, в действительности насыщенный раствор находится в динамическом равновесии с растворяемым веществом в избыток растворяемого вещества поступает в среднем такое же число -молекул из раствора, какое переходит в раствор. [c.192]

При увеличении концентрации полимера условия кристаллизации приближаются к условиям кристаллизации в расплаве. В связи с этим при рассмотрении кристаллизации из концентрированных растворов сталкиваются с обычными проблемами роста кристаллов типа бахромчатой мицеллы. Этой области исследований уделяли мало внимания. Результаты ряда экспериментов суммированы в конце разд. 6.2.1. Присутствие даже небольших количеств растворителя в полиэтилене при кристаллизации его под высоким давлением замедляет процесс распрямления цепей, проходящих сразу же после завершения кристаллизации (разд. 6.2.3), На основании этих данных можно сделать вывод, что перестройка ламелей из сложенных цепей в этих более благоприятных условиях для первичной кристаллизации является минимальной (см. также разд. 6.1.6). Часто окончательная длина складок в кристаллах, выросших из растворов, близка к ожидаемой длине молекулярных зародышей. [c.254]

Другой стороне проблемы роста кристаллов — практической, посвящены 4—7 главы монографии Р. А. Лодиза. Автор излагает здесь материал таким образом, чтобы вооружить читателя логикой выбора наиболее подходящего метода для выращивания нужного кристалла. В основе такой логики лежит физикохимическая сущность явлений роста, которая и сделана стержнем изложения. Р. А. Лодиз обсуждает все основные методы и методики выращивания — из расплавов, растворов и газовой фазы (в том числе с участием химических реакций), а также путем рекристаллизации в твердой фазе и полиморфных превращений. Изложение основных методов выращивания следует единой для всей книги схеме 1) физико-химические основы и общая характеристика метода, показания и противопоказания для его использования, 2) аппаратура, обычно в виде принципиальных схем и 3) способы получения конкретных кристаллов и их характеристики. Осуществляя эту схему, автор концентрирует внимание прежде всего на качественном описании явлений ростг кристалла и дает ориентировочные численные параметры процесса. Технологические приемы также увязываются с процессами роста и образования дефектов. Весь этот обширный, в известной степени энциклопедический материал изложен интересно, ясно, очень по-деловому и с большим педагогическим мастерством. Автор не стремится к скрупулезному описанию [c.6]

В настоящее время трудно определить, происходит ли образование зародышей лишь у различного рода нерегулярностей на поверхности подложки или, как считает Зейферт [12], ориентированные зародыши образуются на поверхности идеально гладкого совершенного кристалла. Этот вопрос является частью общей проблемы роста кристаллов. О большой роли различных поверхностных дефектов свидетельствует наличие декорирующего действия зародышей. Рассмотренный механизм декорирования для изучения структуры поверхности кристаллов состоит в том, что зародыши, образующиеся на поверхности у различного рода дефектов, с большой точностью воспроизводят ее топографию. При этом выявляются ступени скола, следы полос скольжения, дислокации и, по-видимому, дефекты упаковки [13]. [c.209]

Обзор, посвшценный приложениям методики автоэмиссионной микроскопии (электронных и ионных проекторов) к проблемам роста кристаллов, главньш образом к начальным стадиям роста, в том числе роста двумерных кристаллов. Кратко изложены основы техники эксперимента и интерпретации электронно- и ионно-оптических изображений в опытах с проекторами. Подробно обсуждены, следующие направления исследований рост и зарождение трехмерных кристаллов при конденсации из атомного пучка иа тугоплавком металле рост и растворение двумерных кристаллов одного переходного металла на другом, кинетика этих процессов и область равновесия между ними двумерные скопления, возникающие при конденсации на относительно холодной подложке двумерные и одномерные ассоциации, изучаемые в атомном масштабе (ионный проектор) кристаллические наросты как следствие одномерных перемещений — во всех этих случаях наряду с изложением фактов анализируется их достоверность с методической точки зрения. Кратко изложены применения проекторов к многослойньш кристаллическим образованиям нитевидным кристаллам, эпитаксиальньм наростам, электролитическим осадкам. [c.402]

Смотреть страницы где упоминается термин Проблемы роста кристаллов, изд-во Мир: [c.661] [c.329] [c.371] [c.529] [c.530] [c.531] [c.532] [c.532] [c.533] [c.533] [c.533] [c.533] [c.533] [c.533] [c.535] [c.178] [c.278] [c.267] [c.278] [c.279] [c.271] [c.17] [c.313]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология