Методика выращивания

Форма отчета. Отчет по работе должен содержать 1) обоснование и краткое описание методики выращивания кристаллов 2) результаты измерения типа проводимости 3) выводы. [c.90]

Определению растворимости различных форм диоксида кремния посвящено значительное число работ, накоплен большой объем экспериментальных данных, часто разрозненных и иногда даже противоречивых. Целесообразно в настоящем разделе ограничиться рассмотрением только того материала, который имеет непосредственное отношение к сложившейся методике выращивания кристаллов кварца различного назначения. [c.22]

Необходимо подчеркнуть, что температурный фактор играет решающую роль в процессе вырождения плоских поверхностей. Именно температурный барьер> вырождения быстрорастущих ( с , кс/с ) граней препятствовал освоению методики выращивания крупных однородных кристаллов на ранних стадиях разработки проблемы синтеза кварца. Поэтому для познания основных закономерностей, управляющих ростом качественных крис- [c.169]

Для получения монокристаллов граната, почти полностью ок-ращенных ванадием или хромом в зеленый цвет, может быть использован закрытый трубчатый контейнер. Методика выращивания монокристалла в таком контейнере заключается в следующем. [c.181]

Описываемые методы предназначены в основном для выращивания небольших, от долей миллиметра до 3—5 см, кристаллов, необходимых и достаточных для исследования их формы, физических свойств, особенностей их роста, строения и т. д. Эти же способы обычно служат основой для создания на их базе методик выращивания крупных промышленных кристаллов. [c.3]

СПОСОБЫ (МЕТОДЫ) И МЕТОДИКИ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ [c.70]

Поскольку для осуществления данного способа выращивания можно предложить целый ряд технических решений, то следует выделить отдельно техническое устройство (аппаратуру) для выращивания кристаллов. Методика выращивания зависит от выбранного метода и технического устройства и характеризуется [c.73]

Что касается механических систем, то наиболее серьезные сдвиги в этом плане произошли для методик выращивания кристаллов из высокотемпературных растворов. Здесь созданы разнообразные устройства, позволяющие плавно и с хорошей точностью изменять температуру растворов во времени, однако довольно громоздкие и дорогостоящие. Применение этих устройств для обслуживания низкотемпературных кристаллизаторов не всегда возможно и целесообразно. Поэтому ограничимся здесь описанием двух простейших вариантов механических автоматических систем, пригодных для интересующего нас случая. [c.168]

Выращивание кристаллов из пара обычно включает в себя транспортировку пара из зоны, содержащей твердое питающее вещество при температуре 1, ко второй зоне — зоне роста кристалла, имеющей температуру 2, причем последняя несколько ниже, чем tl, разность температур создает такое пересыщение, которое при соответствующем контроле может привести к образованию хороших зародышей кристаллов и обеспечить их дальнейший рост. Выращивание из паровой фазы для приготовления больших монокристаллов применяется гораздо реже, чем выращивание из расплавов и растворов. Поэтому экспериментальная методика выращивания кристаллов из пара не так хорошо разработана и, пожалуй, не так хорошо изучена, как методика выращивания из расплава или из раствора. Однако это не должно обескураживать экспериментатора, особенно потому, что именно из паровой фазы были получены почти совершенные органические кристаллы, практически свободные от дефектов [78]. Более того, благодаря возможности выращивания в вакууме или в атмосфере инертного газа при отсутствии жидких растворителей можно приготовить кристаллы, свободные от нелетучих примесей. [c.218]

Все методики выращивания кристаллов из расплава в общем преследуют одну цель регулировать температуру расплавленного вещества и градиенты температуры в нем таким образом, чтобы область кристаллизации была ограничена и чтобы, контролируя скорость кристаллизации, способствовать образованию монокристалла. Другими факторами, которые следует принимать во внимание, кроме температуры и ее распределения в расплаве, являются форма кристаллизатора, или тигля, как его обычно называют, скорость движения тигля относительно печи или печи относительно тигля и использование затравки, если она применяется. [c.225]

Действительно, когда обнаруживаются крупные кристаллиты, это дает основание полагать, что данное вещество должно достаточно легко образовывать монокристаллы при некотором усовершенствовании методики выращивания из расплава. Все остальные методы преследуют цель добиться контролируемого зарождения с тем, чтобы затравкой для последующего роста служил один или хотя бы несколько зародышей. Поэтому в подобных методах используется контролируемый температурный [c.175]

Для опытов со светом длины волны до 1200 А наиболее подходящим является кристаллический синтетический СаРг. Он немного тверже, меньше царапается и легче шлифуется, чем LiF. Фтористый литий прозрачен при более коротких длинах волн и используется вплоть до 1100 А. Пропускание синтетического LiF сильно колеблется в интервале коротких длин по-видимому, эти колебания связаны с неодинаковостью методик выращивания кристалла. Для каждого образца LiF необходимо проверять его пропускание. [c.600]

Прибор, описанный В. Ф. Парвовым [1964], обеспечивает динамический режим роста и возможность плавной регулировки скорости испарения растворителя. Заметим только, что на рисунке в этой статье водосборное кольцо имеет одинаковую высоту внутреннего и внешнего краев. Чтобы избежать перелива конденсата наружу, внутренний край кольца должен быть несколько ниже внешнего. Способ кристаллизации при регулируемом испарении растворителя, примененный для вещества с обратной зависимостью растворимости от температуры ( 2804 Н2О), описан В- И. Непомнящей и др. [1961]. Там же даны способ вращения кристалла при его росте, а также удобная методика выращивания кристаллов в формах. Нужно отметить, что добавление раствора в кристаллизатор, описанное в этой статье, переводит данный способ выращивания в число стационарных методов получения кристаллов. [c.87]

Для способа гарниссажа была предложена новая методика выращивания фианитов [106], химическую основу которых составляют диоксиды редких металлов — циркония и гафния, а в качестве стабилизирующих компонентов используются оксиды других элементов скандия, иттрия и редкоземельных элементов с высокими температурами плавления. [c.133]

Окиси кремния. Опубликованы обзоры, посвященные синтезу и исследованию свойств двуокиси кремния 489-498 g ряде работ даются методики выращивания кристаллов кварца Показано развитие производства плавленого кварца, начиная с 1839 г. Описан метод ускоренного определения Si02 ° . [c.604]

Таким образом, Рике установил воспроизводимость результатов Варбурга и Негелейна при точном соблюдении методики выращивания водорослей и при той же интенсивности света. Вассинк, Вермейлен, Реман и Катц [15] отметили другую особенность квантовые выходы, определенные согласно процедуре Варбурга и Негелейна, зависели от температуры,—они увеличивались от 0,11 до 0,20 при повышении температуры от О до 29 , [c.524]

Так, в работе [139, с. 395] описана методика выращивания маленьких кристаллов dS из реакционных растворов. Процессы такого рода обычно протекают при комнатных температурах. Исходными реагентами служили растворы d lj и тиоацетамида, pH реакционного раствора составляло 1—1,5, кристаллы осаждали на нитях из терилена, предварительно покрытых слоем dS. За четыре дня были получены наибольшие кристаллы гексагонального dS диаметром до 400 мкм. [c.52]

Выращивание кристаллов КТН проводили по методу Чох-ральского с индукционным нагревом расплава. Методика выращивания во многом аналогична методике получения кристаллов метаниобата лития [6]. Регулирование температуры производили при помощи ручного управления терморегулятора типа Редмет-201М . Стабильность работы генератора контролировали по электромагнитной индукции, наведенной в катушке, помещенной между волноводами индуктора. Для увеличения чувствительности метода часть эдс компенсировали напряжением от батареи постоянного тока- При необходи- [c.305]

Другой стороне проблемы роста кристаллов — практической, посвящены 4—7 главы монографии Р. А. Лодиза. Автор излагает здесь материал таким образом, чтобы вооружить читателя логикой выбора наиболее подходящего метода для выращивания нужного кристалла. В основе такой логики лежит физикохимическая сущность явлений роста, которая и сделана стержнем изложения. Р. А. Лодиз обсуждает все основные методы и методики выращивания — из расплавов, растворов и газовой фазы (в том числе с участием химических реакций), а также путем рекристаллизации в твердой фазе и полиморфных превращений. Изложение основных методов выращивания следует единой для всей книги схеме 1) физико-химические основы и общая характеристика метода, показания и противопоказания для его использования, 2) аппаратура, обычно в виде принципиальных схем и 3) способы получения конкретных кристаллов и их характеристики. Осуществляя эту схему, автор концентрирует внимание прежде всего на качественном описании явлений ростг кристалла и дает ориентировочные численные параметры процесса. Технологические приемы также увязываются с процессами роста и образования дефектов. Весь этот обширный, в известной степени энциклопедический материал изложен интересно, ясно, очень по-деловому и с большим педагогическим мастерством. Автор не стремится к скрупулезному описанию [c.6]

Одним из последних крупных успехов метода вытягивания явилось выращивание материалов с температурами плавления выше 2000 °С, осуществленное Ф. Р. Чарватом и его сотрудниками. В настоящее время разработаны стандартные методики выращивания и сапфира (Гпл = 2015°С), и иттрий-алюминие-вого граната (Гпл= 1970°С) [73—75]. Для нагрева иридиевых тиглей используется как индукционный нагрев, так и нагрев кислородно-водородным пламенем. Рабин и Ван Ютерт [41] недавно показали, что срок службы иридиевых тиглей заметно [c.218]

Совершенство кристаллов, выращенных в гидротермальных условиях, подробно не изучалось, но можно привести некоторые имеющие общее значение результаты, полученные при выращивании кварца. Во-первых, гидротермальное выращивание — идеальный метод получения низкотемпературных полиморфных модификаций. Если при высокой температуре устойчива нежелательная полиморфная модификация, то иногда можно, получив ее одной из общепринятых методик выращивания (из расплава, из газовой фазы, из раствора в расплаве и т. д.), прийти затем к нужной фазе путем рекристаллизации в твердом состоянии. Но, как мы видели в гл. 4, превращение в твердом состоянии часто приводит к образованию политипных модификаций, дефектов упаковки, малоугловых границ зерен и к росту поликристаллов. При гидротермальном методе эти проблемы отпадают, поскольку непосредственно кристаллизуется нужная фаза. Так, для а-кварца это наиболее совершенный метод получения. Однако рост должен происходить при температуре ниже 573 °С, температуры перехода а-кварца в р-кварц. При выращивании в области более высоких температур получают другие модификации, такие, как крнстобалит и тридимит. [c.304]

Развитие определённых микрограней при окислительном воздействии на металлы. Гуотмэем и Бентоном была разработана методика выращивания монокристаллов с получением и полировкой граней, параллельных естественным граням кристалла Процесс окончательной полировки заключается в анодной обработке в растворе фосфорной кислоты. Как утверждают авторы, при этом получается полированная поверхность, свободная от аморфного или напряжённого поверхностного слоя. При поверхностном окислении сферического монокристалла в воздухе , на нём образуются чрезвычайно живописные узоры, напоминающие фигуры травления (см. стр. 306). Они состоит из мельчайших граней, главные из которых параллельны плоскостям (По) и (111). Эти грани проявляются также и в водородно-кислородной смеси, причём по мере их проявления возрастает каталитическая активность поверхности по отношению к реакции [c.527]

Как указывалось выше, ориентированная кристаллизация играет существенную роль в разнообразных физических явлениях и процессах. С ориентированной кристаллизацией связаны пробле.мы модифицирования сплавов, объемных превращений, фотолиза, окисления, искусственного обезвоживания облаков и туманов, гетерогенного катализа, образования сложных органических молекул и белковых тел, генезиса минералов и многие другие. В настоящей главе рассматриваются некоторые приложения этого явления, непосредственно связанные с ориентированной кристаллизацией. Наиболее очевидным из них является пол чение монокристальных пленок для нх исследования и практического использования в разнообразных приборах, а также для выращивания крупных монокристаллов. Примерами последнего являются методы Фишфойгта и Корефа [1] выращивания монокристальных проволочек различных металлов на вольфрамовой нити и метод Веста [2] получения больших кристаллов галоидных солей с определенной ориентацией на слюде, а также методика выращивания монокристаллов окиси меди на меди [3]. [c.366]

Методика выращивания монокристаллов ферритов из растворов-расплавов. Спонтанная кристаллизация. Смесь оксидов растворителя и кристаллизуемого вещества расплав ляют в платиновом тигле и после выдержки при температуре, превышающей на 50—100°С температуру насыщения, в течение времени, за которое происходит растворение и гомогенизаци5 раствора-расплава, охлаждают со скоростью 0,5—10°С/ч. Прп охлаждении в пересыщенном растворе-расплаве спонтанно зарождаются и растут кристаллы. Выросшие кристаллы от затвердевшего раствора-расплава отделяют путем длительного кипячения тигля с раствором-расплавом в водных растворах кислот. Размер и качество кристаллов в значительной степени зависят от оптимального соотношения таких факторов, как программа охлаждения и распределение температуры в кристаллизаторе, испарение раствора-расплава, размер и форма кристаллизатора, перемешивание раствора-расплава и др. Все эти факторы действуют в совокупности, и в каждом конкретном случае режимы спонтанной кристаллизации подбираются экспериментально. [c.154]

Для того чтобы совместить чистоту бестигельного метода и возможность контроля структурного совершенства монокристаллов, вытягиваемых по методу Чохральского, были предложены различные варианты вытягивания из капли или нз лужи . Используя установку для бестигельной зонной плавки (рис. 6.10, в), закрепим на нижнем штоке 1 слиток 2, например, кремния, достаточно большого диаметра и оплавим его верхний конец на такую глубину, чтобы расплав 3 удерживался силами поверхностного натяжения. К верхнему шкоту 5, снабженному механизмом вытягивания, крепится монокристаллическая затравка 4. Применяя методику выращивания бесдислокационных кристаллов, можно выращивать монокристаллы небольшого диаметра, обладающие высокой чистотой и структурным совершенством. По мере вытягивания необходимо постепенно подавать заготовку в зону нагрева с такой скоростью, чтобы объем расплава оставался постоянным. Подбор скорости введения слитка в зону расплавления является наиболее трудной операцией. [c.304]

Методика выращивания проростков кукурузы (сорт Краснодарская 1/49 ) и приготовления 7-миллиметровых отрезков колеоптилей описаны ранее (Полевой, Гамбург, 1959). В опытах с ме-зокотилями кукурузы использовались отрезки длиной 10 мм из зоны, лежащей на 1—2 мм ниже узла проростка. В качестве ауксина использовали метиловый эфир ИУК (мИУК) в концентрациях 5 мг/л (для отрезков колеоптилей) и 2 мг/л (для мезокотилей). Данные концентрации ауксина являются оптимальными для роста отрезков в длину. Инкубационной средой служила дистиллированная вода. Слабогипертоническая среда создавалась 0,45 М раствором маннита, причем отрезки кукурузы в этом случае предварительно в течение 30 мин. выдерживались в растворе 0,45 М маннита без ауксина. Инкубацию проводили в чашках Петри в темноте при 20° С. Прирост отрезков в длину измеряли при увеличении в 16 раз при помощи аппарата для чтения микрофильмов. [c.160]

Исследования параметров переменной задержки, проведенные на образцах, полученных в разных экспериментах, показали, что использованная методика выращивания обеспечивает воспроизводимое получение монокристаллов галлийзамещенных феррогранатов иттрия для построения магнитоупругих линий задержки дециметрового диапазона, не уступающих по параметрам линиям на висмут-кальций-вана-диевом гранате [6]. [c.58]

Борат железа РеВОз, впервые полученный авторами работы [1], относится к классу антиферромагнетиков со слабым ферромагнетизмом типа легкая плоскость . Монокристаллы РеВОз принадлежат к тригональной сингонии и обладают довольно хорошей оптической прозрачностью в видимом и инфракрасном диапазонах, большим внутренним фарадеевы.м вращением и сравнительно узкой шириной линии феррол1аг-нитного резонанса. Некоторые магнитные, оптические и СВЧ свойства бората железа уже исследовались ранее [2—4]. В настоящей работе приводятся результаты экспериментов по дальнейшему исследованию РеВОз, а также данные по методике выращивания и морфологические особенности бората железа. [c.157]

Методика выращивания монокристаллов и регистрации спектров ЭПР изложена в [12]. Как показано ранее [8, 9, 12, 13], при низкотемпературном радиолизе ДМГ и ДМГ-0,0-с12 помимо изолированных N-oки ныx радикалов образуются несколько типов пар К-окисных радикалов. На рис. 1 приведена проекция элементарной ячейки монокристалла ДМГ. Для характеристики структуры радикальной пары достаточно указать две цифры, обозначающие связи с неспаренными электронами. Например, пара типа 2—6 — это пара, у которой неспаренные электроны делокализованы на связях 2 и 6. Образую- [c.213]

Лабораторная методика получения и отчет по отработке методики выращивания оптически одаородных монокристаллов о( емом не менее 1 см. П.я. А-7815, 1967г. [c.41]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология