Действие жесткого излучения

Ядерные реакции и действие жестких излучений на атомы и кристаллическую структуру изменяют химический состав и вызывают иногда разрушение кристаллической решетки. Все минералы, в состав которых входят и и ТЬ, содержат повышенное количество РЬ и Не, которые образовались в результате радиоактивного распада, например, РЬ-Ь8 Не. Количе- [c.35]

Эта энергия может быть получена самыми разнообразными путями нагреванием системы, в которой находятся рассматриваемые атомы за счет перераспределения энергии между частицами (термическое возбуждение) в результате поглощения атомами соответствующих квантов электромагнитного излучения (фотовозбуждение) или действия жестких излучений — рентгеновского или гам-ма-излучения, а также воздействия быстрых частиц — р- или а-частиц (возникающих при радиоактивном распаде), электронов, протонов, позитронов, разогнанных до больших скоростей в специальных ускорителях. Возбужденные состояния атомов играют особенно [c.52]

Эта энергия может быть получена самыми разнообразными путями нагреванием системы, в которой находятся рассматриваемые атомы за счет перераспределения энергии между частицами (термическое возбуждение) в результате поглощения атомами соответствующих квантов электромагнитного излучения (фотовозбуждение), или действия жестких излучений — рентгеновского или гамма-излучения, а также воздействия быстрых частиц — или а-частиц (возникающих при радиоактивном распаде), электронов, протонов, позитронов, разогнанных до больших скоростей в специальных ускорителях. Возбужденные состояния атомов играют особенно большую роль в химических процессах, протекающих под действием света (фотохимических процессах) и под действием проникающей радиации (радиационно-химических процессах). [c.47]

Здесь мы не будем останавливаться на крекинге предельных углеводородных газов в электрическом разряде и под действием жестких излучений, о чем будет кратко упомянуто в следующем разделе. [c.52]

Время экспозиции зависит от чувствительности эмульсии. При большой продолжительности экспозиции (более 2 недель) может сказаться влияние регрессии изображения (исчезновение скрытого изображения со временем), а также образование вуали, получающейся при действии жесткого излучения и химического взаимодействия с веществом подкладки. Поэтому в случае длительных экспозиций рекомендуется помещать объект и пленку в вакуум или в атмосферу инертного газа. Пленку следует изолировать от влияния материала кассеты прокладками. [c.100]

ДЕЙСТВИЕ ЖЕСТКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ [c.175]

Получение полимерных покрытий полимеризацией мономеров в тонком слое на подложке — сравнительно новое направление лакокрасочной технологии, получившее развитие с появлением генераторов жесткого излучения достаточной мощности (быстрых электронов, рентгеновских лучей, УФ-излучения и др.). Полимеризация мономеров на подложке возможна с применением химических инициаторов, но под действием жесткого излучения она протекает в течение секунд и даже долей секунд. Кроме мономеров при этом способе получения покрытий пленкообразующей системой могут служить смеси мономеров с олигомерами. [c.180]

Здесь следует также указать па возможность крекинга предельных газов под действием жестких излучений бомбардировки атомными остатками и ускоро 1пыми элементарными частицами и облучения у-лу-чами. В связи с расширением источников жестких излучений исс,ледование подобных процессов приобретает также известный практический интерес. Одной из существенных проблем является установление условий, при которых продукты крекинга не дают не затухающих быстро вторичных излучений. Представляет интерес также выяснение химического влияния па протекание крекинга нестабильных атомоподобных образований тина .-мезоатомов, открытых в недавнее время. Время жизни, например, мезоатомов, в которых электрон заменен отрицательным х-мезоном, составляет сек., т. е. близко по величине к времени жизни радикалов, играющих основную роль нри крекинге. [c.55]

Микродефекты типа Шоттки возникают в решетке вследствие миграции ионов к поверхности кристалла, где они образуют новые слои. Такой механизм был назван Я- И. Френкелем процессом растворения в кристалле окружающей пустоты. Выполненные за последние годы экспериментальные исследования изменения параметров решетки под действием рентгеновых лучей убедительно доказывают, что образование микродефектов под действием жесткого излучения действительно происходит по указанному вьш1е механизму. [c.100]

Исследование изменений, возникающих в спектрах активированных щелочно-галоидных кристаллов под действием жесткого излучения, открывает некоторые возможности изучения ряда актуальных проблем физики люминесценции кристаллофосфоров. Этот метод, примененный нами для изучения целого ряда крис-таллофос( юров [24 —250, 261, 272, 275—282], позволяет получить принципиально новые данные о механизме электронных процессов в кристаллофосфорах. [c.166]

Под действием рентгеновых и у-лучей спектры поглощения щелочно-галоидных фосфоров испытывают сильные изменения Кроме известных полос в видимой области, обусловленных обыч ными центрами окраски, возникает ряд новых полос, преимущест венно в ультрафиолетовой области, обусловленных активаторны ми центрами, но видоизмененными действием жесткого излучения [c.166]

Так, в спектре поглощения фосфора КС1—Ag возникают под действием рентгеновых лучей две группы полос (рис. 65 и 66), несомненно обусловленных активатором, так как в чистых кристаллах КС1 они совершенно отсутствуют. Первая группа состоит из трех максимумов 222, 235 и 260 тц, причем в отличие от других полос они возникают только под действием жесткого излучения и не образуются, например, при аддитивном окрашивании фосфора. Это обстоятельство, а также сопоставление спектров поглощения ионов серебра в газообразном и гидратированном состояниях со спектрами щелочно-галоидных фосфоров с серебром до и после их рентгенизации (табл. 22) позволяет заключить, что упомянутая группа полос обусловлена поглощением ионов серебра, уровни которых испытали некоторое смещение в результате облучения фосфора рентгеновыми лучами. Подобное смещение может [c.166]

Даже после облучения щелочно-галоидных фосфоров рентгеновыми лучами в кристалле не обнаруживается активаторных центров, ионизованных действием жесткого излучения. После рентгенизации в спектрах поглощения щелочно-галоидных фосфоров, активированных ионами Sn++, Ni++, Pb++, Ag+, u+ и In+, возникают новые полосы поглощения, а в ряде случаев соответственно новые центры свечения. Проведенные нами исследования спектров поглощения и люминесценции, обесцвечивающего действия монохроматического света и других свойств центров поглощения и свечения, возникающих в щелочно-галоидных фосфорах под действием жесткого излучения, показывают, что новые центры возникают вследствие захвата ионами активатора свободных электронов и превращения ионных центров активатора в атомарные центры. [c.241]

Измерения больших доз излучения производят преимущественно при помощи пластмасс, поскольку в их состав входят элементы с малыми порядковыми номерами и благодаря чему они обладают желаемым воздушным эквивалентом. Под действием жесткого излучения изменяются их механические, электрические и оптические свойства. Так как эти изменения становятся заметными придозахы больших чем 10 р, пластмассовые дозиметры используются в поле особенно больших мощностей дозы. Физико-химические процессы, происходящие в облучаемых пластмассах, очень сложны. Как правило, вначале происходит возбуждение или ионизация, которая в конне [c.399]

Заметим, что количественное исследование этого явления могло бы, повидимому, дать немало полезного материала для изучения явлений, представляющих интерес в теории окрашивания криста длов под действием жесткого излучения (см. например, статью Г. Ф. Друкарева [24])- [c.56]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология