Дефекты вследствие миграции

Какова роль микроструктуры жидкостей в миграции энергии возбуждения Каковы особенности микроструктуры жидкости и растворов в окрестности возбужденных молекул Если 3 жидкости имеется достаточно высокий ближний порядок, то зарождение экситона и его расползание на область ближнего порядка будут возможны, однако настоящий свободный экситон тут возникнуть не сможет вследствие большого числа дефектов. В окрестности экситона, который локализован на нескольких молекулах в жидкости, за счет резонансных сил ближний порядок может существенно повышаться и при этом происходит защита экситона от тушащих тепловых соударений. Тем самым система противостоит размену энергии на фононы. Именно такой случай специфичен для жидкостей. Возможен ли при этом экситонный механизм Да, возможен. [c.135]

Полученные конформационные изменения при термообработке ненапряженного образца объяснялись [25—27] ростом относительной длины (первоначально) вытянутых проходных цепных сегментов вследствие миграции дефектов из кристаллических блоков. Число правильных укладок цепей при этом также возрастает. По-видимому, сокращение нити должно зависеть от числа складок. Структурные изменения в процессе термообработки механически стабильны, и их не просто обратить с помощью напряжения растяжения. На рис. 7.18 дано модельное представление конформационных изменений при термообработке [4, 5]. Из-за миграции дефектов при термообработке растянутого образца происходит релаксация локаль- [c.211]

Замораживание дефектов . Предположение о возможности замораживания дефектов основывается на том факте, что для установления равновесной концентрации дефектов требуется определенный период времени. Таким образом, если кристалл охлаждается, то дефекты решетки должны непрерывно исчезать. Дефекты по Френкелю будут исчезать в результате рекомбинации вакансий и межузельных атомов, а дефекты по Шоттки — вследствие миграции вакансий к поверхности кристалла и границам зерен. Как показано [25], влияние этого эффекта на обычную низкотемпературную проводимость чистого кристалла незначительно. [c.284]

Активационная теория самодиффузии в плотных кристаллических и аморфных средах исходит из положения, что в кристаллической решетке вследствие теплового движения происходит непрерывное перераспределение дефектов структуры (вакансий). Движение вакансий эквивалентно миграции частиц. Перенос массы возможен при одновременном соблюдении двух условий возникновении вакансии и достижении достаточно большой энергии колебаний частицы около положения равновесия. Если энергия колебаний велика или размеры частицы незначительны (водород, азот, углерод) возможна их миграция в междоузлиях решетки, что имеет место в металлических мембранах. В твердых растворах замешения движение частиц может происходить не только за счет вакансий, но и в результате обмена с соседними частицами. В матрицах аморфной структуры роль вакансий играют микрополости или дырки . [c.77]

Однако такие соединения, присутствующие в растворе в виде крупных мицелл или макромолекул, будучи хорошими стабилизаторами суспензий, эмульсий и пен, не могут служить диспергаторами, так как в соответствии с размерами их частичек проникновение в поверхностные дефекты (устья микротрещин) затруднено и кинетика их адсорбции, как и обычные диффузии и миграции по поверхностям, сильно замедлена. Вместе с тем поверхностная активность таких веществ сравнительно мала вследствие более симметричного распределения полярных и неполярных групп в крупных частичках. [c.70]

Кроме возникновения структурно-механического барьера для сближения частиц — гелеобразной защитной оболочки, важное условие стабилизации состоит в том, чтобы наружная поверхность такой оболочки была гидрофильной и при этом не могло бы произойти агрегирование наружными поверхностями этих оболочек (вторичная коагуляция). Именно таков механизм действия сильных стабилизаторов суспензий, эмульсии и пен, обеспечивающих практически предельную стабилизацию — полную агрегативную устойчивость таких лиофобных систем. Стабилизаторы могут быть и сравнительно слабо поверхностно-активными веществами — уже при слабой адсорбции они могут образовывать сильно структурированные защитные оболочки. Примером служат глюкозиды (сапонин), полисахариды, высокомолекулярные соединения типа белков. Однако такие соединения, присутствующие в растворе в виде крупных мицелл или макромолекул, являясь хорошими стабилизаторами суспензий, эмульсий и пен, не могут быть диспергаторами, так как в соответствии с размерами их частиц проникновение в поверхностные дефекты (устья микротрещин) затруднено и кинетика их адсорбции, как и обычные диффузии и миграции по поверхностям, сильно замедлена. Вместе с тем поверхностная активность таких веществ сравнительно мала вследствие более симметричного распределения полярных и неполярных групп в крупных частицах. [c.23]

Поверхностно-активные вещества, находящиеся в состоянии непрерывного теплового движения, достигают поверхности твердого тела, адсорбируются на ней, вызывая тем самым уменьшение поверхностной энергии. Новые поверхности раздела образуются в местах дефектов структуры твердого тела, а понижение поверхностной энергии вызывается тем, что эти поверхности в момент образования покрываются адсорбционными слоями поверхностно-активных веществ в результате поверхностной миграции их молекул или ионов. При этом силы молекулярного притяжения на вновь образующихся поверхностях деформируемого тела уменьшаются вследствие заполнения таких поверхностей тонким (адсорбционным) слоем внешней (жидкой) среды. [c.106]

Следует отметить, что в формулах (6.46) и (6.49) энергии и и т, вообще говоря, зависят от температуры и = и Т)] хц = т(Т). Причиной такой зависимости может быть, например, тепловое расширение кристалла. Действительно, при тепловом расширении вследствие увеличения межатомных расстояний силы взаимодействия между ионами ослабевают, так что образование дефектов и их миграция требуют уже меньших затрат энергии. Это обстоятельство легко учесть, если предположить, что энергии образования и миграции дефектов зависят от межатомного расстояния Го (Г) при данной температуре и что эта зависимость может быть описана формулой, аналогичной формуле Борна — Ланде для энергии отталкивания ионов в решетках ионных кристаллов [c.182]

Так как мононити из полипропилена подвергали трехкратному растяжению (ориентации), в поверхностном молекулярном слое должны образовываться дефекты (рис. 53, в). Вследствие этого антистатические свойства будут ухудшаться. Восстановление антистатических свойств после промывания должно замедляться ввиду по вышения кристаллизации и уменьшения скорости диффузии антистатика. Однако антистатические свойства полипропиленовых мононитей хорошие после ориентации (прядения) и стирки (табл. 41). Скорость восстановления Ря и очень высока. Причину этого авторы [263] объясняют следуюш,им образом. Под влиянием ориентации степень кристалличности полипропилена увеличивается и совместимость антистатика с полимером ухудшается. Вследствие этого усиливается миграция антистатика из объема полимера к поверхности. [c.143]

Иная картина имеет место при распространении галлия по свободной поверхности цинка. Здесь, несмотря на очень высокую активность галлия по отношению к цинку (более высокую, по-видимому, чем для ртути, ср. гл. IV, 1), т. е. несмотря на то, что Ozn-Ga < 6zn-Hg, разность zn — (зоа + ozn-Ga) оказывается отрицательной вследствие высокого значения поверхностного натяжения жидкого галлия а а (почти на 3-10 эрг/см больше, чем у ртути). Капля образует на поверхности цинка конечный краевой угол, и распространение галлия оказывается возможным лишь путем нерегулярной диффузии — миграции по свободной поверхности, границам зерен и другим дефектам структуры (т. е. значительно медленнее и но иному закону, чем для ртути). Подчеркнем, однако, что и в этом случае регулярная объемная диффузия ввиду малой ее скорости не может служить решающим фактором, обусловливающим распространение галлия вдоль образца напротив, она тормозит этот процесс, поскольку адсорбционные слои, движущиеся вдоль свободной поверхности и по границам зерен, поглощаются объемом зерен. [c.272]

Заметим, однако, что по мере адсорбции эта неоднородность в известной мере сглаживается. Действительно, появление акцепторных форм связи на акцепторном участке (участок / на рис. 52) приводит к снижению уровня Ферми, а донорных форм на донорном участке (участок II на рис. 52), наоборот, к его повышению, в результате чего энергетические зоны до некоторой степени спрямляются. Неоднородность в известной мере сглаживается и при повышении температуры вследствие возникающей миграции дефектов и уравнивания их концентраций. [c.155]

Любое воздействие на металл, приводящее к увеличению в нем дефектов кристаллического строения (нарушения периодичности решетки), при-вод гг к увеличению электрического сопротивления. Наряду с деформацией такими воздействиями являются закалка от высоких температур, облучение частицами высоких энергий. Отжиг деформированного, закаленного или облученного металла приводит к снижению электросопротивления вследствие частичного устранения дефектов решетки. Как правило, при температурах отжига, соответствующих температуре рекристаллизации, электросопротивление становится приблизительно равным исходному. Падение избыточного сопротивления, обусловленного наличием в металле дефектов решетки, начинается уже при низких температурах. Характерно, что падение сопротивления происходит неравномерно, при некоторых температурах оно идет быстрее. Различные стадии возврата электросопротивления соответствуют исчезновению вследствие миграции дефектов различных типов. Измерение кривых возврата электросопротивления является хорошим средством изучения дефеюгов кристаллического строения и их поведения - миграции, аннигшгяции, образования комплексов и скоплений дефектов. [c.58]

П.к. протекает по электрохим. механизму (см. Коррозия металлов). Линейная скорость углубления питтинга при стабилизировавшейся П.к. металла М может достигать 10-10 мм/год. Это обусловлено тем, что в питтинге локализуется анодная р-ция М = М -Ь ге (z-зарядовое число иона), а катодная р-ция чаще всего протекает в намного большей по размерам зоне пов-сти вокруг питтинга, если защитный слой достаточно электропроводен. Таким св-вом обладают мн. пассивирующие слои (см. Пассивность металлов), окалина, возникающая при высокотемпературной газовой коррозии, катодные металлич. покрьггия и др. Наиб, специфична по своему механизму П.К. пассивных металлов, обычно связанная с воздействием того или иного активирующего аниона А (СГ, Вг", NS, SOj, СЮ и др.) на активные центры пассивирующего слоя (дефекты). Такие центры периодически выходят на пассивную пов-сть по мере ее растворения, образуя участки с кратковременно повыш. локальной скоростью растворения, к-рые могут стать зародышами питтингов. В водных и мн. водно-орг. средах превращение зародыша в устойчиво развивающи я питтинг обычно происходит при условии, что потенциал коррозии металла превышает нек-рое значение, наз. критич. потенциалом питтингообразования (миним. потенциал П.к.). Для металла, потенциал коррозии к-рого находится в пассивной или активной области (Я, р илн соотв., рис. 1) (см. Анодное растворение), при достижении происходит резкий рост анодного тока растворения. Вероятность развития зародыша питтинга превышает вероятность его гибели (репассиваций) вследствие того, что вблизи активных центров из-за ускоренного миграц. подвода анионов-активаторов А повышена их локальная концентрация в р-ре, а на самих центрах соотв. адсорбция. В результате при Е , пасси- [c.547]

Температура активации. Широко известно, что даже окиси металлов, являющиеся наиболее тугоплавкими веществами, могут "терять каталитические свойства при высоких температурах каталитических реакций. При этом необходимо различать два взаимосвязанных случая а) потеря воды решеткой б) миграция ионов ме-та.лла и кислорода, выражающаяся в таких изменениях структуры, как уменьшение поверхности, потеря дефектов и даже изменение внешнего вида катализатора. В то время как для б в отсутствии воды требуется приблизительно температура Тамманна [210] (0,52 X т. пл. в °К), процесс а проходит при более низкой, но менее определенной температуре. Кроме того, исследования, проведенные с рядом окисно-алюминиевых катализаторов, показывают, что процесс б настолько ускоряется присутствием паров воды при высоком содержании ОН-ионов в катализаторе), что его становится трудно провести при 300—400° С. В некоторых опытах не делалось четкого различия дгежду потерей активности при перегреве, происходящей вследствие уменьшения поверхности, и потерей активности, вызванной уменьшением содержания воды ниже оптимального значения (этот вопрос обсуждается в другом разделе). [c.170]

Реакции металлов с электроотрицательными элементами, например с кислородом, серой и галогенами, были одними из первых объяснены на основании представлений о миграции дефектов решетки. При изучении этих реакций рассматривается образование компактного слоя окисла или соли МеХ между двумя реагирующими веществами (рис. 12). Требуется выяснить, происходит ли реакция вследствие того, что вещество X проходит через МеХ и реагирует с Ме на поверхности раздела А В или же Ме проходит через МеХ и реагирует с X на поверхности СО. В первую очередь мы должны отметить, что поскольку Ме и X могут передвигаться в ионном кристалле только в виде ионов, то при любом из этих процессов должен иметь место перенос как ионов, так и электронов. Поэтому реакция на границе фаз не может протекать, если МеХ является изолятором. Однако для того чтобы решить, какой процесс (перенос катионов или анионов) имеет место, не нужно рассматривать движение элек- [c.73]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология