Излучение вторичное

Да означает, что обработанный образец может непосредственно вводиться в хроматограф. При использовании флуориметрического детектора Х1 соответствует максимуму возбуждения (первичная), а Ъ — максимуму эмиссионного излучения (вторичная). [c.71]

Если излучение вторичного фотона задерживается на 10" с и больше по отношению к поглощению возбуждающего фотона, т. е. если эмиссия продолжается известное время и по окончании облучения, то это явление называется фосфоресценцией. [c.168]

Согласно современной теории света, всякая точка среды, которой достиг фронт световой волны, становится источником излучения вторичных волн. Вторичные волны, посылаемые различными точками среды, интерферируют между собой, обусловливая ту или иную картину распределения интенсивности светового потока в пространстве. [c.29]

Ниже приведены времена высвечивания компонент (т и т ) и их интенсивности (/ и 1 ) для -излучения (вторичные электроны) и протонов [9] [c.244]

Детектор Si(Li), охлаждаемый жидким азотом, 8 различных ориентаций мишени из пиролитического графита для поляризации рентгеновского излучения, вторичные фильтры. [c.184]

При изучении электрохимии радиоактивных веществ прежде всего следует иметь в виду, что в случае больших интенсивностей излучения вторичные реакции, вызываемые действием последнего на окружающую среду (растворитель, электрод), могут довольно сильно влиять на течение электрохимического процесса. Ввиду очень большой сложности возникающей картины мы не будем останавливаться на этом случае, тем более, что при подобных исследованиях приходится иметь дело большей частью с сильно разбавленными системами, радиоактивность которых слишком мала, чтобы дать заметный радиационно-химический эффект. [c.496]

Предлагаемая методика контроля трехслойных конструкций при помоши измерения энергии волны, отраженной от клеевой прослойки, имеет еще одно преимущество позволяет использовать поляризационный метод контроля изделий. Как мы уже говорили выше, существование неоднородности в контролируемой среде может быть обусловлено существованием источника излучения вторичных волн. Этот источник можно найти с помощью векторов Герца П, связанного с вектором поляризации Р, создаваемым падающей волной в среде с неоднородностями диэлектрической проницаемости [113, с. 254]. В каждой точке контролируемого участка диэлектрическая проницаемость характеризуется величиной отклонения Ле от среднего значения. Изменение значения вектора Герца определяется формулой [113, с. 255] [c.177]

Тогда можно найти источник излучения вторичных волн [c.178]

При использовании схемы Пфунда с плоской дифракционной решеткой в автоколлимации дифрагированное излучение, вторично отразившись от плоского зеркала, вновь направляется на вогнутое зеркало (рис. 61, а). Но при этом часть лучей, дважды отраженных плоским зеркалом, может снова попасть на решетку, в результате чего в фокальной плоскости вогнутого зеркала одновременно наблюдаются два спектра, получающиеся при первом и втором падении света на решетку. [c.165]

Понятие таких терминов, как непосредственное ионизирующее излучение, косвенное ионизирующее излучение, первичное ионизирующее излучение, вторичное ионизирующее излучение даны также в ГОСТ 15484—81. [c.156]

Прежде всего первый член в уравнении (41) —лишь приближенный. Он был выведен теоретически Крамерсом [114] для упрощенных условий, которые не учитывали ни эффекта поглощения, ни возбуждения поглощенным излучением вторичных рентгеновских лучей. Вследствие фильтрации, связанной с поглощением, максимум интенсивности кривой б на рис. 3 сдвинут в коротковолновую сторону от значения —- . В случае кривой а сдвиг по [c.114]

В отличие от фотохимических реакций возникающие под действием радиации вещества, подвержены дальнейшему действию излучений. Вторичные процессы в радиационно-химических реакциях могут быть процессами взаимодействия возникающих в [c.318]

При фотохимических реакциях вторичные процессы являются в большинстве случаев чисто химическими (реакциями радикалов). В отличие от фотохимических реакций вещества, возникающие под действием радиации, подвержены дальнейшему действию излучений. Вторичные процессы в радиационно-химических реакциях могут быть кроме химических процессами взаимодействия с веществом возникающих в первичном акте электронов, ядер отдачи или квантов, обладающих меньшей энергией. [c.328]

Так как энергия частиц, применяемых в радиационной химии, во много раз превосходит энергию квантовых уровней валентных электронов веществ — участников химической реакции, то в отличие от фотохимических процессов первичный акт взаимодействия излучений большой энергии с веществом не носит избирательного характера. Этот первичный акт взаимодействия излучений большой энергии с веществом приводит обычно к ионизации вещества и возникновению свободных радикалов. Поглощение ионизирующих излучений зависит от порядкового номера поглощающего элемента. Первичные продукты взаимодействия образуются вдоль путей ионизирующих частиц, причем ионизация возрастает к концу пути частиц и зависит от их природы и массы. В фотохимических реакциях вторичные процессы являются в большинстве случаев чисто химическими (реакциями радикалов). В отличие от веществ, получающихся в результате фотохимических реакций, вещества, возникающие под действием радиации большой энергии, подвержены дальнейшему воздействию излучений. Вторичные процессы в радиационно-химических процессах могут быть процессами взаимодействия возникающих в первичном акте электронов, ядер отдачи или квантов меньшей энергии с веществом. [c.243]

При этих измерениях определяли интенсивность рассеянного излучения Мп/С, что позволяло оценить его долю в излучении вторичного источника. В качестве примера на рис. 46 приведен амплитудный спектр для мишени из фосфора. [c.138]

На это же указывает широко распространенное явление вторичного излучения, возникающего при облучении соответствующих субстратов источниками митогенетического излучения. Вторичное излучение распро- [c.26]

Растровая (сканирующая) микроскопия. В растровых электронных микроскопах (РЭМ рис. 2) электронный луч, сжатый магн. линзами в тонкий (1-10 нм) зонд, сканирует пов-сть образца, формируя на ней растр из неск. тыс. параллельных линий. Возникающее при электронной бомбардировке пов-сги вторичные излучения (вторичная эмиссия электронов, оже-электронная эмиссия и др.) регистрируются разл. детекторами и преобразуются в видеосигаалы, модулирующие электронный луч в ЭЛТ. Развертки лучей в колонне РЭМ и в ЭЛТ синхронны, поэтому на экране ЭЛТ появляется изображение, представляющее собой картину распределения интенсивности одного из вторичных излучений по сканируемой [c.440]

Толное полусферическое излучение вторичного излучателя определяется из уравнения [c.68]

Анализ показывает, что из 84 стабильных и долгоживущих естественных радиоактивных (и и ТЬ) элементов с помощью активации тепловыми нейтронами сравнительно просто и с высокой чувствительностью можно обнаружить и количественно определить 74 элемента. Вследствие неблагоприятного сочетания ряда факторов активационный анализ на тепловых нейтронах мало пригоден для 10 самых легких элементов (Н, Не, Ы, Ве, В, С, N. О, Р, Ые). Эти элементы, кроме Ы и В, имеют весьма низкие сечения активации тепловыми нейтронами (часто менее 1 мбарн), очень короткие (О, Р, М, N6, В) или большие (Ь1, Н, Не, С, Ве) периоды полураспада образующихся радиоактивных изотопов и часто малое содержание активируюш,егося изотопа в естественной смеси. Правда, облучение тепловыми нейтронами используется для определения Ь и В, однако это требует применения специальных методов регистрации радиоактивных излучений (вторичные ядерные реакции, фотопластинки, полупроводниковые счетчики и т. д.). [c.65]

Величины полных коэффициентов поглощения энергии для некоторых материалов и различной энергии фотонов даны ФанО [17], Бергером [19] и в работе [20]. Опубликованные значения коэ4>фициентов были рассчитаны с учетом потерь энергии на тормозные излучения вторичных электронов. [c.65]

Для этого требуется фотокатод, состоящий из стеклянной пластины с нанесенной на нее очень тонкой пленкой металла, на которой вытравливается вся матрица рисунка. Облучение металлической плевки ультрафиолетовым светом вызывает излучение вторичных электронов. Электронное изображение без уменьшения формируется фокусированием электронов в коаксиальном электромагнитном поле. Так как часть ультрафиолетового излучения достигает поверхности подложки, это значит покрытие нефоточувствительно [152]. Глубина резкости около 25 мкм, т. е. больше чем в оптических установках разрешение линий 2 мкм и выше. [c.645]

Однако, согласно последним рекомендациям МКРЕ, определение рентгена действительно для любых фотонов, исключая лишь тормозное излучение вторичных электронов. [c.9]

Другими словами, облучение субстрата вызывает в нем фотохимичесьше цепные процессы, сопровождаю-ш иеся излучением. Вторичное излучение распространяется в растворах со скоростью порядка 30 ж в 1 сек. Латентный период, отделяющий вспышку вторичного излучения от подаваемого в виде короткой вспышки первичного облучения, порядка 0,001 сек. [c.27]

Цепные реакции, доступные нашему наблюдению, разделяются во-первых, на реаьщии, сопровождающиеся излучением (вторичное излучение) и протекающие без излучения во-вторых, они различаются по характеру конечных продуктов на реакции с образованием продуктов фотодиссоциации и реакции синтетического характера. [c.28]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология