Собственные дефекты как центры свечения и захвата

Как было выяснено, электронные переходы, вызывающие испускание света, а также аккумуляцию (запасание) энергии возбуждения и внешнее тушение или, в общем случае, миграционные потери, происходят в особых субмикроскопических образованиях, связанных с дефектами кристаллической решетки. В широком смысле слова к дефектам относят всякие нарушения периодического строения кристалла, включая свободные (делокализованные) электроны и дырки, а также фононы. Однако, говоря о дефектах, мы будем иметь в виду главным образом нарушения правильного расположения атомов. Это в первую очередь точечные (нульмерные) атомные дефекты — вакансии, междоузельные атомы и атомы растворенных в кристалле примесей. Центры свечения чаще всего связаны с примесными дефектами. Собственные дефекты играют важную роль в образовании центров захвата и нередко входят также в состав центров свечения. [c.81]

Выше уже отмечалось влияние дефектов кристаллической структуры на собственное поглощение щелочно-галоидных кристаллов и указывалась их роль в образовании электронных и дырочных центров захвата. Дефекты структуры играют существенную роль также и в других явлениях и определяют целый ряд важнейших свойств реальных кристаллов. В своей книге Фотолюминесценция жидких и твердых веществ В. Л. Левшин [189], отмечая большую роль внутренних неоднородностей и нарушений кристаллической структуры в явлениях люминесценции, считает, что наличие дефектов структуры и их тесное взаимодействие с решеткой является необходимым условием возникновения длительного свечения кристаллофосфоров. [c.98]

Высокие требования к чистоте материалов предъявляются в сцин-тилляционной технике. Химические дефекты в монокристаллах Nai—T1I, sl—Nal, sl—Til влияют на их сцинтилляционные свойства вследствие конкуренции в поглощении возбуждающей радиации между ионами активатора и примеси, реабсорбции примесными центрами люминесценции активатора и появления примесных центров свечения. Све-товькод детекторов на основе монокристаллов Nal—T1I заметно снижается при увеличении массовой доли меди от 1-10 до 7 10 % и никеля от 5 10 до 5 10 % [14]. Отмечено падение световыхода и ухудшение энергетического разрешения сцинтилляторов за счет изменения анионного окружения ионов активатора и образования комплексов активатора с кислородсодержащими анионами [15]. Являясь центрами захвата носителей заряда, посторонние примеси снижают радиационную стойкость сцинтилляционных детекторов [16]. Собственный радиоактивный фон сцинтилляционного детектора ограничи- вает возможность его применения для регистрации слабых активностей. Этот фон определяется, в частности, присутствием в игаодном сырье примесей актиноидов [17, 18], а также калия и рубидия, имеющих естественные радиоактивные изотопы ( К и Rb). Максимально допустимая удельная скорость распада каждого радиоактивного изотопа Пр, ч кг связана с массовой долей соответствуюпюго элемента в веществе ( j, %) следующим соотношением [c.10]

Собственные дефекты как центры свечения и захвата. К числу наиболее обстоятельно изученных оптически активных центров, обусловленных собственными дефектами, принадлежит прежде всего центр окраски щелочно-галоидных кристаллов, или /"-центр (от немецкого Farbzentrum). Тот факт, что такие центры могут возникать под действием излучений, энергия которых недостаточна для создания новых дефектов, показывает, что /-центры не связаны непосредственно с растворенным в [c.97]