Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Искажение структуры внешними полями

    Холестерической спиралью можно управлять. Специального внимания заслуживает поведение холестерика во внешнем электрическом или магнитном поле. Если в случае нематика наложение внешнего поля приводило к сравнительно простой переориентации молекул (здесь речь идет о чисто полевом эффекте, т. е. процессе, не сопровождаемом электрическими токами и гидродинамическими потоками), то в случае холестерика изменение его структуры во внешнем поле может оказаться гораздо сложнее. Например, в случае положительной магнитной или диэлектрической анизотропии у холестерика наложение поля, перпендикулярного холестерической оси, приводит к следующим изменениям структуры холестерика (искажениям холестерической спирали). Во-пер- [c.61]


    Искажение структуры внешними полями [c.268]

    Запишем ток J, текущий по искаженной структуре. Ток J обусловлен полным полем Е, являющимся суммой внешнего [c.302]

Рис. 18. Искажение холестерической спирали во внешнем поле. Структура холестерика в отсутствие поля (а), в поле, меньшем критического (б), и в поле, больше критического в) Рис. 18. Искажение холестерической спирали во <a href="/info/7512">внешнем поле</a>. Структура холестерика в <a href="/info/1320123">отсутствие поля</a> (а), в поле, <a href="/info/1572276">меньшем критического</a> (б), и в поле, больше критического в)
    Ориентировка кристалла в поле силы тяжести (при свободной конвекции) или в вынужденном потоке раствора влияет на характер конвекции и на толщину пограничного слоя у разных граней. Так, при отклонении грани от вертикали н обращении ее вниз питание ее в режиме свободной конвекции ухудшается. Вообще скорости роста граней даже одной простой формы — фронтальной, боковой и тыльной относительно направления потока — различны. В результате эти грани получают разное развитие на кристалле и он приобретает искаженную форму, его внешняя симметрия практически никогда не соответствует симметрии его структуры. [c.42]

    Кроме того, необходимо всегда учитывать возможность искажения истинной картины из-за возникновения артефактов при препарировании образца. Например, при получении тонких слоев (срезов) волокон наложение внешнего силового поля (воздействие режущего инструмента) на поле внутренних напряжений, сохранившихся в волокне, может дать отражение этих напряжений, а не истинную картину надмолекулярной структуры полимера в волокне. [c.238]

    Из формулы видно, что применение потенциальных полей позволяет изменять характеристики процессов в желаемую сторону и добиваться при необходимости эффекта интенсификации путем изменения величины и направления внешнего поля. Автором совместно с А. П. Кациди проведены исследования влияния магнитных полей, имеющих градиент напряженности в направлении движения контактирующих фаз, на процесс массообмена между противо-точно движущимися газовой и жидкой фазами при абсорбции углекислого газа и кислорода дистиллированной и технической водой в аппарате пленочного типа. Применение магнитных полей с заведолю созданными градиентами напряженности основывалось на выводах, следующих из термодинамики необратимых процессов, и имело целью усилить эффект влияния полей на процесс. Аппарат пленочного типа был выбран для исс.педований с целью получения стабильной поверхности контакта фаз и исключения искажения результатов, вызываемого нестабильными размерами элементов структуры газожидкостного слоя в аппаратах барботажного типа. [c.80]


    Присутствие в объеме кристаллов металлических, изолированных от внешней по отношению к алмазу среды включений искажает внутрикристаллнческое поле, возбуждаемое в алмазе внешним электромагнитным полем резонатора. Причем величина и степень искаженности поля в локальных участках алмазной матрицы, прилегающих к дефектам, обусловлены и эффектами поляризации, связанными со скоплением заряда на границах включений и других структурных неоднородностях. Поэтому в переменном электрическом поле во включениях происходят процессы перераспределения этих зарядов, вызывающие появление дипольных моментов у электропроводящих частиц и их осиляции, совпадающие с частотой приложенного к алмазу внешнего электрического поля. Величина дипольного момента частицы определяется не только размерами и формой, но и электрофизическими свойствами вещества частицы, в частности, электропроводностью. Поэтому такого типа включения на алмазах в первом приближении можно рассматривать как квазиупругие диполи, релаксационные процессы, в которых (отражая степень совершенства структуры частиц) изменяют однородность внутрикристаллического поля в алмазах. [c.452]

    Первым признаком, свидетельствующим о том, что правила первого порядка выполняются лишь приближенно, служит искажение интенсивностей линий му.тьтпплетов и появление асимметрии. Если две группы магнитных ядер связаны спин-спиновым взаимодействием, то даже при выполнении условия Дб > 6Л внутренние компоненты их мультиплетов более интенсивны, чем внешние, Если записать спектр с медленной скоростью развертки и увеличить масштаб записи, то удается наблюдать во многих случаях, что каждая из линий имеет дополнительную тонкую структуру (расщепления второго порядка). Экспериментально эффекты второго порядка можно уменьшить, если увеличить напряженность поля магнита и повысить соответственно рабочую частоту прибора. В настоящее время чаще всего используются спектрометры ЯМР с резонансными частотами для протонов 60, 80, 90 и 100 Мгц, но уже доступны приборы с рабочими частотами 220 и 300 Мгц, в которых магнитное поле Но напряженностью 51,5 и 70 кгаусс создается с помощью сверхпроводящего соленоида, работающего при температуре жидкого гелия. Действительно, значение относительного сдвига в единицах частоты прямо пропорционально рабочей частоте прибора, в то время как величина Л не зависит от последней. Таким образом, увеличивая рабочую частоту прибора, мы увеличиваем соотношение Аб/Л, и, следовательно, правила первого порядка будут выполняться более строго. [c.443]

    Связь оптических и структурных свойств сегнетоэлек-трических смектиков. Прежде чем говорить об изменении оптических свойств киральных смектиков в приложенном поле, следует сказать несколько слов об оптических свойствах киральных смектиков, не искаженных внешними воздействиями. Из-за подобия структур ки ральных смектиков и холестериков следует ожидать, что они обладают очень похожими оптическими свойств вами. Так оно и есть на самом деле. Даже, более того, для распространения света вдоль спиральной оси оптика киральных смектиков оказывается полностью аналогичной оптике холестериков. Это значит, что так же как в холестериках, проявляется селективное отражение света круговой поляризации, наблюдается зависимость от длины волны вращения плоскости поляризации линейно поляризованного света и т. д. Тут, однако, надо заметить, что у большинства известных киральных смектиков шаг спирали оказывается больше, чем у типичных холестериков, и лежит в диапазоне длин волн инфракрасного излучения. Поэтому для них соответствующие эффекты имеют место в инфракрасном диапазоне. [c.72]


Смотреть страницы где упоминается термин Искажение структуры внешними полями: [c.197]    [c.197]    [c.72]    [c.295]    [c.443]    [c.203]    [c.137]   
Смотреть главы в:

Жидкие кристаллы -> Искажение структуры внешними полями




ПОИСК





Смотрите так же термины и статьи:

Внешнее поле

Искажения



© 2025 chem21.info Реклама на сайте