Кристалла ориентировка

Рентгенографические методы анализа щироко используются для изучения структуры, состава и свойств различных материалов, и в том числе, строительных. Широкому распространению рентгенографического анализа способствовала его объективность, универсальность, быстрота многих его методов, точность и возможность решения разнообразных задач, часто не доступных для других методов исследования. С помощью рентгенографического анализа исследуют качественный и количественный минералогический и фазовый состав материалов (рентгенофазовый анализ) тонкую структуру кристаллических веществ — форму, размер и тип элементарной ячейки, симметрию кристалла. Координаты атомов в пространстве (рентгеноструктурный анализ) степень совершенства кристаллов и наличие в них зональных напряжений размер мозаичных блоков в монокристаллах тип твердых растворов, степень их упорядоченности и границы растворимости размер и ориентировку частиц в дисперсных системах текстуру веществ и состояние поверхностных слоев различных материалов плотность, коэффициент термического расширения, толщину листовых материалов и покрытий внутренние микродефекты в изделиях (дефектоскопия) поведение веществ при низких и высоких температурах и давлениях и т. д. [c.74]

Определение ориентировки и дифракционной симметрии кристалла [c.85]

Касаясь перспектив дальнейшей работы по электронографии, следует обратить внимание на вопросы окисления сплавов. В этой области для электронографии открываются интересные возможности для установления состава пленок, по которому можно сделать заключение о скорости диффузии компонентов сплава к окисляемой поверхности. Нужно также развивать исследования строения механически обработанных поверхностей металлов и сплавов. Отмеченные выше исследования шлифованной и полированной поверхности типичны для такого рода исследований. Наклеп, резание, различные виды современной точной доводки изделий, работа деталей машин, механический износ приводят к такому же строению поверхности, как при шлифовке или полировке. Вследствие этих процессов происходит измельчение поверхностных кристаллов, ориентировка их вокруг одного или немногих кристаллографических направле-. ПИЙ и, наконец, образование поверхностного слоя с нерегулярно расположенными элементами структуры ( аморфного слоя). Ввиду того, что механическая обработка ведется в атмосфере воздуха или в присутствии смазки, поверхностный слой металла обычно загрязняется, и верхний аморфный слой в общем случае представляет собой смесь металла, окисла и других загрязняющих слой примесей. Анализ структуры не только самого верхнего слоя механически обработанного металла, но и лежащих ниже слоев находится в пределах возможностей электронографии. Уже получены интересные результаты, и дальнейшие исследования в этой области дадут немало практически важных сведений о поведении металлов при механической обработке. [c.18]

Изоструктурен дифенилу и п,п -бис-(фенил)-дифенилу (см. также стр. 132 и 242). Исследование проведено методом проб и ошибок и построением проекции ряда электронной плотности. Межатомные расстояния определены весьма приближенно в ядрах С — С = 1,42, между ядрами С —С =1,48 А. Копланарность молекулы доказана однозначно ее симметрией в кристалле. Ориентировка молекулы установлена, вероятно, с точностью 3 — 5 из положения, принятого за исходное (плоскость молекулы в Ьс, длинная ось вдоль с), молекула повернута последовательно на 34° вокруг оси сит 15,3 вокруг оси Ь. [c.384]

В методе Лауэ, работая на белом излучении с постоянным углом падения лучей, получают рентгенограмму от неподвижного монокристалла. Этот метод может быть применен для определения ориентировки монокристалла, симметрии кристалла и т. д. [c.355]

Следует иметь в виду, что неправильная ориентировка разрезов кристаллов может привести к ошибкам в показателях преломления. [c.118]

Различие в ориентировке или структуре- двух кристаллов, наложенных друг на друга [c.158]

Полосы не привязаны к месту, а их положение зависит от направления падающего пучка электронов. Полосы определяют места одинаковой ориентировки атомных плоское тей объекта относительно пучка электронов. Полосы заканчиваются на границах зерен Положение полос зависит от направления первичного пучка. Расстояние между полосами зависит от кривизны кристалла [c.158]

Этим металлографическим методом можно определять не только число дислокаций, но и ориентировку поверхностей пластинок, вырезанных из кристалла, а также степень неоднородности кристаллов. Чтобы выявить дислокации на пластине германия, сначала ее шлифуют, затем тщательно очищают, подвергают химической полировке, например смесью концентрированной азотной кислоты (7,5 мл), 48%-НОЙ плавиковой кислоты (5 мл), ледяной уксусной кислоты (10 мл) и дистиллированной воды (1,2 мл). Полируют и травят под тягой с соблюдением правил безопасной работы. После полирования пластину отмывают дистиллированной водой и травят для выявления дислокаций, например, в травителе 00 млН О, 12 г КОН и 8 г КзРе(СК)в. [c.140]

Полосы почти привязаны к месту. Их появление связано с условиями приготовления образца. Контраст на полосах и расстояние между полосами зависит от ориентировки кристалла [c.158]

Расстояние между полосами зависит от несовпадения ориентировки или межплоскостных расстояний, а также от условий приготовления объекта. При определенных обстоятельствах выявляют дефекты кристаллов [c.158]

При адсорбции органических веществ большую роль играет микроструктура поверхности твердого электрода. Под микроструктурой поверхности понимается ориентировка граней кристаллов на поверхности, существование дислокаций, вакансий, микроискажений поверхности и других дефектов. Предварительная обработка электродов, например отжиг или различные виды деформации, существенно влияют на микроструктуру поверхности, а следовательно, и на адсорбцию органических веществ. Так, при изучении адсорбции трибензиламина на железном электроде было обнаружено, что трибензиламин лучше адсорбируется на железе зонной плавки, подвергнутом отжигу при 600°С, чем на железе, отожженном при 750°С. Это связано со снятием остаточных напряжений, переориентацией кристаллов, уменьшением концентрации дислокаций и других несовершенств кристаллической решетки при более сильном отжиге. Была также обнаружена различ- [c.136]

Определение величины и ориентировки электрических и магнитных полей в кристаллах [c.205]

Анализ полученных экспериментальных данных позволил установить, что наилучшее согласие рассчитанных значений с экспериментальными достигается при ориентировке градиента электрического поля, как это представлено на рис. ХЕЮ. Оси д и г/ градиента электрического поля расположены в плоскости Те—Те—Те одной цепочки, а главная ось 2 составляет с гексагональной осью кристалла угол, равный 45°. [c.209]

Определяют ориентировку кристалла по внешним признакам. [c.61]

Метод порошков Дебая и Шерера также основан на применении монохроматических лучей. Однако в этом случае вместо монокристалла пользуются цилиндрическим куском, спрессованным из мелкого порошка кристаллов. Благодаря беспорядочной ориентировке кристаллов исследуемого порошка на плоской фотопластинке получаются концентрические кольца, каждое из которых соответствует определенному отражению. Если кристаллики слишком малы, то кольца получаются широкие, размытые, а для аморфных [c.58]

Многочисленные работы по изучению ориентации кристаллов в блестящих и матовых осадках свидетельствуют о том, что прямой связи между блеском и ориентацией нет. Для одних блестящих осадков обнаруживается какая-либо ось текстуры, а для других нет. Так, например, Н. Т. Кудрявцев показал, что блестящие осадки цинка, полученные из сульфатных растворов с добавкой натриевой соли дисульфонафталиновой кислоты, обнаруживают, в отличие от матовых осадков цинка, явно выраженную текстуру с ориентировкой кристаллов по гексагональным осям, в то время как в блестящих осадках никеля, полученных с той же добавкой, кристаллы не имеют никакой ориентации. [c.137]

Между атомами могут возникать различные взаимодействия в зависимости от их физико-химических характеристик, а главным образом от значений электроотрицательности (ЭО), определяющей ориентировку электронов относительно атомов, уже вошедших в состав молекулы. Основными видами связи можно считать связи, устанавливающиеся между атомами, вступающими в соединение между собой а) ковалентная неполярная связь б) ковалентная полярная и в) ионная связь. К основным видам связи следует отнести и металлическую связь, однако она характерна не для замкнутых молекул, а для кристаллов металлического типа. Вообще говоря, ионная связь также характерна для кристаллического состояния веществ. [c.70]

Выращенный этим методом кристалл в точности повторяет кристаллографическую ориентировку затравки, которую, как правило, для Германия и кремния располагают таким образом, чтобы плоскости (111) были перпендикулярными к направлению вытягивания. Это дает возможность удобно разрезать кристалл на пластины по плоскостям, параллельным сечениям (111). Метод позволяет вносить в кристалл в [c.265]

Ориентировка кристаллов и текстура осадка существенно влияют на защитную способность покрытий. Скорость растворения гексагонального плотно упакованного аСО в 1 н. Н2 804 для разных кристаллитов возрастает в последовательности (0,001) < (1011) < (1120) < (1010), а ддя цинка (0,001) < (1010). [c.56]

Все природные и искусственные графиты представляют собою поликристаллы, сложенные из отдельных произвольно ориентированных кристаллитов. В результате произвольной ориентировки свойства поликристаллического тела практически одинаковы по всем направлениям, хотя свойства каждого отдельного кристалла зависят от направления. Такое явление называют квазиизотропией или ложной изотропией [56]. [c.68]

В спрессованных без связующего блоках достигается весьма совершенная ориентировка кристаллов в одной плоскости. Интересно было бы изучить рекристаллизацию в этих блоках, которая может привести к превращению их в монокристалл [c.47]

Ориентировка кристаллов в материале сохраняется после рекристаллизации. [c.204]

Так как первоначальная ориентировка кристаллов сохраняется (шестой закон), ири рекристаллизации происходит рост уже имеющихся кристаллов, а не образование новых кристаллов. [c.205]

Для рекристаллизации наиболее благоприятны условия соприкосновения кристаллов в глянцевых углях и в антрацитах, характеризующихся высокой ориентировкой частиц карбоидов и располагающихся параллельно сланцеватости. Эти угли графитируются наиболее легко, укрупнение кристаллов у них наибольшее. [c.209]

Одним из основных свойств кристаллов является анизотропия, т. е. изменение свойств в зависимости от направления их измерения. Вместе с тем кристалл — однородное тело, так как два его участка одинаковой формы и ориентировки обладают идентичными свойствами. Способность образовывать плоскостные многогранники, или способность самоогранения,— еще одно важное свойство кристаллического вещества. Кроме того, кристаллы отличаются видами симметрии. [c.163]

Аппарат УРС-50ИМ. Рентгеновский дифрактометр для структурного, фазового и других видов анализа, позволяющий исследовать поликристаллические (в том числе, крупнозернистые) образцы, монокристаллы, определять преимущественную ориентировку кристаллов (текстуру) и т. д. В аппарате используется рентгеновская трубка БСВ-б с линейным фокусом. Максимальное напряжение 50 кВ, максимальный ток 12—14 мА. [c.76]

С помощью электронографического анализа можно в принципе решать те же задачи, что и рентгенографическим анализом исследование кристаллической структуры, проведение фазового анализа, определение межплоскостных расстояний и периодов решетки, определение текстуры и ориентировки кристаллов и т. д. Однако особенности волновых свойств пучка электронов обусловливают и определенную специфику их использования, а также преимущества и недостатки по сравнению с рентгенографическим методом исследования кристаллов. Преимущество электронограмм заключается прежде всего в том, что в связи с малой длиной волны и сильным взаимодействием электронов с веществом этим методом можно получить резкие и интенсивные рефлексы при меньших размерах кристаллов и-меньшем количестве вещества, чем при рентгенографическом анализе, В рентгенографии, например, расширение линий начинается при р.эзмере частиц 500—900 А, а в электронографии оно становится заметным лишь при размерах 20—30 А. Интенсивность электронного луча гораздо больше, а необходимая экспозиция гораздо меньше, чем рентгеновских лучей, что дает существенные методические преимущества. Интенсивность отражений при дифракции электронов обычно настолько велика, что позволяет визуально на флюоресцирующем экране наблюдать дифракционную картину. Указанные особенности электронографии делают ее особенно ценной, например, при исследовании зародышей новых фаз. Электронография может использоваться также при изучении положений легких атомов в кристаллической решетке, хотя для этого более пригодна нейтронография, [c.105]

Все это справедливо для одиночных кристаллов (монокристаллов), линейные размеры которых достигают нескольких десятков сантиметров. В полупроводниковой технике выращивание монокристаллов — одна из важнейших задач (см. гл. X). При быстром охлаждении расплавов обычно получаются поликристаллические тела с размерами зерен в них от 10" до 10 мкм. В поликристаллических телах произвольность ориентировки отдельных зерен приводит к статисти- [c.116]

Широкий спектр явлений контраста в зависимости от типа дефекта. В значительной мере зависит от ориентировки кристаллической решетки, направления первичного пучка электронов иоттол-щины кристалла [c.158]

Большое число экспериментальных данных указывает на роль микроструктуры поверхности твердого электрода при адсорбции органических веществ. Под микросаруктурой поверхности понимается ориентировка граней кристаллов на поверхности, существование дислокаций, вакансий, микроискажений поверхнссти и других дефектов. Предварительная обработка электродов, например отжиг или различные виды деформации, существенно влияют на микроструктуру поверхности, а следовательно, и на адсорбцию органических веществ. Так, при изучении адсорбции трибензиламина на железном электроде было обнаружено, что трибензиламин лучше адсорбируется на железе зонной плавки, подвергнутом отжигу при 600° С, чем на железе, отожженном при 750° С. Это связано со снятием остаточных напряжений, переориентацией кристаллов, уменьшением концентрации дислокаций и других несовершенств кристаллической решетки при более сильном отжиге. Была также обнаружена различная адсорбционная активность разных граней монокристаллов железа при адсорбции органических веществ и установлено, что при деформации адсорбционная способность железа возрастает с увеличением степени деформации. [c.145]

Кристаллы со структурой алмаза (германий, кремний, арсенид галлия и др.) как при естественном росте, так и прн искусственном выращивании стремятся принять октаэдрическую форму. Это стремление проявляется в том, что при выращивании кристаллов вытягиванием из расплава монокристалл растет не в форме правильного цилиндра с гладкой поверхностью, а имеет на ней более или менее широкие полосы, распределенные по периметру поперечного сечения строго в соответствии с ориентировкой. Если монокристалл ориентирован по осп роста параллельно направлению (III), то хорошо просматриваются три вертикальные полосы, расположенные сим-ме рично через 120°. При направлении роста (100) образуются четыре вертикальные полосы, расположенные на цилиндрической поверхности через 90°. Внешние признаки такого рода могут быть использованы при определении кристаллографической [c.59]

В соответствии с этим применяются три различных способа рентгеновского структурного анализа. В одном из них — методе Лауэ пучок рентгеновских лучей всевозможных длин волн проходит через диафрагму и падает на поверхность кристалла под некоторым определенным углом (рис. 13). В потоке лучей всегда найдутся такие, длины которых удовлетворяют условию (а), при этом в результате отражения на фотографической пластинке, наряду с центральным пятном от непреломившегося луча, получаются симметрично расположенные вокруг него пятна, каждое из которых соответствует каким-нибудь кий. Лауэграмма (рис. 14) дает возможность определить симметрию кристалла и его ориентировку. Расшифровка лауэграмм — достаточно сложная задача. [c.57]

При изучении металлов и сплавов очень часто пользуются наблюдением их образцов под микроскопом. Для таких исследований, составляющих предмет металлографии, поверхность образца предварительно подвергают соответствующей обработке шлифовке, полировке, протравливанию кислотами и т. д. Наблюдаемые под микроскопом картины, вообще говоря, весьма различны (рис. XI-10). Для индивидуальных металлов характерна поверхность шлифа, состоянхая из собрания кристаллитов , т. е. сравнительно круп-и ы X неправильно разросшихся кристаллов. Существование между ними видимых на шлифе границ обусловленно разной ориентировкой самих кристаллитов и выделением при кристаллизации металла части имеющихся в ней примесей. Совершенно другой характер имеет поверхность шлифа в случае эвтектики она состоит из смеси чрезвычайно мелких кристалликов обоих компонентов. При затвердевании двойных сплавов промежуточного состава на шлифе видны одновременно и эвтектика и кристаллиты одного из компонентов, что соответствует, в частности, областям IV и V рис. XI-9. [c.360]

Плотно-кристаллические графиты образуют скопления, состоящие из кристаллов, которые плотно прилегают друг к другу. Посторонние минералы находятся в них в виде включений, погруженных в графит. Графитные кристаллы могут быть ориентированы относительно друг друга различно, что существенно влияет на технические свойства материала. Беспорядочная ориентировка кристаллов затрудняет их расщепление по спайности и сдвиг при деформации. Если такая структура при измельчении разрушается не полностью, то порошки плотнокристаллических графитов менее жирны и менее пластичны, чем порошки чешуйчатых графитов. [c.51]

Условия сопри кооновения кристаллов пенообразных коксов также весьма благоприятно сказываются на степени графитации. Однако вследствие значительной микропористости создаются затруднения для роста кристаллов. Поэтому они дают жесткий и твердый искусственный графит. Степень упорядоченной ориентировки кристаллов в стенках пузырьков для них различна. [c.209]

Реальные металлы состоят из большого числа зерен (кристаллов неправильной формы). Границы между зернами могут быть местами скопления дислокаций граница между зернами состоит из слоя атомов, принадлежащих кристаллическим решеткам различных зерен. Характерно, чем больше раэн№ в ориентировке соседних зерен, тем больше несовершенств на границе между ними. Атомы примесей в металлах, также располагаются преимущественно по границам зерен. [c.12]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология