Алмазоподобные вещества

В результате в минимуме энергетических кривых оказываются не ВРз и СО, т. е. соединения с конфигурацией Юе , а [ЫР] и [ВеО], так называемые алмазоподобные вещества с 8е на [c.421]

Величина параметра Грюнайзена менее 1,5, т. е. меньше минимальной величины, фигурирующей в теории Грюнайзена. Такие же значения ранее [3] обнаружены и в других алмазоподобных полупроводниках, что является дополнительным подтверждением общности фононного спектра и характера сил межатомной связи в пределах всего семейства алмазоподобных веществ. [c.254]

ОБРАЗОВАНИЕ АЛМАЗОПОДОБНЫХ ВЕЩЕСТВ [c.9]

В подавляющем большинстве случаев бинарные алмазоподобные вещества являются единственными соединениями, которые образуются в данных системах, при соотношении компонентов, равном 1 1. Это обстоятельство, по-видимому, является естественным следствием того, что именно в бинарных соединениях, образованных элементами, равноотстоящими от середины Периодической системы, одновременно удовлетворяется нормальная валентность атомов и возникает симметричная структура валентных оболочек атомов, аналогичная электронным оболочкам атомов инертного газа. Среднее число электронов на атом становится равным четырем, что обеспечивает возможность кристаллизации в структуре, аналогичной структуре простых тел — алмаза и его аналогов. Эта последняя аналогия может быть прослежена, как мы увидим дальше, во многих свойствах бинарных соединений. [c.81]

Прежде всего интересно, почему периоды решетки так близки в изоэлектронных рядах алмазоподобных веществ [c.194]

Как было видно из 1 и 2 настоящей главы, физико-химические и электрические свойства алмазоподобных веществ связаны с положением элементов их составляющих в Периодической системе. Можно констатировать, что в рассматриваемой группе веществ существует общность химических и физических свойств, основанная на общности основного типа химической связи. Закономерное изменение свойств веществ с увеличением атомного веса в рядах аналогов, а также изменение свойств в изоэлектронных рядах, т. е. различие веществ, определяется положением составляющих их элементов в Периодической системе. [c.198]

В дальнейшем микротвердость как величина, связанная с энергией атомизации, прочностью связи, характером химической связи и другими характеристиками, фигурировала в ряде работ, однако без количественных выводов. Так, в работе [U03] устанавливается корреляция между микротвердостью и удельной поверхностной энергией алмазоподобных веществ. [c.201]

Представления об определяющей роли электронной решетки в алмазоподобных веществах, выдвинутые позже, дали основание предсказать, что, несмотря на увеличение числа компонентов (сортов атомов в узлах решетки), основные свойства, присущие данной группе полупроводников, сохранятся и в многокомпонентных фазах. Это, в первую очередь, относилось к подвижности носителей тока. [c.204]

Атомные кристаллические решетки распространены и у ряда бинарных соединений 2п5, Сс15, 51С, В1Ч, А15Ь, АШ и др. Решетка 2п5 (цинковой обманки) типична для алмазоподобных веществ в ней наблюдается чередование атомов 2п с атомами 5, образуются тетраэдрР1ческие структуры каждый атом 5 окружен тетраэдри-чески четырьмя атомами 2п, и атом 2п — четырьмя атомами серы. [c.136]

Алмазоподобные вещества Гомеопо- лярная Атомная решетка Трудно летучи, не проводят электрический ток, нерастворимы, часто очень тверды Алмаз, Si , B4G [c.330]

Однако отклонения некоторых констант соединений А в7 от промежуточных значений у соединений А В и А Щ в некоторых случаях велики, и это указывает на то, что большинство характеристик соединений А Вз не имеет значений, лежащих между соответствующими величинами соседних недефектных соединений в изоэлектронных рядах, в связи с чем отнесение соединений А 2 Вз к этим рядам является условным [58]. Палатник ]56] также не считает эти соединения принадлежащими изо-электронным рядам. Особенностью дефектных соединений состава А В является образование твердых растворов с нормальными тетраэдрическими фазами в широком интервале концентраций. Эти твердые растворы кристаллизуются в решетке цинковой обманки, что подтверждает общность природы химической связи веществ, образующих гомогенные фазы и подтверждает принадлежность соединений А Вз к семейству тетраэдрических алмазоподобных веществ. Образование гомогенных фаз между различными типами нормальных и дефектных соединений — двойных и тройных — открывает большие перспективы для получения полупроводниковых веществ с широким набором свойств. [c.204]

Соединения А В7 относятся к кристаллохимической группе алмазоподобных веществ с дефектной структурой со средним числом электронов на атом, равным 4,8. Если же учесть, что на каждую молекулу А ВР приходится одна вакансия, то среднее число электронов на структурную единицу этого соединения, включая и вакансию, окажется равным 4, что формально необходимо для образования тетраэдрической координации. Формула соединения в обозначении Парте [7] имеет вид ЗаОбз с четырьмя несвязывающими орбиталами, соответствующими одному незанятому структурному положению. Формулу дефектных соединений данного типа Ньюмен [55] обозначает как Л <>в7 . В работе об упорядочении структуры соединений Л в7 Ньюмен [55] теоретически рассмотрел возможные пути упорядочения вакансий и сделал заключение о необходимости учета вакансии как отдельного компонента твердого тела. [c.203]

Твердость соединений этой группы впервые изучалась Гольдшмидтом. Он использовал шкалу Мооса. Сейчас исследована ыикротвердость многих алмазоподобных веществ. [c.81]

В последнее время предпринимаются весьма интересные исследования свойств веществ изоэлектронных рядов. Так, например, в работе [56] при исследовании физико-механических свойств алмазоподобных веществ было сделано наблюдение, что с увеличением ионной компоненты связи уменьшаются микропрочность на отрыв, поверхностная энергия, критерий хрупкости и микротвердость. По данным автора работы [56], германий, арсениды и антимониды индия и галлия отличаются высоким значением критерия хрупкости, в то время как у селенида цинка, селенида и теллурида кадмия отчетливо проявляется пластичность. [c.196]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология