Изоэлектронные ряды

Таблица 7.1. Изоэлектронные ряды

Это же соображение можно применить для предсказания относительной величины углов между связями валентных углов) в изоэлектронном ряду молекул СН4, NHз и Н2О . Все эти молекулы имеют одинаковое стерическое число (СЧ = 4). Однако учитывая неодинаковое отталкивание между неподеленными парами и связывающими парами электронов, можно предсказать, что валентные углы в молекулах ЫНз и Н2О окажутся Тетраэдрического угла (109,5°). Экспериментальные значения валентных углов в этих молекулах согласуются с таким предсказанием [c.493]

Рис. 10. Зависимость логарифма начальной скорости разложения изо-С ЩО при 200 °С от пшрины запрещенной зоны на полупроводниках изоэлектронного ряда германия.

Сам углерод известен главным образом в двух полиморфных модификациях алмаза и графита. В первой из них реализуется пространственная тетраэдрическая структура (sp -гибридизация), а во второй — слоистая гексагональная структура (sp -гибридизация) с более слабыми связями между слоями. Первый изоэлектронный аналог углерода — нитрид бора BN — также образует алмазоподобную кубическую (сфалеритную) и графитоподобную слоистую структуры. Однако появление некоторой доли ионности химической связи обусловливает возникновение третьей полиморфной модификации BN — гексагональной структуры типа вюртцита. Таким образом, в бинарных соединениях с тетраэдрической структурой и преимущественно ковалентным типом связи вюртцитоподобная модификация стабилизируется при наличии заметного ионного вклада. Это положение особенно наглядно проявляется у следующего изоэлектронного аналога углерода — ВеО, в котором стабильной модификацией является гексагональная типа вюртцита, что обусловлено еще большей разностью ОЭО компонентов. И наконец, преобладающий ионный вклад в химическую связь последнего члена этого изоэлектронного ряда — LiF — обеспечивает образование кристаллов с решеткой типа Na l (к. ч. 6). [c.51]

Изоэлектронный ряд — ряд атомов, ионов или молекул, имеющих одинаковое число электронов. [c.122]

Цианид-ион изоэлектронен с молекулой СО. В изоэлектронном ряду N=0 , С=0, С=Ы цианид-ион имеет наибольшую склонность к образованию ст-связей. Акцепторные свойства цианид-иона выражены слабее, чем у молекулы СО, но доказательством способности образовывать я-связи является стабилизация цианидами низких степеней окисления центрального иона металла (см. табл. 12). [c.96]

Молекулярные частицы ВО, СЫ и СО образуют изоэлектронный ряд с 9 валентными электронами. Согласно теории молекулярных орбита- [c.538]

В изоэлектронных рядах германия и а-олова, компоненты которых принадлежат большим периодам, в целом наблюдаются те же закономерности. Однако в отличие от изоэлектронных рядов в малых [c.51]

Существенно произвести сопоставление графиков для рядов атомов р-и з-элементов, изучая их г акс с учетом не только нейтральных атомов, но и ионов, взяв в строках изоэлектронные ряды. [c.37]

На рис. 172 и 173 не видно оправдания тезиса Полинга об упрочнении связи при возрастании разности электроотрицательностей в молекуле BF присутствует тройная связь, так же как и в молекуле N 2, но молекула BF, несмотря на возросшую разность электроотрицательностей, имеет менее прочную связь. Сравнение BF с N2 подробнее изложено в ХП главе 1-го тома, где представлена вся сложность современного понимания связей в изоэлектронном ряду N 2, СО, BF. Она никак не согласуется с первоначальными, упрощенными взглядами Полинга и требует присутствия в молекуле BF не одиночной связи В — F (т. е. одновалентности фтора, к которой можно было бы приложить тезис о влиянии электроотрицательности), но очень сложной Системы ст- и я-связей. [c.311]

Подобная тенденция прослеживается и в изоэлектронном ряду кремния у [c.258]

Положительным мезомерным эффектом (+А/эф) ( ладают группировки, имеющие неподеленные пары эле ронов, особенно отрицательный заряд Способность зам тителя предоставить свою неподеленную пару электро в сопряжение тем выше, чем меньше электроотрицате ность, поэтому в изоэлектронном ряду она убывает сл( направо [c.100]

В соответствии с преобладающим типом химической связи в бинарных соединениях реализуются различные кристаллические структуры плотно упакованные ОЦК и другие для металлидов (к.ч. 8, 12 и более), менее плотно упакованные (к.ч. б, 8) для солеобразных ионных кристаллов и "рыхлые" структуры с невысокими координационными числами (к.ч. < 4) для ковалентных соединений. В последнем случае возможно также образование слоистых, цепочечных и молекулярных кристаллических структур. Изменение типа кристаллической структуры в зависимости от характера химической связи в бинарных соединениях можно проследить в так называемых изоэлектронных рядах. Изоэлектронным рядом называют последовательность соединений с одинаковым средним числом валент ных электронов на атом. Наиболее известны и показательны в этом отношении изоэлектронные ряды соединений, компоненты которых расположены симметрично относительно элементов IVA-группы. Четыре валентных электрона на атом обеспечивают возникновение пространственных тетраэдрических структур с ковалентным типом связи у простых веществ этой группы. [c.258]

Рпс. 3. Зависимость каталитической активности полупроводников изоэлектронного ряда германия от ширины запрещенной зоны в реакции дегидрирования изопропилового спирта [c.79]

Резонансные линии ионов изоэлектронного ряда водорода [8, 9] и гелия 9, 10] [c.661]

В изоэлектронных рядах германия и оюлова, компоненты которых принадлежат большим периодам, в целом наблюдаются те же закономерности. Однако в отличие от изоэлектронных рядов в малых периодах здесь возможно разветвление, обусловленное тем, что в качестве катионообразователя могут выступать. как элементы главных, так и побочных подгрупп I — III групп [c.259]

Удобным объектом для сравнений такого рода являются полупроводники так называемых изоэлектронных рядов [73, 74]. Такие ряды образует, например элемент IV группы (А ) с бинарными [c.22]

Отклонения от правильности геометрических форм могут возникнуть по крайней мере от двух причин. Во-первых, отклонение возможно, если группы, связанные с центральным атомом, не все идентичны. Например, углы НСН в ряду СНдР, СН3С1, СНдВр н СНд равны 110,0 110,3° 110,8° 111,0° соответственно. Все они больше тетраэдрического угла 109,5°, найденного для СН и СХ4 (где X—Р, С1, Вг, I). Однако из этих данных видно, что отклонения от правильной симметрии не очень велики, и далее будет показано, почему это так. Во-вторых, отклонение от правильной симметрии возможно, когда в валентном уровне присутствуют как связывающие, так и неподеленные пары электронов, причем отклонения, возникающие по этой причине, обычно несколько больше. Например, в ряду ЫН4, ЫНз, МН углы НМН монотонно уменьшаются от 109,5° до 104°. Аналогично в изоэлектронном ряду СН4, ННз, ОН2 обнаруживается систематическое уменьшение углов между связями 109,5° 107,3° 104,5° соответственно. В вышеприведенных рядах присутствуют О, 1 и 2 неподеленные электронные пары соответственно, которые в последних двух случаях находятся, вероятно в соответствии с принципом Паули, в вершинах несколько искаженного тетраэдра. Значения углов наводят также на мысль о том, что электроны неподеленных пар значительно сильнее отталкиваются один от другого и от связывающих пар, чем связывающие пары или даже чем связанные атомы. Действительно, Джиллеспи и Ньюхольм нашли, что качественная картина стереохимии значительно улучшается для большинства неорганических молекул при допущении, что электростатическое отталкивание между электронными парами в данном валентном уровне понижается в следующем порядке неподеленная пара — неподеленная пара (L— ) > неподеленная пара — связывающая пара L—В) > связывающая пара — связывающая пара В—В). Это может быть объяснено тем, что неподеленные пары [c.215]

Рассмотренные изоэлектронные ряды сформированы по горизонтальному принципу — в пределах одного периода. Но для каждого члена изоэлектронного ряда существует ряд аналогов, построенный путем "катионного" или "анионного" / замещения. Так, для А1Р при "анионном" замещении фосфора на другие пниктогены получаются A1N, AlAs, AlSb, а при "катионном" замещении — ВР, GaP, InP. Таким образом и формируются изоэлектронные семейства бинарных соеди- [c.259]

Рассмотрим изоэлектронные ряды углерода и кремния. Первый из них включает в себя С—BN—ВеО—LiF, а второй Si—AIP—MgS— Na l. Принцип формирования изоэлектронных рядов состоит в следующем. Возглавляет ряд простое вещество IVA-группы (4 электрона на атом). Остальные члены ряда — это соединения, компоненты которых равно отстоят от IVA-группы. Число валентных электронов у катионообразователя (П1А->1А) уменьшается, а у анионообразователя (VA- VHA) увеличивается. При этом среднее число валентных электронов на атом в формульной единице остается постоянным. Разность ОЭО компонентов соединений в изоэлектрон-ных рядах растет, следовательно, нарастает ионный вклад в химическую связь и закономерно изменяется характер кристаллохимического строения фаз. [c.51]

Подобная тенденция прослеживается и в изоэлектронном ряду кремния у самого кремния кристаллическая решетка типа алмаза, у А1Р — кубическая (сфалерит), а уже у MgS и, тем более, у Na l реализуется ионная решетка с к. ч. 6. Различие между структурами вертикальных изоэлектронных аналогов ВеО и MgS определяется большей ионностью связи в последнем. [c.51]

Рассмотренные изоэлектронные ряды включают соединения эк-виатомного состава (типа АВ). Все они подчиняются правилу октета (содержат 8 валентных электронов на формульную единицу). Выполнение этого правила обеспечивает неметаллические свойства соответствующих соединений. Кроме того, состав всех этих соединений удовлетворяет правилу формальной валентности. Кристаллохимические закономерности, характерные для изоэлектронных [c.52]

Явления возмущений орбиталей, близких к вырождению, настолько распространены, что в сущности отсутствие их является особенностью лишь немногих орбиталей таковыми можно считать, например, конфигурации нейтральных атомов (и ионы изоэлектронные им) Не15 ЬИ5 25 Ые15 25 р Ыа15 25 р 3з и т. п. (см. рис. 30). Для остальных многочисленных конфигураций изоэлектронные ряды катионов сильно зависят в своем ходе от изменения 1. [c.70]

Рассмотрим изозлектронные ряды углерода и кремния. Первый из них включает в себя BN BeO LiF, а второй — Si AlP — MgS Na l. Принцип формирования изоэлектронных рядов состоит в следующем. Возглавляет ряд простое вещество IVA-группы (четыре электрона на атом). Остальные члены ряда — это соединения, компоненты которых равно отстоят от IVA-группы. Число. электронов у катионообразователя (IIIA — IA) уменьшается, а у анионообразователя (VA [c.258]

VIIA) увеличивается. При этом среднее число веилентных электронов на атом в формульной единице остается постоянным. Разность ОЭО компонентов соединений в изоэлектронных рядах растет следовательно, нарастает ионный вклад в химическую связь и закономерно изменяется характер кристал.лохимического строения фаз. [c.258]

Значительное количество сведений о структуре электронных оболочек тяжелых элементов было получено при изучении спектров светопоглощения ионов в растворах и кристаллах. Эти спектры в видимой и ближних к ней областях характеризуются наличием резких полос поглощения. Соответствующие им электронные переходы совершаются внутри 5/-оболочки благодаря взаимодействию с электростатическими полями соседних ионов. В середине ряда наблюдается общее усложнение спектра поглощения элементов. Были выделены изоэлектронные ряды ионов со сходными спектрами поглощения 0 +, ЫрОг+ и РиОг + (имеющие два 5/-эле<ктрона и IJ3+, Np + и РиОг+, которым соответствует электронная конфигурация 5р. На основе подобия спектров Еиз+ и АтЗ+ был сделан вывод о наличии у АтЗ+ шести б/-электронов. [c.17]

Рассмотренные изоэлектронные ряды включают соединения эквиатомного состава (типа АВ). Все они подчиняются правилу октета (содержат восемь ва- [c.259]

Если же исключить еще и влияние параметра решетки и рассмотреть зависимость к. а. от ДЕ/ в пределах одного изоэлектронного ряда Се —> СиВг, где все вещества имеют приблизительно один и тот же параметр решетки, то получается, как видно из рис. 3, почти функциональная зависимость [9]. [c.79]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология