Индий гидроксокомплексы

Галлий, индий и таллий относятся к главной подгруппе III группы периодической системы элементов (разд. 35.10). В соответствии с номером группы в своих соединениях они проявляют степень окисления -ЬЗ. Возрастание устойчивости низших степеней окисления с ростом атомного номера элемента иллюстрируется на примерах соединений индия(III) (легко восстанавливающихся до металла), а также большей прочности соединений таллия(I) по сравнению с производными таллия(III). Ввиду того что между алюминием и галлием находится скандий — элемент первого переходного периода — вполне можно ожидать, что изменение физических и даже химических свойств этих элементов будет происходить не вполне закономерно. Действительно, обращает на себя внимание очень низкая температура плавления галлия (29,78 °С). Это обусловливает, в частности, его применение в качестве запорной жидкости при измерениях объема газа, а также в качестве теплообменника в ядерных реакторах. Высокая температура кипения (2344°С) позволяет использовать галлий для наполнения высокотемпературных термометров. Свойства галлия и индия часто рассматривают совместно с алюминием. Так, их гидрооксиды растворяются с образованием гидроксокомплексов (опыт I) при более высоких значениях pH, чем остальные М(ОН)з. Гидратированные ионы Мз+ этой [c.590]

В системах гидроксокомплексов индия [5] и олова(II) [99] (см. рис. 83) значения д(и), полученные из измерений со стеклянным и с амальгамным электродами, хорошо согласуются. [c.430]

Химические свойства кислородных соединений галлия, индия, таллия. Аналогично алюминию для Оа, 1п и Т1 наиболее характерно координационное число 6. Как и для алюминия, при растворении гидроксидов и оксидов этих элементов в кислотах образуются аквакомплексы состава (Э(НаО)б] а при растворении в щелочах — гидроксокомплексы состава М[Э(ОН)4] или Мз(Э(ОН)б]. Оксиды и гидроксиды Оа (И1), 1п (III) и Т1 (III) являются амфотерными соединениями. [c.315]

Из данных табл. 13,5 следует, что устойчивость комплексов цинка, кадмия и ртути с хлорид-, иодид-ионами и ЭДТА, а также комплексов галлия и индия с ЭДТА хорошо согласуется с величиной ковалентной характеристики. Несмотря на увеличение радиусов катионов устойчивость комплексов во растает. Это показывает, что степень ковалентности связи имеет большее значение, чем размеры ионов. Однако устойчивость гидроксокомплексов не подчин51ется уже сформулированному правилу. Устойчивость фторидных комплексов галлия и индия также изменяется в обратной последовательности, т. е. определяется в большей степени размерами нонов, чем овалентной характеристикой. [c.255]

С другой стороны, индий, как и все элементы подгруппы алюминия, легко гидролизуется и образует достаточно устойчивые гидроксокомплексы и коллоидные формы в области pH выше 2. Константы гидролиза индия для трёх ступеней равны соответственно рК1г = 3,5 рКгг = 4,2 рКзг = 5,1 [9]. [c.395]

Стадийный перенос трех электронов при ионизации атомов индия, а также при восстановлении аквакомплексов в кислых растворах, осложняется образованием гидроксокомплексов индия, участие которых в медленной стадии электродной реакции определяет зависимость скорости последней от pH раствора [387]. Обратная пропорциональная зависимость между скоростью анодного процесса ионизации атомов индия и концентрацией ионов водорода в 3 Ж перхлоратном растворе (при [НЧ = 5-10 — 0,2 М), установленная для амальгамы индия и твердого индия, объяснена [387] протеканием медленной электрохимической стадии ТпОН" 1пОН - - е. [c.184]

Лосев и Молодов [387 ] установили, что в медленной электрохимической стадии анодного процесса ионизации твердого индия участвуют гидроксокомплексы InOH" , которые быстро образуются из ионов являющихся продуктом предшествующей обратимой двуэлектронной стадии ионизации атомов индия. Сходный механизм, установленный для процессов разряда—ионизации на твердом индиевом и амальгамном индиевом электродах, в частности, обратная пропорциональность скоростей анодного и катодного процессов (последнего вблизи равновесного потенциала) концентрации ионов водорода в кислых электролитах [387 ], свидетельствует об отсутствии осложняющего влияния на кинетику электроосаждения и анодного растворения твердого индия стадий построения и разрушения кристаллической решетки, а также заметного изменения размера истинной поверхности индиевого электрода. [c.199]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология