Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Источник двойникующих дислокаций

    Для простоты рассмотрим двойник не у поверхности, а внутри кристалла (рис. 105, а). Предположим, что в начале координат х = = 0) расположен источник двойникующих дислокаций, который способен создавать под действием приложенной нагрузки любое количество пар прямолинейных дислокаций противоположных знаков. Введем плотность двойникующих дислокаций р (д ), очевидным образом связанную с толщиной двойника h (х) в точке х  [c.304]


    Математическое моделирование (см. гл. 2) показало, что когерентная двойниковая граница и сама по себе является источником больших локальных напряжений, поэтому наличие какой-либо неоднородности на границе может приводить к образо-ванию двойникующих дислокаций на том отрезке границы, который находится вдали от поверхности (образование двойникующих дислокаций на границе внутри кристалла на неоднородностях обсуждалось в [58,146,232,240]). Для применимости развитой выше модели необходимо лишь, чтобы на исследуемом участке границы были преимущественно дислокации одного знака. [c.116]

    Указанные требования будут выполняться лишь до определенного уровня внешних напряжений. Дело в том, что необходимость термической активации для появления каждой новой двойникующей дислокации приведет к следующему начиная с некоторых достаточно больших напряжений за время возникновения новой дислокации, возникшая непосредственно перед ней успеет удалиться на расстояние, сравнимое с толщиной пластины d. В этом случае должна происходить смена режима движения границы. Такая смена наблюдалась экспериментально [231, 234, 245] и объяснена авторами истощением источников дислокаций на границах. [c.118]

    В описанных выше опытах регистрировался и анализировался интегральный сигнал от движущегося упругого двойника, представляющего собой плоское скопление порядка 10 двойникующих дислокаций. Поскольку источниками исследуемого излучения являются отдельные дислокации, то важно обнаружить дискретный характер сигнала, так как прямое измерение динамических характеристик упругого поля отдельной дислокации представляет принципиальный интерес. Такая экспериментальная задача нетривиальна. Поскольку мы, как правило, имеем дело с ансамблем движущихся дислокаций, то возможность ее решения требует обсуждения вопроса о соотношении размеров зоны формирования излучения с характерными расстояниями между движущимися дислокациями ). [c.218]

    Источники ступеней. Для роста сингулярных граней необходимы те или иные источники ступеней. Зачастую такими источниками служат дислокации ими могут стать также места соприкосновения между кристаллом и его контейнером или подставкой, границы зерен между двумя соприкасающимися кристаллами различной ориентации, инородные макроскопические частицы, двойники, двумерные зародыши, а в случае испарения или растворения края кристаллов и краевые дислокации. [c.444]

    Уже первые опыты по выращиванию кристаллов синтетического кварца показали, что они практически не нарастают по граням гексагональной призмы. Именно этим обстоятельством определяется необходимость использования протяженных перпендикулярно к оси 2 затравок для получения крупных кристаллов. Исследование морфологии граней т показало, что на этих гранях возможно только тангенциальное т-от-ложение вещества. Поэтому для нормального продвижения грани необходимы источники слоев. Такими источниками слоев могут быть винтовые дислокации, двойники и некоторые другие дефекты. [c.162]


    Будем считать двойник плоским, а ось х совпадающей с линией двойникования, наклоненной Д10Д углом к поверхности образца (рис, 3.5). Такой двойник образован скоплением прямолинейных дислокаций, параллельных оси г. Предположим, что в некоторой точке х = у поверхности образца имеется источник прямолинейн>1х двойникующих дислокаций, способьай под действием внепшей нагрузки создавать нужное число дислокаций. Точку расположения источника дислокаций будем [c.54]

    Те же соображения относятся к точке х = ао если двойг к удерживается в кристалле только силой приложенных к поверхности напряжений (со(До) ограничена), то р(йо) = 0. Обычно все двойникующие дислокации зарождаются на поверхности тела (в точке х - ао, являющейся единственным источником дислокаций) и под возрастающей нагрузкой лишь перемещаюхся вдоль оси х. Тогда в интервале во <х<Ь имеются дислокации лишь одного знака р(х) > 0) и условие р(йо) = О означает, что двойник выходит на поверхность тела в виде плоскопараллельной прослойки (рис. 3.7 а). [c.58]

    Источником слоев роста, помимо отдельных дислокаций и их групп, могут служить и двумерные дефекты — сетки дислокаций вдоль границ макроблоков и залеченных трещин (рис. 1-19), а также двойниковые швы. Последние заслуживают несколько более подробного рассмотрения. Давно известно, что двойники, у которых между индивидами имеется входящий угол, растут значительно быстрее монокристаллов. Объясняют это явление более легким присоединением частиц во входящем углу двойника. В этом случае двойниковый шов должен служить линейным источником слоев роста. Однако при росте двойников винной кислоты из водного раствора мы наблюдали распространение слоев роста из двух-трех точечных источников, расположенных на двойниковом шве. Об аналогичном расположении центров роста на двойниках природного флюорита сообщал Ф. К. Франк [1950]. Таким образом, по крайней мере в некоторых случаях слои генерируются дислокациями, лежащими в плоскости двойниковой границы (по-види-мому, это имеет место для некогерентных границ). [c.34]

    Прежд всего заметим, что при 1. -- До ао> когда источник дислокаций находатся в глубине кристалла й поля напряжений ДйслокаиЛй почти не отличаются от полей напряжений в неограниченном кристалле, уравнение (3.5) переходит в уравнение равновесйя тонкого двойника, полученное впервые Лифшицем [149]  [c.57]

    Р и с. 3.8. Эволюция формы и размеров упругого двойника в к жсталле при нагрузке (л-г) и разгрузке (d) а - своСк)дно растущий двойник, б - рост двойника после прекращения работы источника дислокаций на поверхности кристалла, а - конец двойника встречает стопор (л, - точка расположения стопора), г — форма застопоренного двойника в пределе бесконечно больших нагрузок, д - стопор на поверхности препятствует выходу двойника из К1жсгал-ла при разгрузке [c.60]

    Любопытно заметить, что такое же уравнение определяет равновесие Двойника, созданйбго в неограниченном кристалле дислокациями, источник которых наудится в интервале (-До> До) вблизи начала координат. Для этого доста10чно считать, что внешняч нагрузка есть четная функция х, а рождающиеся две дислокации противоположных знаков одновременно появляются в точках х = До  [c.63]

    Решение L i убьшает с ростом Р, поэтому, как было отмечено в [168], оно соответствует неустойчивому по отношению к бесконечно малому изменению внешней нагрузки двойнику. Решение соответствует устойчивому двойнику, но при нашем способе создания двойника подобный дройник не возникает. Действительно, до тех пор, пока F(0) = а(0) < S , приложенная к дислокации внешняя аила в точке нахождения источника [c.71]

Рис. 8,18. Схема измерения пространственного распределения звукового излучения при аннигиляции дислокаций й Лз - расстояния от источника излучения до концов пьезодатаика, 1 - кристалл кальцита, 2 - упругий двойник, 5 - район локализации источника излучения, 4 - пьезодатчик Рис. 8,18. <a href="/info/143186">Схема измерения</a> <a href="/info/135221">пространственного распределения</a> звукового излучения при <a href="/info/277030">аннигиляции дислокаций</a> й Лз - расстояния от <a href="/info/141359">источника излучения</a> до концов пьезодатаика, 1 - кристалл кальцита, 2 - <a href="/info/466346">упругий двойник</a>, 5 - район <a href="/info/1381639">локализации источника</a> излучения, 4 - пьезодатчик

Смотреть страницы где упоминается термин Источник двойникующих дислокаций: [c.79]    [c.79]    [c.165]    [c.165]    [c.72]   
Обратимая пластичность кристаллов (1991) -- [ c.54 ]




ПОИСК





Смотрите так же термины и статьи:

Двойники

Дислокации источники

Дислокация



© 2024 chem21.info Реклама на сайте